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sic fet 文章 最新資訊

對反向轉(zhuǎn)換器的FET關斷電壓進行緩沖的方法

  • 圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
  • 關鍵字： 緩沖  方法  進行  電壓  FET  關斷  轉(zhuǎn)換器  

超過20kV：半導體元件的世界最高耐壓

  • 　　日本京都大學工學研究系電子工學專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數(shù)kV的半導體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。 　　該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實現(xiàn)
  • 關鍵字： SIC  二極管  半導體  

羅姆清華探索校企合作新模式

  • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產(chǎn)學連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開，來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領域取得的成果以及一些教學科研經(jīng)驗。會后，羅姆株式會社常務董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學研方面的相關合作。 以“羅姆”命名清華樓，并無排他性 ?????
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
  • 關鍵字： SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
  • 關鍵字： 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
  • 關鍵字： SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

用智能MOSFET提升醫(yī)療設計可靠性及性能

  • 所有關于醫(yī)療應用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時，仍然需要提供終端用戶想要的新技術與功能。由于各醫(yī)療設備...
  • 關鍵字： 智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET  

基于FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路介紹

  • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
  • 關鍵字： FET  輸入  OP放大器  模擬    

采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集

  • 采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
  • 關鍵字： IMEC  SiC  生物電信號采集    

世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。
  • 關鍵字： 羅姆  半導體  SiC  

用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路介紹

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
  • 關鍵字： VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運算    

用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場

  • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點，SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域，很多半導體廠商都看好SiC技術的未來，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發(fā)揮其
  • 關鍵字： 羅姆  太陽能  SiC  

20W-50W單端FET純甲類功放的設計制作

  • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
  • 關鍵字： 單端  FET  甲類  功放  

與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗器電路

  • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
  • 關鍵字： VOO  檢驗  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設計

  • 隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
  • 關鍵字： 隔離式  FET  脈沖驅(qū)動器  
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