nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

中國(guó)NAND閃存市場(chǎng)占全球1/3

　　相對(duì)于舊式 HDD 硬盤(pán)的式微，NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤(pán)的發(fā)展就成了儲(chǔ)存市場(chǎng)的潮流風(fēng)向。不論是在移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)上都在快速成長(zhǎng)。而目前因?yàn)橹袊?guó)已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場(chǎng)，而 SSD 固態(tài)硬盤(pán)也是成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。因此，也吸引了各家中國(guó)本土廠(chǎng)商的競(jìng)相投入。　　在NAND 閃存的市場(chǎng)部分，根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報(bào)告顯示，中國(guó)市場(chǎng)消耗的 NAND 閃存越來(lái)越多，2017 年將占到全球市占率的 30% ，而到了 202
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3D NAND風(fēng)暴來(lái)襲，中國(guó)存儲(chǔ)器廠(chǎng)商如何接招?

中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)器

儲(chǔ)存技術(shù)不斷演進(jìn)　NAND Flash僅是開(kāi)端

　　在進(jìn)展緩慢的儲(chǔ)存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲(chǔ)存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報(bào)導(dǎo)，NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲(chǔ)存裝置，后來(lái)供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對(duì)小量的快閃存儲(chǔ)器，便可以大幅提升效能以快閃存儲(chǔ)器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲(chǔ)存裝置也開(kāi)始大受歡迎。　　由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開(kāi)發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據(jù)相變化存儲(chǔ)器(Phase Change Memory)修正后開(kāi)發(fā)的新型態(tài)儲(chǔ)存裝置，在速度、耐用性和重
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!
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Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國(guó)建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目

　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對(duì)近期擴(kuò)建的中國(guó)上海廠(chǎng)的下一階段投資計(jì)劃;該廠(chǎng)由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營(yíng)。TPI將對(duì)此工廠(chǎng)再投資8000萬(wàn)美元以展現(xiàn)其對(duì)中國(guó)快速成長(zhǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(zhǎng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴(kuò)建上海二廠(chǎng)(TPCS Shanghai II);該廠(chǎng)現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國(guó)唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠(chǎng)。　　
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美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案

　　美光科技有限公司今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。美光的首項(xiàng)移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機(jī)細(xì)分市場(chǎng)，這一細(xì)分市場(chǎng)大約占據(jù)全球智能手機(jī)總量的 50%[1]。隨著移動(dòng)設(shè)備替代個(gè)人電腦成為消費(fèi)者的主要計(jì)算設(shè)備，用戶(hù)行為對(duì)設(shè)備的移動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了無(wú)與倫比的用戶(hù)體驗(yàn)，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
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鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。　　　　鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來(lái)越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示，在幾年
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解讀實(shí)現(xiàn)中國(guó)存儲(chǔ)器夢(mèng)的三條路徑

中中國(guó)下決心做存儲(chǔ)器芯片，是個(gè)特別重大，而又十分艱難的決定，國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)要取得成功，總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的實(shí)踐，有一定進(jìn)展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過(guò)研發(fā)的早日成功，才能扭轉(zhuǎn)被動(dòng)的局面。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu)，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠(chǎng)陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
關(guān)鍵字：三星 NAND

東芝超車(chē)失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠(chǎng)陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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半導(dǎo)體行業(yè)掀起并購(gòu)潮背后的推動(dòng)力是什么？

我們獲取和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方式發(fā)生了巨大轉(zhuǎn)變，這是近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)并購(gòu)潮的原因所在。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

東芝跑第一，64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠(chǎng)商，不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖)，且開(kāi)始進(jìn)行送樣。　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生
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陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導(dǎo)體制造化學(xué)機(jī)械研磨液(CMP)平臺(tái)

　　陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機(jī)械研磨液 (CMP) 平臺(tái)。OPTIPLANE 研磨液系列的開(kāi)發(fā)是為了滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體研磨液的需求：能以有競(jìng)爭(zhēng)力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴(yán)格的規(guī)格，適合用來(lái)製造新一代先進(jìn)半導(dǎo)體裝置。　　全球 CMP 消耗品市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)，部分的成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無(wú)數(shù)先進(jìn)電子裝置的性能需求。　　「生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲(chǔ)項(xiàng)目提前投產(chǎn)

　　經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠(chǎng)區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來(lái)自全世界的數(shù)千名項(xiàng)目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標(biāo)只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目的量產(chǎn)步伐。　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠(chǎng)。該項(xiàng)目是迄今為止英特爾在中國(guó)的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開(kāi)放以來(lái)最大的外資項(xiàng)目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]