- 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。
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索尼 NAND
- 三星電子一家新的存儲半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。
2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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東芝 NAND
- 據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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三星 Flash
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結(jié)果表明，該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù)，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 支持Flash的單板計算機嵌入式系統(tǒng),1 引言 在實際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個過程中.除了CPU以外，另一個重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件。 2 系統(tǒng)介紹 采
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嵌入式 系統(tǒng) 計算機 單板 Flash 支持
- 最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會上，三星與蘋果之間的知識產(chǎn)權(quán)爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前，三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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三星 NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！ ?/li>
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東芝 NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
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NAND 閃存
- 摘要：從一種軍用板卡的實際需求出發(fā)，對SPI接口在設(shè)計中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設(shè)計原理和方法，具有
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T1024 FLASH 1024 25T
- Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計,引言
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理的、針對嵌入式應(yīng)用
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系統(tǒng) 設(shè)計 文件 嵌入式 損耗 均衡 Flash
- 根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
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平板電腦 NAND
- 行動裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。
存儲器業(yè)者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
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Hynix NAND
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