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手機(jī)應(yīng)用LED閃光燈的幾大優(yōu)勢(shì)

  • 現(xiàn)在的照相手機(jī)幾乎都可以當(dāng)作數(shù)字相機(jī)使用，用戶當(dāng)然希望在低照度情況下也能拍攝出高質(zhì)量的照片，因而照相手機(jī)...
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把面向數(shù)字家庭的Adobe Flash引進(jìn)到MIPS-Based平臺(tái)

  • 　　Q.什么是三重播放集成? 　　A.TPI公司是一家致力于提供數(shù)字家庭視頻平臺(tái)解決方案的專業(yè)軟件服務(wù)公司。TPI公司還是官方Adobe 的“Scaling Partner”，為消費(fèi)電子平臺(tái)提供Flash Player 10、AIR和舞臺(tái)美術(shù)技術(shù)提供優(yōu)化的端口。我們有25名具有專業(yè)的項(xiàng)目管理和質(zhì)量保障經(jīng)驗(yàn)的高級(jí)工程師團(tuán)隊(duì),平均具有 24 年的工作經(jīng)驗(yàn). 　　 ? 　　Triple Play Integration 銷售副總裁Mike Nottage 　　Q.
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出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。 　
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AT91SAM7Sxx系列MCU Boot-Loader的設(shè)計(jì)

  • AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于ARM7內(nèi)核的32位MCU。用戶代碼編譯在Thumb 模式下可獲得16位指令寬度 ...
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下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(zhǎng)或趨緩

  • 　　在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì)中，SanDisk公司的技術(shù)長(zhǎng)Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長(zhǎng)趨緩。市場(chǎng)原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長(zhǎng)可能需要再評(píng)估。 　
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東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)可能達(dá)不到預(yù)期

  • 　　全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場(chǎng)不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢(shì)等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)可能達(dá)不到預(yù)期。
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基于TMS320DM642的Flash編程

  • 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見的Flash編程方法,然后詳細(xì)介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個(gè)實(shí)現(xiàn)過程并分析了Flash編程時(shí)需要注意的一些問題?！　lash編程方法　　常見的Flash編程方式　　Flash在正常使用
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NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌，NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM

  • 本文以基于三個(gè)C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計(jì)技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： C6201  C6701  FLASH  DSP    

基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

  • 　　在一些軍用芯片的早期設(shè)計(jì)中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進(jìn)行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
  • 關(guān)鍵字： AT25T1024  FLASH  高速SPI接口  

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來臨

  • 　　隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲(chǔ)器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)

  • 　　隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  NAND  

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
    TI公司C6000系列DSP具有強(qiáng)大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度遠(yuǎn)大于片外存儲(chǔ)器的運(yùn)行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運(yùn)行。由于C6000系列DSP均沒有
  • 關(guān)鍵字： 技術(shù)  研究  加載  Flash  系列  DSP  C6000  

今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長(zhǎng) 41.4%，達(dá) 123MB。 　　
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LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
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nand-flash介紹

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