nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

東芝副社長：“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”

　　“三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。　　成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
關鍵字：東芝 NAND

美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)

　　今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。　　對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
關鍵字：美光 NAND

?NAND缺口達顛峰　推升SSD價漲逾10%

　　DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。　　今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。　　DRAM
關鍵字： ?NAND SSD

不甘心三星拿下NAND市場最大份額 Intel推出市場最低價產(chǎn)品

　　三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。　　目前3D NAND技術正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
關鍵字： Intel NAND

三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠遠甩開

　　三星憑藉著技術優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。　　市調機構DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。(韓國經(jīng)濟日報) 　　同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。　　剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達17.1%
關鍵字：三星 NAND

Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp; 　　1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫　　例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數(shù)，這自然會導致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
關鍵字： Flash 芯片

[ARM筆記]驅動對設備的識別過程及實例——NAND Flash

　　驅動程序識別設備時，有以下兩種方法：　　(1)驅動程序本身帶有設備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅動程序時，就可以根據(jù)這些信息來識別設備?！　?2)驅動程序本身沒有設備信息，但是內核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動程序時，將驅動程序與這些設備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動程序與某個設備匹配，就可以通過該驅動程序來操作這個設備了?！　群顺Ｊ褂玫诙N方法來識別設備，這可以將各種設備集中在一個文件中管理，當開發(fā)板的配置改變時，便于修改代碼。在內核文件incl
關鍵字： NAND 驅動

NAND Flash供不應求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
關鍵字： NAND Flash 英特爾

Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠不如原
關鍵字： Flash 存儲器

SSD價格2016年來首度大漲，明年第一季價格估將持續(xù)走升

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
關鍵字： SSD NAND

GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析

在理解bootloader后,花些時間重新學習了開源軟件的makefile和相關腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
關鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動過

中國存儲三大勢力成形各自進擊

　　早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關消息，現(xiàn)在相關招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。　　中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。　　合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
關鍵字：長江存儲 Flash

大陸存儲器需求進展超預期東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

　　日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。　　平田表示，在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調查，目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元，價格
關鍵字：東芝 NAND

SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產(chǎn)的業(yè)者。
關鍵字： SK海力士 NAND

中國半導體市場暢旺東芝再次上調 2016 上半年獲利預估

　　根據(jù)彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務的營收成長，加上撙節(jié)計畫的奏效，日本最大半導體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業(yè)利益上調 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。　　根據(jù)報導，東芝在聲明中表示，除了上調 2016 年上半年的預期營業(yè)利益之外，還同時微幅上調了上半年的預期營收，從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
關鍵字：東芝 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]