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ST宣布擴大新加坡"廠內(nèi)實驗室"項目，推進"壓電MEMS"開發(fā)應(yīng)用

  • ●? ?新一期廠內(nèi)實驗室合作項目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學(xué) (NUS)的合作項目●? ?此為新加坡半導(dǎo)體行業(yè)迄今為止最大的公私研發(fā)合作項目之一●? ?專注于推進壓電 微電機系統(tǒng)（MEMS） 技術(shù)產(chǎn)品在個人電子產(chǎn)品、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (
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英特爾將在愛爾蘭工廠大批量生產(chǎn)3nm芯片

  • 據(jù)外媒報道，英特爾確認(rèn)將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節(jié)點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能將全面轉(zhuǎn)至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據(jù)介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯(lián)電合作開發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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芯科科技EFR32ZG28 SoC技術(shù)解析與應(yīng)用展望

  • 在智能家居、工業(yè)自動化、智慧城市等場景快速發(fā)展的今天，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備正面臨著三大核心挑戰(zhàn)：多協(xié)議兼容性、超低功耗設(shè)計以及數(shù)據(jù)安全防護。傳統(tǒng)單頻段芯片難以滿足設(shè)備在復(fù)雜環(huán)境中的通信需求，而日益增長的網(wǎng)絡(luò)攻擊風(fēng)險則對硬件級安全提出了更高要求。Silicon Labs（芯科科技）推出的EFR32ZG28系列無線SoC正是為破解這些難題而生。這款芯片創(chuàng)造性地將Sub-1GHz頻段與2.4GHz BLE雙頻通信集成于單晶圓，支持從169MHz到960MHz的廣域Sub-GHz通信，以及藍牙5.2標(biāo)準(zhǔn)。這種架構(gòu)不僅解決了
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物聯(lián)網(wǎng)無線通信技術(shù)的革新者：EFR32MG26無線SoC深度解析

  • 技術(shù)背景：物聯(lián)網(wǎng)時代的無線通信挑戰(zhàn)與突破在萬物互聯(lián)的時代背景下，智能家居、工業(yè)自動化、智慧城市等場景對無線通信技術(shù)提出了更高要求。設(shè)備需要同時滿足低功耗、多協(xié)議兼容、高安全性以及強大的邊緣計算能力，這對傳統(tǒng)無線芯片架構(gòu)構(gòu)成了巨大挑戰(zhàn)。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列無線SoC（系統(tǒng)級芯片）正是針對這些需求應(yīng)運而生的創(chuàng)新解決方案。作為專為物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備設(shè)計的無線通信平臺，EFR32MG26在單芯片內(nèi)集成了ARM Cortex-M33處理器、高性能射頻模塊和AI加速單元，支持Matter、
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新一代物聯(lián)網(wǎng)無線通信模組的技術(shù)革新與應(yīng)用藍圖

  • 在萬物互聯(lián)的時代浪潮下，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備正朝著更智能、更節(jié)能、更安全的方向演進。傳統(tǒng)無線通信技術(shù)受限于功耗、協(xié)議兼容性及安全性等問題，難以滿足智能家居、工業(yè)傳感、醫(yī)療健康等場景的嚴(yán)苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917無線模組，以Wi-Fi 6與藍牙5.4雙協(xié)議融合為核心，結(jié)合Matter標(biāo)準(zhǔn)支持，重新定義了超低功耗物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的可能性。技術(shù)突破：重新定義無線通信的能效邊界SiWG917的技術(shù)革新始于其獨特的雙核架構(gòu)設(shè)計。模組內(nèi)部集成ARM Cortex-M4應(yīng)用處理器與多線程網(wǎng)絡(luò)無線處理器（NWP
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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
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Intel出售愛爾蘭工廠49%股份：獲110億美元緩解財務(wù)壓力

  • 6月6日消息，據(jù)媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規(guī)模擴張計劃引入更多外部資金，同時緩解公司的財務(wù)壓力。根據(jù)英特爾的聲明，通過此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關(guān)實體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對工廠的控股權(quán)。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片制造工廠，對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
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X-Fab增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設(shè)備到廠

  • 據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設(shè)備到廠，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導(dǎo)體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當(dāng)時消息稱，新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開始量產(chǎn)，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及
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X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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芯科科技Si7210系列霍爾效應(yīng)磁性傳感器

  • 霍爾效應(yīng)磁性傳感器，也稱為霍爾傳感器，是一種基于霍爾效應(yīng)原理制作而成的磁場傳感器。霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，由美國物理學(xué)家Edvin Hall于1879年發(fā)現(xiàn)?；魻杺鞲衅骶哂泄ぷ黝l帶寬、響應(yīng)快、體積小、靈敏度高、無觸點、便于集成化、多功能化等優(yōu)點，而且便于與計算機等其他設(shè)備連接?；魻杺鞲衅鞯墓ぷ髟硎?，當(dāng)一個有電流的物體被放置在磁場中時，如果電流方向和磁場方向相互垂直，則在同時垂直于磁場和電流方向的方向上會產(chǎn)生橫向電位差，這個現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng)，由此產(chǎn)生的電位差稱為霍爾電壓。霍爾傳感器就是基于這個原理制作的
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芯科科技：推動Matter標(biāo)準(zhǔn)，引領(lǐng)智能家居未來

  • 隨著2023年的波折逐漸平息，2024年的半導(dǎo)體市場正迎來更加充滿不確定性的挑戰(zhàn)。電子產(chǎn)品世界有幸采訪到了芯科科技家居和生活業(yè)務(wù)高級營銷總監(jiān)Tom Nordman，就公司的發(fā)展?fàn)顩r、市場波動、技術(shù)應(yīng)用及未來展望等方面進行了深入探討。 芯科科技家居和生活業(yè)務(wù)高級營銷總監(jiān)，Tom NordmanTom Nordman首先回顧了芯科科技在2023年的整體發(fā)展。他表示，近年來物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展，并且在未來很長一段時間內(nèi)保持向上發(fā)展的態(tài)勢。智能家居作為物聯(lián)網(wǎng)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一，雖然因地產(chǎn)行業(yè)近期相對低迷，導(dǎo)致
  • 關(guān)鍵字： 芯科科技  Silicon Lab  智能家居  Matter  

格科微發(fā)布系列5000萬像素圖像傳感器

  • 12月22日，科創(chuàng)板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式.JPG以讓世界看見中國的創(chuàng)新為使命，格科微經(jīng)過二十年的發(fā)展，成功實現(xiàn)了從Fabless到Fab-Lite的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，迎來了歷史最佳的經(jīng)營局面。值此良機，格科微高端產(chǎn)品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產(chǎn)品，為未來加速核心技術(shù)產(chǎn)品化，邁向嶄新的發(fā)展階段奠定了基礎(chǔ)。整個活動，政府領(lǐng)
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