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東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機功率損耗

- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件(IPD)。該器件采用小型表面貼裝封裝,設計用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機驅(qū)動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造,與東芝當前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動帶方波輸入信號的無刷直流電機,無需PWM控制
- 關(guān)鍵字: IPD IGBT IC
Mentor 的 Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺獲得臺積電最新制程技術(shù)認證

- Mentor, a Siemens business 近日宣布,旗下系列IC設計工具獲得了臺積電(TSMC)業(yè)界領(lǐng)先的 N5 和 N6 制程技術(shù)認證。此外,Mentor 與 TSMC 的合作現(xiàn)已擴展到先進封裝技術(shù)領(lǐng)域, Mentor Calibre? 平臺的 3DSTACK 封裝技術(shù)將進一步支持 TSMC 的先進封裝平臺。TSMC 的 N5 和 N6 制程技術(shù)能夠幫助眾多全球領(lǐng)先的 IC 設計公司提高處理器的性能、縮小尺寸并降低功耗,從而更好地應對汽車、物聯(lián)網(wǎng)、高性能計算、5G 移動/基礎(chǔ)設施、AI等領(lǐng)域
- 關(guān)鍵字: TSMC IC AFS RF
Diodes公司推出業(yè)界首創(chuàng)符合汽車規(guī)格的ReDriver 可透過USB Type-C支持DisplayPort

- Diodes 公司近日宣布推出業(yè)界首創(chuàng)車用 10Gbps USB-C? DisplayPort? 替代 (DP-Alt) 模式線性 ReDriver? IC,符合 AEC-Q100 Grade 3 等級。DP-Alt 模式允許 DisplayPort 訊號透過 USB Type-C? 接頭傳輸。?PI3DPX1207Q 支持 8.1Gbps DP1.4 及 10Gbps USB 3.2 規(guī)格,可提供具備通透特性且與通訊協(xié)議無關(guān)的 ReDriver 能力,適合各種汽車產(chǎn)品應用,包括信息娛樂系統(tǒng)與儀
- 關(guān)鍵字: ADP IC
瑞薩電子推出面向工業(yè)4.0、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)傳感器應用的先進信號調(diào)節(jié)器IC

- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出ZSSC3240傳感器信號調(diào)節(jié)器(SSC)。作為瑞薩領(lǐng)先SSC產(chǎn)品組合的最新成員,ZSSC3240為電阻式壓力傳感器和醫(yī)用紅外溫度計等傳感器應用帶來了高精度、高靈敏度和靈活性。此款SSC新產(chǎn)品具有一流性能和速度,以及高達24位的模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)分辨率。憑借靈活的傳感器前端和廣泛的輸出接口,ZSSC3240可應用于幾乎所有類型的電阻式和絕對電壓傳感器元件,幫助客戶基于單個SSC設備開發(fā)完整的傳感平臺。上述性能配合小巧尺寸,使得ZSSC3240非常適用于
- 關(guān)鍵字: SSC ADC IC
貿(mào)澤即日起供應Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品

- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷商,貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ,適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商,致力于實現(xiàn)一個萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
- 關(guān)鍵字: MMIC GaN
IC Insights:全球芯片出貨量恐首度出現(xiàn)連續(xù)兩年衰退
- 研究機構(gòu)IC?Insights發(fā)布最新報告指出,預計2020年全球芯片出貨量將下降3%,這意味著繼去年衰退6%后,芯片出貨量在今年將再度陷入下滑的窘境。如果這一預測成真,這將是IC行業(yè)首度出現(xiàn)連續(xù)年度的出貨量下降?!C?Insights指出,從2013年到2018年,集成電路出貨量一直處于穩(wěn)定的增長軌跡。其中,2013年成長8%,2014年成長9%,2015年成長5%,2016年成長7%,2017年開始更創(chuàng)下雙位數(shù)成長達15%,2018年的成長10%,在歷經(jīng)2017年和2018年的雙
- 關(guān)鍵字: IC Insights 芯片
Maxim發(fā)布下一代SIMO電源管理IC,使可穿戴及耳戴式設備方案尺寸減半、電池壽命延長20%

- Maxim Integrated Products, Inc 近日宣布推出MAX77654單電感多輸出(SIMO)電源管理IC (PMIC),幫助消費類產(chǎn)品開發(fā)人員將方案尺寸減小50%,電池壽命延長20%。這款下新一代SIMO PMIC僅采用單個電感即可提供三路輸出,效率高達91%,比傳統(tǒng)的四芯片系統(tǒng)提高16%。由于方案尺寸大幅縮小,與傳統(tǒng)電源方案相比,系統(tǒng)設計者能夠在可穿戴、耳戴式及其他小尺寸消費類產(chǎn)品中集成更多功能。MAX77654基于Maxim Integrated的高可靠性SIMO PMIC專利技
- 關(guān)鍵字: SIMO IC
瑞森高P無頻閃IC降價再升級,重力出擊LED無頻閃市場!

- 導讀:近幾年,LED燈頻閃問題日漸備受關(guān)注。央視3·15稱,LED燈的“頻閃”問題會導致頭痛和眼疲勞、引發(fā)光敏性癲癇病、導致視力下降等問題。隨后不久,中共中央總書記、國家主席、中央軍委主席習近平作出重要指示指出,我國學生近視呈現(xiàn)高發(fā)、低齡化趨勢,嚴重影響孩子們的身心健康,這是一個關(guān)系國家和民族未來的大問題,必須高度重視,不能任其發(fā)展。2018年教育部等八部門印發(fā)《綜合防控兒童青少年近視實施方案》,將防控兒童青少年近視上升為國家戰(zhàn)略。為保護青少年視力,企校聯(lián)動,多地學校陸續(xù)將校園中的LED燈管更換成無頻閃L
- 關(guān)鍵字: IC 無頻閃
新移動時代下的IC設計

- 加速汽車IC設計周期自動駕駛汽車(AV)正在將我們推入一個全新的移動時代,為了滿足AV的高性能和低功耗要求,如今的SoC設計者需要為AI算法優(yōu)化定制的硅架構(gòu),使用傳統(tǒng)的設計方法十分耗費時間,于是HLS(高等級邏輯綜合)開始步入人們眼簾。HLS能夠使用SystemC或C++對設計功能進行高級描述,并將它們綜合到RTL中。在更高抽象層次上進行設計,通過將芯片功能規(guī)約與實現(xiàn)規(guī)約相分離,加速初始設計的完成?(圖1)。這種方式能將設計時間縮短至幾個月,所需代碼僅是傳統(tǒng)RTL流程的一半。在不影響設計進度的情
- 關(guān)鍵字: AV IC
EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵(GaN)功率晶體管及集成電路的播客系列

- 日前,宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容,更新了首7個、合共14個教程的視頻播客,與工程師分享采用氮化鎵場效應晶體管及集成電路的理論、設計基礎(chǔ)及應用,例如激光雷達、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
- 關(guān)鍵字: GaN 播客
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售,支持高密度電源轉(zhuǎn)換設計

- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能,可讓設計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率,適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字: GaN UVLO
氮化鎵(GaN)接替硅,支持高能效、高頻電源設計

- 在所有電力電子應用中,功率密度是關(guān)鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。對于新技術(shù)而言,GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)(硅)成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件,從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢,包括遠高于硅的電子遷移率(3.4eV對比1.1eV),這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
- 關(guān)鍵字: LDN GaN
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