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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

- 智慧之石 作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件,已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代:1.?電子管時(shí)代――1905~1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947~1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958~…(到2014年已有56年)?! ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕,為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時(shí)間里,推動了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM PC 201404
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

- 靜態(tài)隨機(jī)存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號,即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%
- 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。 2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
基于SPI FLASH的FPGA多重配置

- 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ),從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對多重配置進(jìn)行分析,給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟,對實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
- 關(guān)鍵字: FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
布局存儲器封測 臺廠競爭卡位
- 存儲器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局,今年存儲器封測競爭卡位,勢必激烈。 展望今年,國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程,包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴(kuò)大委外,封測臺廠考量自身發(fā)展,積極與國際大廠洽商合作。 美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。 為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù),去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
- 關(guān)鍵字: 存儲器 NAND
AVR的主要特性
- AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
- 關(guān)鍵字: AVR單片機(jī) ATMEL Flash
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