nand flash 文章最新資訊

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉？

　　摘要：關于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點，他們強調已經使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!　　近日某電子科技有限公司的客戶郵件反饋：使用我們的SmartPRO 6000F-Plus燒錄MICRON廠家的TSOP48封裝的Nand Flash MT29F2G08ABAEA，不良率比較高，甚至達到了10%的燒錄不良率，而燒錄SAMSUNG廠家
關鍵字： SmartPRO NAND

中國NAND Flash產業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產業(yè)地位也越來越關鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
關鍵字： AND Flash

因應中國市場需求　Intel大連廠轉生產3D NAND

　　半導體產業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產處理器晶片的中國大連廠，轉型為生產最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達55億美元，預計于明年下半年開始量產。　　根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù)，2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產值高達66.7億美元，占全球產值29.1%，明年更可望達到全球NAND Flash產量的三分之一，成長幅度十分驚人。　　DRAMeXchan
關鍵字： Intel NAND

英特爾大連廠變道：一座明星廠的尷尬自救

從一個經典明星案例到現(xiàn)在這種尷尬的路徑，這是中美兩國科技、全球經濟危機、產業(yè)變遷、英特爾戰(zhàn)略共同博弈下的一種結果。
關鍵字：英特爾 Nand

中國半導體產業(yè)進入快速成長期晶圓代工業(yè)者卡位戰(zhàn)開打

半導體被列入重點培植產業(yè)，政府計劃性的補貼下，全球市占率的日益攀升，產品競爭力快速成長，直接威脅了臺灣、歐美廠商，全球主要晶圓代工業(yè)者已陸續(xù)在中國進行卡位戰(zhàn)。
關鍵字：晶圓 NAND

研調：陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示，由于中國大陸內需市場胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續(xù)攀升，預估今(2015)年中國內需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產值高達120億與66.7億美元，分別占全球產值的21.6%與29.1%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，從DRAM需求觀察，近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領域出貨量不斷增長。其中，聯(lián)想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，并穩(wěn)居
關鍵字： DRAM NAND

全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性

　　全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領導者賽普拉斯半導體公司今日宣布推出面向高安全應用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應用的設計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動代碼，并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機頂盒、POS機、可穿戴設備和其他高安全應用提供帶有集成式分區(qū)保護特性的單一非易失性內存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。　　賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
關鍵字：賽普拉斯 NAND

今年推兩款存儲芯片美光現(xiàn)轉機

　　《巴倫周刊》(Barron’s)報導指出，半導體廠商美光(Micron)盡管今年以來遭遇股價蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問世的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機應用程式市場和大數(shù)據(jù)分析領域，料將大幅提升美光利潤率。　　兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進美光2016年營收與凈利，而后者料自2018年起占美光營收比明顯擴大。　　有看多美光者預測，股價可能于1年間上漲逾6成，達每股30美元。較保守的假設為，1年間上漲
關鍵字：美光 NAND

紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭人才招募選精英

　　中國半導體研究機構芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導體產業(yè)會有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺灣南亞科總經理高啟全將離職，加入中國紫光集團，負責半導體儲存業(yè)務。消息一出，果然在臺灣帶來震撼。外界也好奇，近來動作頻頻的紫光集團，究竟有什么背景與能耐，在半導體行業(yè)到處“興風作浪”? 　　■紫光發(fā)展簡歷　　依紫光集團官網簡介，紫光的前身是中國清華大學在 1988 年所成立的科技開發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
關鍵字：紫光 NAND

東芝財報風波長期恐將損及NAND事業(yè)

　　東芝(Toshiba)財報不實風波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門，但日媒體日經Tech-On訪問日本半導體界人士，卻表示長期終將損害快閃存儲器產品競爭力。　　目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產品，由于移動裝置需求持續(xù)成長，銷售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產品;但這項產品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領先，受企業(yè)財務狀況影響比其他半導體產品更大。　　現(xiàn)在東芝碰上財務問題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說新社長室町正志出身半導體事業(yè)，對這個
關鍵字：東芝 NAND

FinFET/3D NAND前景亮　推升半導體設備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關的蝕刻機臺和磊晶技術。　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
關鍵字： FinFET 3D NAND

美光2016 資本支出大增至53億美元，市場冷淡

　　內存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產能，市場似乎對內存前景不具信心，當日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。　　美光財務長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
關鍵字：美光 NAND

不同產品策略影響NAND供應商營收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
關鍵字：英特爾 NAND

不同產品策略影響NAND供應商營收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產品策略的不同，營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，受到整體經濟環(huán)境沖擊，智慧型手機、平板電
關鍵字： NAND 英特爾

NAND閃存走向發(fā)展死胡同？

NAND閃存技術進入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
關鍵字：東芝 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]