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競逐eMMC商機(jī) Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

  • 2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場帶動下大幅成長,2014年,平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待,尤其在中國大陸銷售的平板電腦中,有90%尚未采用eMMC,這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場規(guī)模,引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  •   智慧之石  作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件,已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代:1.?電子管時(shí)代――1905~1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947~1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958~…(到2014年已有56年)?! ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕,為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時(shí)間里,推動了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
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FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

  •   隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善,F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來越廣泛,其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計(jì),其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  •   靜態(tài)隨機(jī)存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號,即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹  VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
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2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

  •   全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。   2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

  • 本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實(shí)現(xiàn)方案,該方案利用硬件對SPI Flash進(jìn)行控制,能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作,同時(shí)編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用,作為SOC芯片的功能模塊。
  • 關(guān)鍵字: FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求,但受信道帶寬的限制,無法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù),因此星載復(fù)接存儲器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ),從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對多重配置進(jìn)行分析,給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟,對實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
  • 關(guān)鍵字: FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

  •   存儲器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局,今年存儲器封測競爭卡位,勢必激烈。   展望今年,國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程,包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴(kuò)大委外,封測臺廠考量自身發(fā)展,積極與國際大廠洽商合作。   美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。   為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù),去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

  • 在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
  • 關(guān)鍵字: MSP430G  單片機(jī)  Flash  擦寫壽命    

武漢新芯:定位存儲器制造,兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨(dú)立經(jīng)營,是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
  • 關(guān)鍵字: XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

  • 近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫:“我想學(xué)單片機(jī)”,“我要學(xué)單片機(jī)”,“如何入門啊?”,“你們怎么這么厲害,是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題,實(shí)在是看多了也感到煩了,今天,就由我電子白菜厚著面皮,頂著無數(shù)老蝦的磚頭,在這里寫上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得,讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
  • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  LED  LCD  FLASH  USB  

ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

  • 在本章開始之前,我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu):
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武漢新芯:已建成IP體系,欲以存儲器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理,從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營。
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AVR的主要特性

  • AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
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nand-flash介紹

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