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走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡(jiǎn)單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過(guò)這一過(guò)程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
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GlobalFoundries 與中國(guó)代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級(jí) CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國(guó)采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過(guò)與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國(guó)為中國(guó)”戰(zhàn)略，首期將啟動(dòng)汽車級(jí) CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來(lái)自在中國(guó)有需求的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無(wú)需客戶重新開(kāi)發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來(lái)自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
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CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡(jiǎn)單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測(cè)的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開(kāi)始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
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全局快門(mén)CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺(jué)應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中，全局快門(mén)CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門(mén)機(jī)制——直接決定了能否無(wú)失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門(mén)在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來(lái)捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
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這一領(lǐng)域芯片，重度依賴臺(tái)積電

英特爾和三星正在研發(fā)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)的封裝技術(shù)，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺(tái)積電。大型語(yǔ)言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動(dòng)數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴(kuò)展。更強(qiáng)大的 LLM 模型推動(dòng)了需求，并需要更多的計(jì)算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機(jī)、CPU、存儲(chǔ)和 DRAM。目前，大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會(huì)更高。臺(tái)積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場(chǎng)份額。臺(tái)積電生產(chǎn)：Nv
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2D CMOS，下一個(gè)飛躍

二維材料憑借其原子級(jí)厚度和高載流子遷移率，提供了一種極具前景的替代方案。
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激光雷達(dá)掃壞CMOS，難道汽車都要變成“光棱坦克”了？

激光雷達(dá)，對(duì)于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻，它是自動(dòng)駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力，激光雷達(dá)能夠?qū)崟r(shí)生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖，精準(zhǔn)檢測(cè)并追蹤其他車輛、行人、障礙物等，為自動(dòng)駕駛決策系統(tǒng)提供精準(zhǔn)且可靠的數(shù)據(jù)支持，是保障自動(dòng)駕駛汽車安全行駛、實(shí)現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石，正推動(dòng)著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時(shí)，各位讀者有沒(méi)有想過(guò)，這些越來(lái)越多激光雷達(dá)，會(huì)逐漸開(kāi)始危害我們的財(cái)產(chǎn)安全，而首當(dāng)其沖的就是手機(jī)
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CMOS可靠性測(cè)試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，對(duì)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計(jì)算（HPC）等前沿技術(shù)的推動(dòng)下，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)中，應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)通常采用直流信號(hào)，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
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CMOS_Sensor國(guó)產(chǎn)替代到什么程度了？

攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設(shè)備的核心部件，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測(cè)等領(lǐng)域。以下是國(guó)內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點(diǎn)和代表性型號(hào)：從智能手機(jī)到自動(dòng)駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測(cè)，CIS的身影無(wú)處不在。隨著技術(shù)不斷演進(jìn)，CIS市場(chǎng)格局也在悄然變化。今天，我們就來(lái)一次全景掃描，盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢(shì)力。當(dāng)年最缺芯片的時(shí)候，我別的不擔(dān)心，最擔(dān)心買不到索尼的Sensor，結(jié)果一開(kāi)始我們用中國(guó)臺(tái)灣的可以替代
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圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多？成像性能必須排第一

當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時(shí)，圖像傳感器的選擇是設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)各種設(shè)備過(guò)程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機(jī)器人、條形碼掃描儀、工廠自動(dòng)化、設(shè)備檢測(cè)、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對(duì)眾多標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)雜的評(píng)估，每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動(dòng)態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣，錯(cuò)綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中，圖像傳感器可以說(shuō)是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，通過(guò)一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
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SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門(mén)轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域

3月7日消息，近日，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道，SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門(mén)，該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)無(wú)法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲(chǔ)和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢(shì)下，將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲(chǔ)部門(mén)聚合為一個(gè)整體，才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力。
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復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國(guó)內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor

onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測(cè)器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進(jìn)的汽車用感測(cè)器能以高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時(shí)捕捉低光與極高亮度的場(chǎng)景，其 2.1 μm 超級(jí)曝光像素能實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 dB 的動(dòng)態(tài)范圍，而無(wú)需進(jìn)行自動(dòng)曝光調(diào)整。這顯著降低了場(chǎng)景依賴的汽車關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲，實(shí)現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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國(guó)產(chǎn)無(wú)反相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

根據(jù)相機(jī)及影像產(chǎn)品協(xié)會(huì)（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國(guó)市場(chǎng)相機(jī)出貨量全球占比達(dá)到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場(chǎng)。在智能手機(jī)沖擊下曾一度遇冷的相機(jī)市場(chǎng)，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機(jī)。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟(jì)的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開(kāi)一條全新的消費(fèi)路徑。日本佳能副社長(zhǎng)、執(zhí)行董事小澤秀樹(shù)也表示，2023 年中國(guó)數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了 25% 的增長(zhǎng)，其中無(wú)反相機(jī)更是增長(zhǎng)了 31%，預(yù)計(jì) 2024 年這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù)，無(wú)反相機(jī)的增長(zhǎng)有望達(dá)到 35%。隨著近
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打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機(jī)全畫(huà)幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆

8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫(huà)幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CIS），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái)，與思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限。同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫(huà)幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門(mén)電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]