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因中國價(jià)格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計(jì)劃
- 根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報(bào)告，電動(dòng)汽車 （EV） 市場(chǎng)增長放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)過剩，導(dǎo)致價(jià)格下跌，據(jù)報(bào)道，這促使日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動(dòng)汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的計(jì)劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計(jì)劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團(tuán)隊(duì)。日經(jīng)新聞補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)與中國競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將在中長期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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中國最大碳化硅工廠點(diǎn)火，可供應(yīng)本地30%需求，Wolfspeed壓力很大
- 據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財(cái)全球》和IT之家報(bào)道，據(jù)報(bào)道，美國碳化硅 （SiC） 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的激烈競(jìng)爭(zhēng)中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應(yīng)該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報(bào)告稱，一個(gè) SiC 晶圓模型的車載測(cè)試最快將于下個(gè)月開始，而另外近 10 個(gè)模型已經(jīng)在驗(yàn)證中。不久之后將進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點(diǎn)是功率器件，計(jì)劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財(cái)國際補(bǔ)充說，這足以支持超過 1
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應(yīng)交易面臨風(fēng)險(xiǎn)
- 據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請(qǐng)第 11 章破產(chǎn)保護(hù)。報(bào)告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評(píng)估其戰(zhàn)略計(jì)劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會(huì)受到影響，因?yàn)槠渑c Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預(yù)付款 10 年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。報(bào)告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國破產(chǎn)法第 11 章申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，瑞薩電子可能
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受激進(jìn)定價(jià)和疲軟需求打擊 Wolfspeed將在幾周內(nèi)申請(qǐng)破產(chǎn)
- 據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》和路透社報(bào)道，面對(duì)來自快速擴(kuò)張的中國競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的激烈競(jìng)爭(zhēng)以及工業(yè)和汽車市場(chǎng)的疲軟需求，據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 正準(zhǔn)備在幾周內(nèi)申請(qǐng)破產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，受約 65 億美元債務(wù)的拖累，這家美國碳化硅巨頭也在努力應(yīng)對(duì)持續(xù)的與關(guān)稅相關(guān)的不確定性，這給本已緊張的業(yè)務(wù)增加了更多壓力。3 月下旬，該公司在一份新聞稿中表示，它正在探索有關(guān)其可轉(zhuǎn)換票據(jù)的替代方案，并仍在與包括 Apollo 和 Renesas 在內(nèi)的貸方進(jìn)行對(duì)話。但報(bào)道稱，隨著這些談判的破裂，Wolfspeed 在拒絕了多項(xiàng)庭外重組提議后，現(xiàn)在正
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CHIPS 法案、電動(dòng)汽車關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機(jī)
- 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴(yán)峻的現(xiàn)金危機(jī)。作為車用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經(jīng)濟(jì)低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進(jìn)增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護(hù)。“作為我們貸方談判的一部分，我們可能會(huì)選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費(fèi)爾 （Robert Feurle） 說。據(jù)報(bào)道，資產(chǎn)管理公
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
- 簡(jiǎn)介本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。市場(chǎng)上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
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第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
- 簡(jiǎn)介本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。市場(chǎng)上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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Wolfspeed得州廠關(guān)閉并掛牌出售
- 1月16日消息，美國芯片制造商Wolfspeed將其位于達(dá)拉斯郊外的得州工廠掛牌出售。該工廠所在數(shù)據(jù)中心通過Loopnet掛牌，價(jià)格未公布，含四棟建筑，是26英畝企業(yè)科技園區(qū)一部分，且四棟建筑不可單獨(dú)出售。其中A棟為半導(dǎo)體制造廠，設(shè)有實(shí)驗(yàn)室、工廠車間和辦公空間；B、D棟分別是辦公空間與倉庫，G樓數(shù)據(jù)中心可擴(kuò)展至28MW，設(shè)施配備多臺(tái)變壓器、柴油發(fā)電機(jī)及UPS。Wolfspeed在2025年第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議表明，公司旨在為簡(jiǎn)化業(yè)務(wù)，專注200毫米碳化硅晶圓，因150mm晶圓需求下降，得州工廠關(guān)閉致75人
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Wolfspeed擬獲美商務(wù)部7.5億美元撥款
- 10月16日消息，美國半導(dǎo)體開發(fā)商和制造商Wolfspeed當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月15日宣布，已經(jīng)與美國商務(wù)部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），美國商務(wù)部擬根據(jù)《芯片和科學(xué)法案》直接提供高達(dá)7.5億美元的資金。此外，由阿波羅、包普斯特集團(tuán)（The Baupost Group）、富達(dá)管理與研究公司（Fidelity Management & Research Company）和資本集團(tuán)（Capital Group）牽頭的投資基金財(cái)團(tuán)已同意向Wolfspeed公司提供額外的7.5億美元新融資。另
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久旱逢甘霖，SiC 晶圓巨頭 Wolfspeed 同美國政府簽署 7.5 億美元補(bǔ)貼備忘錄
- 10 月 16 日消息，美國商務(wù)部當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布同碳化硅晶圓巨頭、8 英寸 SiC 晶圓領(lǐng)軍企業(yè) Wolfspeed 簽署一份不具約束力的初步條款備忘錄，擬根據(jù)美國《CHIPS》法案提供最高 7.5 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 53.46 億元人民幣）的直接資金支持。這筆補(bǔ)貼將用于支持 Wolfspeed 在北卡羅來納州 Siler City 建設(shè) John Palmour 碳化硅制造中心并擴(kuò)建 Wolfspeed 位于紐約州 Marcy 的現(xiàn)有碳化硅器件制造工廠?！?nbsp;John Palmou
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EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案
- 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)
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EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案
- 幾十年來，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開關(guān)，便能暢通無阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬戶。然而，隨著太陽能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)候
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
- 由于功率模塊的設(shè)計(jì)和幾何形狀可以實(shí)現(xiàn) EMI 建模，從而使設(shè)計(jì)人員能夠在設(shè)計(jì)流程的早期預(yù)測(cè)和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì)迅速改變狀態(tài)。開、關(guān)狀態(tài)間
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設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī)
- 電動(dòng)汽車（EV）直流快速充電機(jī)繞過安裝在電動(dòng)汽車上的車載充電機(jī)，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機(jī)的主要關(guān)注點(diǎn)。在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí)，必須考慮器件選型、電壓范圍和負(fù)載要求、運(yùn)行成本、溫度、堅(jiān)固性和環(huán)境保護(hù)，以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導(dǎo)通損耗更小、漏電流
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總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂
- 據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動(dòng)具有重要
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