nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例（二）

啟動(dòng)匯編代碼　　;*********************************************************************　　; 匯編 ...
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例（一）

使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行 ...
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及管理方法研究與實(shí)現(xiàn)

摘要：本文設(shè)計(jì)了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)的方法，它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個(gè)數(shù)據(jù)分區(qū)，不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)在不同歷史時(shí)間的拷貝，最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲(chǔ)最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進(jìn)行時(shí)，計(jì)算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲(chǔ)位置，直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫(xiě)操作進(jìn)行時(shí)
關(guān)鍵字：嵌入式 MCU Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) EEPROM 201310

狼、羊、草過(guò)河與嵌入式固件更新

狼、羊、草過(guò)河問(wèn)題(也有叫狼、羊、白菜過(guò)河之類的名字)是說(shuō)：有一人帶著一只部分馴化的狼(強(qiáng)調(diào)部分馴化是說(shuō)明，人在場(chǎng)的情況下狼不會(huì)吃羊，不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來(lái)到河的左岸，欲乘一只很小的船過(guò)到河的右岸，每次人只能帶其中一個(gè)過(guò)河，當(dāng)有人在時(shí)，狼、羊、草都不會(huì)有事;當(dāng)無(wú)人在時(shí)，就不允許狼羊在一起，也不允許羊和草在一起，問(wèn)應(yīng)如何過(guò)河?
關(guān)鍵字：嵌入式 Flash RAM 緩沖區(qū)

采取多元化戰(zhàn)略，加強(qiáng)在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措：一，完成對(duì)富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購(gòu);二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢?jiàn)，Spansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國(guó)代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對(duì)華戰(zhàn)略如何?
關(guān)鍵字：富士通 Spansion MCU NAND 201309

三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

　　不讓韓國(guó)三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O(píng)果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

單片機(jī)(MCU)選型的七條軍規(guī)

單片機(jī)的選型是一件重要而費(fèi)心的事，如果選型得當(dāng)，則做出來(lái)的產(chǎn)品就會(huì)性價(jià)比較高，且工作穩(wěn)定;反之，則可能會(huì)造成產(chǎn)品成本過(guò)高或影響產(chǎn)品正常運(yùn)行，甚至可能根本就達(dá)不到預(yù)先設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：單片機(jī) MCU 內(nèi)存 FLASH 編譯器

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，今年第一季度中國(guó)低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
關(guān)鍵字： IHS NAND

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級(jí)本與PC平板領(lǐng)域

據(jù)IHS公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，超薄/超級(jí)本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
關(guān)鍵字： IHS SSD NAND HDD

芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片廠商尚未打破增長(zhǎng)-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會(huì)SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(zhǎng)的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì))預(yù)計(jì)，2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測(cè)，2014年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將猛增21%。　　當(dāng)然，SEMI以往曾對(duì)芯片制造設(shè)備營(yíng)收作出過(guò)高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將增長(zhǎng)約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷明年會(huì)變好

　　根據(jù)國(guó)外媒體的報(bào)道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收會(huì)增長(zhǎng)10%。　　這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI，這表明此前他們對(duì)2013年的樂(lè)觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開(kāi)始，以NAND閃存為首的芯片廠商對(duì)芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開(kāi)始萎縮。目前只有Intel、三星、臺(tái)積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。　　不過(guò)SEMI依然對(duì)2014年的發(fā)展
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中國(guó)廠商成全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)新引擎

　　導(dǎo)語(yǔ)：路透社今天撰文指出，近年來(lái)高端手機(jī)市場(chǎng)的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋(píng)果公司的增長(zhǎng)也開(kāi)始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國(guó)移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，以及中國(guó)移動(dòng)市場(chǎng)的火爆，中國(guó)力量正成為全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)的新引擎。　　以下為文章全文：　　重新掌握主動(dòng) 　　隨著中國(guó)低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國(guó)移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲(chǔ)芯片廠商有望從這種趨勢(shì)中獲得重要回報(bào)。中國(guó)目前已取代美國(guó)，成為全球第一大智能手機(jī)市場(chǎng)
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內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣靠中國(guó)企業(yè)賺錢(qián)了

　　7月5日消息，由于中國(guó)廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長(zhǎng)，由于中國(guó)移動(dòng)設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn)，開(kāi)始收獲金錢(qián)了。　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場(chǎng)增速?zèng)]過(guò)去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會(huì)刺激內(nèi)存銷(xiāo)售的增長(zhǎng)。　　兩種趨勢(shì)之下，加上2011年以來(lái)內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來(lái)，它們有了更高的議價(jià)能力。　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
關(guān)鍵字：內(nèi)存芯片 NAND

基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng)

基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng), 引言針對(duì)需要切換多個(gè)FPGA配置碼流的場(chǎng)合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲(chǔ)卡來(lái)替代配置用PROM,用專門(mén)的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫(xiě)，上位機(jī)軟件生成專用的ACE文件并下
關(guān)鍵字：系統(tǒng) FPGA JTAG Flash 基于