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sbd 文章 最新資訊

第16講：SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產品已廣泛產品化。SiC SBD的某些產品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  SBD  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 關鍵字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊   

Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

  • Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點包括可大幅提高效率和高溫可靠
  • 關鍵字： Diodes  碳化硅  肖特基勢壘二極管  SBD  

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

  • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

  • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較

  • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產品，實現(xiàn)嚴苛環(huán)境下出色的電路保護

  • 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數字和邏輯功能與電路才能完成關鍵的工作。數據中心、5G基礎設施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過25款產品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
  • 關鍵字： TVS  SBD  ESD  EFT  MSL  RTCA  

電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)

  • 具有TI無線SoC處理器以及時鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖(SBD)。當今用于蜂窩式電信網絡的無線基站必須具備強大的信號處理功能，以便能夠處理網絡中不斷增加的大量語音和數據流量，并支持正廣泛...
  • 關鍵字： 電信基帶  系統(tǒng)方框  SBD  

東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產品陣容

  • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。　　SBD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
  • 關鍵字： 東芝  SBD  SiC  

東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產品陣容

  • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動?！　BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
  • 關鍵字： 東芝  SBD  SiC  

ROHM超小型元器件RASMID?

  • ROHM于2011年開發(fā)了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小貼片電阻器，相比以往的0402產品尺寸成功減小了44%。2012年開發(fā)了世界最小半導體—0402尺寸的齊納二極管。2013年，產品陣容中增加了0402尺寸的肖特基勢壘二極管(SBD)，同時實現(xiàn)了03015尺寸的貼片電阻器量產。
  • 關鍵字： ROHM  小型化  SBD  貼片電阻  

新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質的制造工藝技術，能夠實現(xiàn)高音質音響效果。
  • 關鍵字： 新日本無線  SiC-SBD  MUSES  
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