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英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)(APEC)
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前,英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái),包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動(dòng)電源等開關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量,這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場開辟新的機(jī)會(huì)。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示:“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合,結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達(dá)成協(xié)議,將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu),與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下,松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定,兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止,沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合,雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù),硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日,德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成,使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息,敬請(qǐng)?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化,此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂,雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達(dá)成協(xié)議,將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu),與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下,松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定,兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止,沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù),硅基板Ga
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì)所向披靡嗎?

- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣認(rèn)為,畢竟,GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗),更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出,這就是GaN,無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 至少現(xiàn)在看是這樣,讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN:硅基、碳化硅(S
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EPC-9200工控主板在電動(dòng)汽車充電樁系統(tǒng)中的應(yīng)用

- 1. 方案背景 1、行業(yè)背景 我國政府順應(yīng)時(shí)代發(fā)展,超常規(guī)地、大力發(fā)展電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè),由此帶動(dòng)了新能源電動(dòng)汽車充電樁項(xiàng)目的蓬勃興起,在國內(nèi)各地電動(dòng)汽車充電站紛紛涌現(xiàn)! 充電樁是電動(dòng)力車的電站,其功能類似于加油站里面的加油機(jī)。每個(gè)充電樁都裝有充電插頭,充電樁可以根據(jù)不同的電壓等級(jí),為各種型號(hào)的電動(dòng)車充電。電動(dòng)汽車充電樁采用的是交、直流供電方式,需要特制的充電卡刷卡使用,充電樁顯示屏能顯示充電量、費(fèi)用、充電時(shí)間等數(shù)據(jù)。充電樁作為加油站、小區(qū)電動(dòng)汽車充電狀態(tài)的人機(jī)交互產(chǎn)品??蓪?shí)現(xiàn)計(jì)時(shí)充電和計(jì)
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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

- 氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過98%的效率。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
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EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機(jī)遇
- 功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn),而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司,他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品,并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
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基于場效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計(jì)

- 摘要:用場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)出有膽味的音頻功率放大器。前級(jí)采用單管、甲類,后級(jí)采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實(shí)驗(yàn)證明差分放大器使用的對(duì)管的一致性與整機(jī)的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看,末級(jí)電流200mA是理想值。 前后級(jí)間耦合電容對(duì)聽音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對(duì)于音頻功率放大器而言,最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果,由集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的前級(jí)聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級(jí)采用單管甲類放大器,后級(jí)采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
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用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

- 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源,不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī),當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)
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Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開關(guān)

- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開關(guān)每條通道最高電流可達(dá)到?4.5A?、總電流高達(dá)9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
- 關(guān)鍵字: Silego FET SLG59M1527V
導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率,半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場效應(yīng)電晶體(FET);其中,采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
- 關(guān)鍵字: Cascode GaN 場效應(yīng)管
英飛凌:GaN功率元件前景雖好,但采用為時(shí)尚早
- GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件,被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日,來自英飛凌的MarkMuenzer表示,其前景雖好,但是還沒到廣泛使用的時(shí)候,因它還有很多未被探索出來的部分。
- 關(guān)鍵字: GaN.功率元件
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