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可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)
- 與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)...
- 關(guān)鍵字： NAND 移動(dòng)設(shè)備 大容量存儲(chǔ)
國(guó)際廠競(jìng)搶Flash LED新高地 明年恐見(jiàn)殺價(jià)潮
- LED產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開(kāi)發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競(jìng)逐的市場(chǎng)，除國(guó)際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺(tái)廠有億光、新世紀(jì)、光寶科等業(yè)者，但近期市場(chǎng)傳出，韓廠三星將走出過(guò)去堅(jiān)守的4139封裝規(guī)格，計(jì)劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者越來(lái)越多，估計(jì)FlashLED明年將會(huì)見(jiàn)到一波價(jià)格下殺潮。 消費(fèi)者對(duì)于智慧型手機(jī)要求越來(lái)越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
- 關(guān)鍵字： Flash LED
嵌入式軟件代碼保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 目前的嵌入式系統(tǒng)中， 軟件代碼一般存儲(chǔ)在諸如EEPROM、F lash等存儲(chǔ)器中， 但其中存儲(chǔ)的程序代碼易被讀取， 非法 ...
- 關(guān)鍵字： 軟件代碼保護(hù) EEPROM FLASH
10月快閃存儲(chǔ)器NAND供過(guò)于求 合約價(jià)看漲
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)供過(guò)于求情況可望趨緩，10月合約價(jià)看漲。 集邦科技表示，海力士(Hynix)中國(guó)大陸無(wú)錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)價(jià)格飆漲，同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。 集邦科技指出，盡管NANDFlash市場(chǎng)銷(xiāo)售并無(wú)好轉(zhuǎn)跡象，不過(guò)，海力士無(wú)錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過(guò)于求情況可望趨緩。 集邦預(yù)期，近期1至2個(gè)月
- 關(guān)鍵字： 快閃存儲(chǔ)器 NAND
基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及管理方法研究與實(shí)現(xiàn)
- 摘要：本文設(shè)計(jì)了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)的方法，它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個(gè)數(shù)據(jù)分區(qū)，不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)在不同歷史時(shí)間的拷貝，最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲(chǔ)最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進(jìn)行時(shí)，計(jì)算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲(chǔ)位置，直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫(xiě)操作進(jìn)行時(shí)
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 MCU Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) EEPROM 201310
狼、羊、草過(guò)河與嵌入式固件更新
- 狼、羊、草過(guò)河問(wèn)題(也有叫狼、羊、白菜過(guò)河之類(lèi)的名字)是說(shuō)：有一人帶著一只部分馴化的狼(強(qiáng)調(diào)部分馴化是說(shuō)明，人在場(chǎng)的情況下狼不會(huì)吃羊，不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來(lái)到河的左岸，欲乘一只很小的船過(guò)到河的右岸，每次人只能帶其中一個(gè)過(guò)河，當(dāng)有人在時(shí)，狼、羊、草都不會(huì)有事;當(dāng)無(wú)人在時(shí)，就不允許狼羊在一起，也不允許羊和草在一起，問(wèn)應(yīng)如何過(guò)河?
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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。 三星稱(chēng)，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)
- 不讓韓國(guó)三星專(zhuān)美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O(píng)果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。 研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
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