- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產NAND Flash為主的半導體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。
據韓聯社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產NAND Flash為主的半導體工廠。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。
韓聯社引述EE Times
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新芯 NAND
- 國內大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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存儲器 3D NAND
- 不論是NAND閃存還是DRAM內存領域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術、產能都落后友商，偏偏現在又遇到了內存、閃存降價，跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預測同樣悲觀。
美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。
美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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DRAM NAND
- 在國家意志的推動下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產業(yè)的逆襲么？
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存儲器 NAND
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產NOR Flash為主，月產能約為2萬片左右，在NAND Flash產業(yè)也展現強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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NAND 存儲器
- 國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資，將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。
SEMI指出，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數成
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晶圓 3D NAND
- 國內終于要有了存儲，剩下的問題就是國產閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰(zhàn)是不可避免的，但長久來看還得是技術立足。
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3D NAND 存儲
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。
東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務出售給美的集團(參閱本站報道1)。關于個人電腦業(yè)務與其他公司進行業(yè)務合并一事，室町表示“希望在201
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東芝 NAND
- Flash存儲器，簡稱Flash，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數據，具有快速讀取數據的特點;在現在琳瑯滿目的電子市場上，Flash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點，給大家一個全新認識?！ ∫弧IC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數據線(SDA)
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Flash EEPROM
- 資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經由云端與Flash兩股推力驅動，讓近年IT基礎架構進入新一波的轉型期，其中2016年經由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。
此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領
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Flash SAS
- 為了進一步提高NAND Flash生產效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產，但隨著逼近2D NAND工藝可量產的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
1、積極導入48層3D技術量產，提高成本競爭力
與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND 2D
- 除供過于求價格下滑幅度加劇，現階段主流NANDFlash制程轉進已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產過程良率不佳的問題，制程轉進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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NAND 美光
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash製程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND 三星
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash制程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND SSD
- 今年，半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現3D NAND器件的批量生產。
由平面結構向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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半導體 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [
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