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mos管 文章 最新資訊

【詳細實用】中文圖解功率MOS管的每一個參數(shù)!

  • 第一部分 靜態(tài)非理想特性幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結(jié)構(gòu)去分析MOSFET基于半導體特性的各種結(jié)構(gòu)，然后闡述這些結(jié)構(gòu)導致其參數(shù)的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們再通過微觀結(jié)構(gòu)去理
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

什么是MOS的體效應（body bias）

  • 通常，我們將MOS管視為一個三端器件，包括柵極、源極和漏極。然而，襯底是其隱藏的第四個端子。下圖為一個nMOS，g、s、d、b分別代表柵極、源極、漏極和襯底。上圖為以nMOS為例，簡述其關斷、線性區(qū)和飽和的條件絕大多數(shù)情況下，設計將襯底和源極連在一起，但是有時候出于性能考慮（如在芯片工作模式下實現(xiàn)高Ion和在芯片睡眠模式下實現(xiàn)低Ioff）會通過施加體偏置來動態(tài)調(diào)整晶體管的閾值電壓。大多數(shù)情況下我們將閾值電壓（Vt）視為常數(shù)。然而，Vt隨源極電壓的增加而增加，隨襯底電壓的增加而減小，隨漏極電壓的增加而減小，
  • 關鍵字： MOS管  體效應  模擬電路  

MOS管防反接電路設計

  • 電子元件大都是使用直流工作，電源線反接就有可能就會燒壞，那電路如何防反接？首當其沖我們想到的就是二極管了，運用其單向?qū)ㄌ匦钥捎行Х乐闺娫捶唇佣鴵p壞電路，但是隨之而來的問題是二極管存在PN節(jié)電壓，通常在0.7V左右，低電流是影響不明顯，但流過大電流時，如流過1A電流其會產(chǎn)生0.7W的功耗，0.7W的功耗發(fā)熱對元件本身及周邊元件的可靠性是個非常大的考驗?？梢姸O管防反接最大問題是管壓降，越低損耗就越小。在晶體管中導通壓降最低的就屬場效應管了，就是我們平常叫的MOS管，那如何運用MOS管這一優(yōu)良特性設計防反接
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？

  • 一、MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。二、MOS管被擊穿的原因及解決方案？第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  ESD  

南芯科技推出內(nèi)置MOS管的高集成度升降壓充電芯片

  • 近日，南芯科技宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應用進行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。集成MOS方案，兼具三大亮點在傳統(tǒng)升降壓控制器搭配外置 MOS 的方案中，由于布板限制，PCB 走線往往過長，導致功率管驅(qū)動速率受
  • 關鍵字： 南芯科技  MOS管  升降壓充電芯片  

MOS管防護電路解析

  • 功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面：1）防止柵極 di/dt過高：由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個電阻(R509)，電阻的大
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

MOS管GS電阻有什么作用？

  • MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅(qū)動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  模擬電路  

MOS管又毀了？看看是不是這些原因

  • MOS管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導體材料由于高溫而分解）。更具體的故障包括柵極和管芯其余部分之前的極薄氧化物擊穿，這可能發(fā)生在相對于漏極或者源極的任何過量柵極電壓中，可能是在低至10V-15V 時發(fā)生，電路設計必須將其限制在安全水平；還有可能是功率過載，超過絕對最大額定值和散熱不足，都會導致MOS管發(fā)生故障。接下來就來看看所有可能導致失效的原因。01. 過電壓MOS管對過壓的耐受性非常小，即使超出額定電壓僅幾納秒，也可能導致
  • 關鍵字： MOS管  

主副電源，MOS管自動切換電路分析

  • 先看一下這個電路：USB外接電源與鋰電池自動切換電路設計如果主副輸入電壓相等，同時要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎么設計？這個電路巧妙的利用了MOS管導通的時候低Rds的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情況下，極大的提高了效率。本電路實現(xiàn)了，當Vin1 = 3.3V時，不管Vin2有沒有電壓，都由Vin1通過Q3輸出電壓，當Vin1斷開的時候，由Vin通過Q2輸出電壓。因為選用MOS管的Rds非常小，產(chǎn)生的壓降差不多為數(shù)十mV，所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
  • 關鍵字： 電源  MOS管  電路設計  

一個高溫引發(fā)的悲劇，你永遠想象不到用戶把你的產(chǎn)品用在哪里？

  • 曾經(jīng)的我呢還一個單純的小攻城獅，當自己設計完的電路板通過了功能測試、性能測試、環(huán)境實驗后，我就可以開開心心的玩耍了，但是永遠也想想不到用戶會把你的產(chǎn)品用在什么地方（客戶你們考慮過產(chǎn)品的感受嗎）。具體是這樣的一個很簡單的串口RS485電路，具體電路如下圖所示，用了這個電路后就不要單獨信號去管理485芯片的收發(fā)分時了（是不是很方便，我也這么想的）。問題就是出現(xiàn)這這個電路上，我們做環(huán)境實驗的時候是在55度做的一點點問題都木有，該收收該發(fā)發(fā)，但是一到了用戶那里工作一小會就掛了，啥也木的了，經(jīng)過本人的現(xiàn)場排查（踩點
  • 關鍵字： 開關電路  MOS管  

MOS管常見的幾種應用電路

  • 一、開關和放大器MOS管最常見的電路可能就是開關和放大器。1. 開關電路G極作為普通開關控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區(qū)，具體仿真結(jié)果可在上節(jié)文章看到。二、時序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2?？梢钥吹叫酒?的使能端初始連接VCC為高電平，當芯片1輸出高電平后，(關注公眾號：硬件筆記本）MOS管導通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開始正常工作。這時MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

8種開關電源MOS管的工作損耗計算

  • MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導通損耗Pon導通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。導通損耗計算：先通過計算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過如下電阻損耗計算式計算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說明：計算 IDS(on)rms 時使用的時期僅是導通時間 Ton ，而不是整個工作周期 Ts ；RDS(
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

MOS管開關電路設計，用三極管控制會燒壞？

  • 三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
  • 關鍵字： 三極管  MOS管  電路設計  

MOS管開關電路設計，用三極管控制會容易燒壞？

  • 三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
  • 關鍵字： MOS管  開關電路設計  三極管  

MOS管及其外圍電路設計

  • Warning: getimagesize(): SSL: connection timeout in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2070 Warning: getimagesize(): Failed to enable crypto in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/control
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。 　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]

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