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TI：運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

  • 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領導者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調(diào)，
  • 關鍵字： TI  GaN  數(shù)據(jù)中心  能源效率  

學貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

  • 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡)。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領域，就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆，使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮，常常創(chuàng)作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質(zhì)化代幣NFT(
  • 關鍵字： 202205  生成對抗網(wǎng)路  GAN  

射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

  • 　　當世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動下，基站無線電中的半導體器件數(shù)量急劇增加，移動網(wǎng)絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡的安裝和
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導體潛力無限

  • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計?！　∨c三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)

  • EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能。　　由于GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力。　　氮化鎵的導熱性相對較差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

氮化鎵集成方案如何提高功率密度

  • 　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅(qū)動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計

  • 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內(nèi)置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
  • 關鍵字： 意法半導體  GaN  功率變換器  

不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關

  • 　　過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍。　　當然，5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術(shù)，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧?！　《@里其實有一個有趣的事實：　　這項為5G手機帶來
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析

  • 根據(jù)阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進圖：資料來源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？

  • 　　氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來看看。　　氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  充電器  

PI打出芯片組合拳 解決家電快充應用

  • 　　2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC。　　據(jù)了解，HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內(nèi)部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅(qū)動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET，具有無損耗的電流檢測，同時集成有上
  • 關鍵字： PI  HiperLCS-2芯片組  HiperPFS-5  GaN  

ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
  • 關鍵字： SiC  GaN  ROHM   

ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
  • 關鍵字： ROHM  150V  GaN  HEMT  

半導體一周要聞3.7-3.11

  • 1. 提前預定五年產(chǎn)能，全球半導體硅片進入黃金期！根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
  • 關鍵字： 半導體  GaN  芯片  產(chǎn)能  

ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
  • 關鍵字： ST  GaN  SiC  
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