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epc gan fet 文章 最新資訊

無線多協(xié)議SoC、NB-IOT模塊、GaN MOS等 世強打造節(jié)能便捷的無線智能照明系統(tǒng)

  • 　　目前在IoT應用領域中，“智能照明”已經(jīng)展現(xiàn)其巨大的市場發(fā)展?jié)摿?，其可用在家庭和商業(yè)領域、并結(jié)合室內(nèi)定位功能服務等創(chuàng)新應用，有望顛覆傳統(tǒng)照明市場，為相關開發(fā)業(yè)者帶來龐大商機。在近日舉辦的第27屆LED照明驅(qū)動暨智能照明技術研討會上，世強元件電商就攜手Silicon Labs帶來了多協(xié)議無線Mesh解決方案，包括Blue Gecko 組合、Mighty Gecko 組合等，助力中國照明企業(yè)加速智能照明應用落地?！　〔粌H如此，為了助力中國照明企業(yè)在無線智能照明領域快人一步，世強元件電商還早早在這一方面布局
  • 關鍵字： 世強  GaN  

半導體當下時代版本——GaN

  • 當你看到現(xiàn)在消費、通信，甚至工業(yè)設備越來越小時，功率卻越來越高，功能越來越豐富時，你是否有想過究竟是哪些技術的突飛猛進帶來的時下這一自帶濾鏡的世界？你可能會想到從印刷術到計算機；也可能會想到從手工制作到機械臂；或許你是熱衷科技的小能手，也會想到從CPU到GPU。不過這些都不是本編今天要給大家講的，本編今天要給大家講的是這些技術升級背后的故事——當下半導體材料的革命。
  • 關鍵字： GaN，汽車，消費  

SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品

  • 硅半導體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們?nèi)粘Ｉ钪械慕^大部分應用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
  • 關鍵字： 力特，SiC，GaN  

新一代功率器件動向：SiC和GaN

  • 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效。
  • 關鍵字： 安森美，SiC，GaN  

新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

  • 介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件，面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊，可穿戴設備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關新技術和熱門產(chǎn)品。
  • 關鍵字： SiC  GaN  電源管理  201804  

受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

  • 　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。 　　   　　此外，除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?。因此?/li>
  • 關鍵字： SiC  GaN  

對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡憑啥入選MIT2018十大突破性技術

  • 　　日前，《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術，“對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡”(GAN)赫然在列。 　　什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡?為什么它能入選MIT十大突破性技術?它的發(fā)展脈絡如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡有什么區(qū)別?能夠應用在人工智能的哪些場景?還有哪些關鍵問題有待攻克? 　　   　　中國自動化學會混合智能專委會副主任、中國人工智能學會機器學習專委會常委、復旦大學博士生導師張軍平教授在接受科技日報記者采訪時做了深入淺出的解釋。 　　故事中的GAN
  • 關鍵字： 對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡  GAN  

AI版“雙手互搏”有多牛？

  • 什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡?為什么它能入選MIT十大突破性技術?它的發(fā)展脈絡如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡有什么區(qū)別?能夠應用在人工智能的哪些場景?還有哪些關鍵問題有待攻克?
  • 關鍵字： AI  GAN  

GaN是5G最好選擇 手機端應用現(xiàn)實嗎？

  • 　　超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度，可實現(xiàn)頻率復用效率的巨大提升，并且?guī)砜捎^的容量增長，未來隨著基站數(shù)量的增加，基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預測，射頻前端的市場規(guī)模預估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。 　　Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉 　　有業(yè)內(nèi)分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
  • 關鍵字： GaN  5G  

慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構件領域的最新產(chǎn)品 都在世強

  • 　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
  • 關鍵字： SiC  GaN  

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

  • 　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
  • 關鍵字： TI  GaN  

2018年全球十大突破性技術是如何產(chǎn)生的？

  • 　　《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術”，這份全球新興科技領域的權威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。 　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone 　　入選理由：將機器學習工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播 　　重大意義：目前，人工智能的應用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術相結(jié)合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。 　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
  • 關鍵字： 機器學習  GAN  

氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

  • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 　　“不會游泳的時候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40V氮化鎵功率晶體管

  • 　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應用于負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、包絡跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅(qū)動器。?EPC2049晶體管的額定電壓為40?V、最大導通電阻為5?m?及脈沖輸出電流為175?A。　　與采用塑膠封裝的MOSFET相比，采用芯片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應晶體管的散熱性能好很多，這是由于使用芯片級封裝的氮化鎵器件可以直接把熱量散出至環(huán)境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)
  • 關鍵字： EPC  EPC2049  
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