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MOS管在LED非隔離器中的應(yīng)用方案

MOS管在LED非隔離電源中調(diào)節(jié)亮度和電流，確保LED穩(wěn)定工作并延長(zhǎng)壽命。它作為開關(guān)元件、電流驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)器，提高電源穩(wěn)定性和安全性。選型時(shí)需注意額定電壓、電流、導(dǎo)通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品，具有穩(wěn)定性和可靠性，適用于LED非隔離電源等場(chǎng)景。MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）被廣泛應(yīng)用于LED中，主要用于調(diào)節(jié)LED的亮度和電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)LED的高效控制。在LED非隔離電源的應(yīng)用方案中，MOS管（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管）扮演著關(guān)鍵性角色，提升LED非隔離電源的穩(wěn)定性和安全性。LED非隔離設(shè)計(jì)
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MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案

LED汽車燈采用LED技術(shù)，提供外部照明和舒適光源。設(shè)計(jì)中需解決熱極限、EMC等挑戰(zhàn)。有源紋波補(bǔ)償Buck電路是關(guān)鍵，可提升LED驅(qū)動(dòng)電源的可靠性與壽命。選擇適合的MOSFET可降低開關(guān)損耗，提高電源效率。選型時(shí)考慮功率、電壓、電流承受、開關(guān)速度、熱特性和封裝類型。微碧半導(dǎo)體的MOSFET產(chǎn)品具有卓越性能和可靠性，為汽車LED驅(qū)動(dòng)提供解決方案。摘要由作者通過智能技術(shù)生成有用MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案LED汽車燈已成為車輛照明領(lǐng)域的一大亮點(diǎn)，其采用LED技術(shù)，既能提供外部照明，又能為車內(nèi)帶來舒適的光
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MOS管驅(qū)動(dòng)電流估算

例：FDH45N50F如下參數(shù)：有人可能會(huì)這樣計(jì)算：開通電流帶入數(shù)據(jù)得關(guān)斷電流帶入數(shù)據(jù)得于是乎得出這樣的結(jié)論，驅(qū)動(dòng)電流只需 250mA左右即可。仔細(xì)想想這樣計(jì)算對(duì)嗎？這里必須要注意這樣一個(gè)條件細(xì)節(jié)，RG=25Ω。所以這個(gè)指標(biāo)沒有什么意義。應(yīng)該怎么計(jì)算才對(duì)呢？其實(shí)應(yīng)該是這樣的，根據(jù)產(chǎn)品的開關(guān)速度來決定開關(guān)電流。根據(jù)I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數(shù)據(jù)，和我們線路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時(shí)候，Qg=105nC。如果用1A的
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MOS管基礎(chǔ)及選型指南

MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。▉ 場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也
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MOS管的三個(gè)極怎么判定？

相信很多工程師在使用電子測(cè)量?jī)x器的時(shí)候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三個(gè)極怎么判定？MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳，辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方：G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2. 是N溝道還是P溝道？三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當(dāng)然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個(gè)腳極性。判斷溝道之后，再判斷三個(gè)腳極性。3. 寄生二極管的方向如何判定？接下來，是寄生二極管的方向判斷：它的
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MOS驅(qū)動(dòng)好不好，波形一看就知道

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動(dòng)波形?；A(chǔ)知識(shí)一般認(rèn)為三極管是電流驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)三極管，要在基極提供一定的電流。一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。實(shí)際是這樣嗎？由于MOS管的制作工藝，決定了本身GS之間有結(jié)電容以及GD之間有彌勒電容，DS也有寄生電容，這使得MOS管的驅(qū)動(dòng)變得不那么簡(jiǎn)單。備注：如下圖為軟件繪制，示意圖僅供參考，便于理解。1、MOS正常驅(qū)動(dòng)波形描述：MOS一般是慢開快關(guān)，上升沿相
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MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)最常用的方法

MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通；2、若使用NMOS當(dāng)上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓，因?yàn)镾極對(duì)地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時(shí)為低電平，導(dǎo)通時(shí)接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是
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為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度？如何解決這個(gè)問題？

今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動(dòng)有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)，我們就以這個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷，通常電壓會(huì)比開通時(shí)高，所以關(guān)斷的損失也會(huì)比開通時(shí)大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢？咱們看看這張圖在mos管開通時(shí)，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí)，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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MOS管的導(dǎo)通條件和MOS驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算

**1. 關(guān)于MOS管的極限參數(shù)說明：**在以上圖中，我們需要持續(xù)關(guān)注的參數(shù)主要有：a. **ID（持續(xù)漏極電流）**：該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值，在設(shè)計(jì)中，產(chǎn)品的實(shí)際通過電流值應(yīng)遠(yuǎn)小于該值，至少應(yīng)小于1/3以下，例：該mos管的使用持續(xù)電流應(yīng)小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數(shù)是指設(shè)計(jì)中，實(shí)際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應(yīng)大于該值。所以該值的很大程度取決于mos管中實(shí)際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實(shí)際
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOS管就會(huì)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)過程中，會(huì)存在一個(gè)米勒平臺(tái)。米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響?！?查看電源IC手冊(cè)的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的?！?了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達(dá)
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MOS管系列在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。一、前言服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標(biāo)準(zhǔn)使用較為普遍，主要用于臺(tái)式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器；而SSI標(biāo)準(zhǔn)是隨著服務(wù)器技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生的，適用于各種檔次的機(jī)架式服務(wù)器。二、產(chǎn)品應(yīng)用及工作原理
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MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行

MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。MOS管被擊穿的原因及解決方案？· MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？

關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？對(duì)于一個(gè)
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]