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R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能(TSD)

作者: 時(shí)間:2025-06-11 來源:羅姆半導(dǎo)體 收藏

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本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202506/471258.htm

BM6337xS系列 配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的 T j 達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路將啟動(dòng),會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的,并輸出FO信號(hào)。

在TSD已啟動(dòng)的情況下,由于的 T j 已超過150°C的絕對(duì)最大額定值,因此需要更換。

該功能監(jiān)控的 T j 為L(zhǎng)VIC芯片的 T j ,無法跟上芯片的急劇溫升,因此,在 T j 急劇上升的情況下,該功能無法有效發(fā)揮作用,這一點(diǎn)需要注意。

本文將介紹第三個(gè)功能——“功能”。請(qǐng)注意,該保護(hù)功能僅適用于BM6337xS系列。BM6357xS系列未配 備該功能。

· 短路電流保護(hù)功能(SCP)

· 控制電源欠壓誤動(dòng)作防止功能(UVLO)

· 功能 (TSD) *僅限BM6337xS系列

· 模擬溫度輸出功能(VOT)

· 錯(cuò)誤輸出功能(FO)

· 控制輸入(HINU、HINV、HINW、LINU、LINV、LINW)

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IGBT基礎(chǔ)

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01

功能(TSD)

BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver,低邊柵極驅(qū)動(dòng)器)溫度的熱關(guān)斷電路。當(dāng)LVIC的溫度達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路會(huì)啟動(dòng),會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT,并輸出FO信號(hào)。

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02

熱關(guān)斷保護(hù)功能的工作時(shí)序

下面是內(nèi)置于LVIC的LVCC熱關(guān)斷保護(hù)功能的工作時(shí)序圖。d1~d7的工作說明是時(shí)序圖中對(duì)應(yīng)編號(hào)處的動(dòng)作。

d1:正常工作過程中,IGBT導(dǎo)通時(shí)流過輸出電流Ic

d2:當(dāng)LVIC的T j 上升時(shí),在T SDT 處保護(hù)工作開始

d3:關(guān)斷下側(cè)橋臂各相的IGBT(無論LIN輸入如何都關(guān)斷)

d4:輸出FO(180μs(Min)),TSD=H期間180μs以內(nèi)時(shí)。當(dāng)TSD=H期間為180μs以上時(shí),在TSD=H的T j 下降至T SDT -T SDHYS 的期間輸出FO(FO=L)

d5:當(dāng)LVIC的T j 下降時(shí),在T SDT -T SDHYS 處釋放

d6:即使在LIN=H(虛線)時(shí)被釋放,直到下一個(gè)LIN上升沿,IGBT仍保持關(guān)斷狀態(tài)。(通過對(duì)各相的LIN輸入使各相逐一恢復(fù)為正常狀態(tài))

d7:正常工作。IGBT導(dǎo)通,并流過輸出電流Ic

下面是安裝IGBT 時(shí)熱量向內(nèi)部LVIC芯片的傳遞路徑示意圖。IGBT芯片產(chǎn)生的熱量有兩條傳導(dǎo)路徑,一條是經(jīng)由鍵合線傳導(dǎo)至LVIC芯片;另一條是經(jīng)由芯片焊盤、封裝背面的散熱墊以及散熱器,再回到封裝樹脂。

注意事項(xiàng)

· 如果TSD功能啟動(dòng)并輸出錯(cuò)誤信號(hào),需要立即停止運(yùn)行,以免出現(xiàn)異常狀態(tài)。

· 當(dāng)因錯(cuò)誤輸出而停止運(yùn)行時(shí),如果這是由冷卻系統(tǒng)異常(如散熱器松動(dòng)或脫落、冷卻風(fēng)扇異常停止)引起的,則很可能會(huì)觸發(fā)TSD并輸出錯(cuò)誤信號(hào)。此時(shí),因?yàn)镮GBT芯片的結(jié)溫已超過150°C絕對(duì)最大額定值,所以需要更換。

· 該功能所監(jiān)控的結(jié)溫是低邊IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器芯片(LVIC)的溫度。請(qǐng)注意,因無法跟上IGBT芯片的急劇溫升,在諸如電機(jī)堵轉(zhuǎn)或過電流這類的結(jié)溫急劇上升的情況下,該功能無效。



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