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外媒:臺積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產(chǎn)設(shè)備

  • 據(jù)國外媒體報道,在芯片制造工藝方面走在行業(yè)前列的芯片代工商臺積電,在2018年率先量產(chǎn)7nm芯片之后,今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片,外媒此前的報道顯示,臺積電今年4月份就將開始為相關(guān)客戶大規(guī)模生產(chǎn)5nm芯片。在7nm投產(chǎn)已兩年、5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,臺積電也將注意力放在了更先進(jìn)的3nm工藝上。在最新的報道中,外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息,其表示今年10月份,臺積電就將開始安裝生產(chǎn)3nm芯片的設(shè)備。3nm工藝是5nm之后,芯片制造工藝的一個重要節(jié)點。在2019年第四季度的財報分析師電話會
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面向3nm及以下工藝,ASML新一代EUV光刻機(jī)曝光

  • 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產(chǎn),與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續(xù)的研發(fā)當(dāng)中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機(jī)才能實現(xiàn)。而目前全球只有一家廠商能夠供應(yīng)EUV光刻機(jī),那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機(jī)主要是NXE:340
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微博大V曝光驍龍865 Plus:暫定今年Q3上市

  • 近日,知名數(shù)碼博主@數(shù)碼閑聊站 在微博曝光了高通旗艦新U——驍龍865 Plus。
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互聯(lián)汽車數(shù)據(jù)初創(chuàng)公司wejo推出Neutral Server Plus 并與戴姆勒合作

  • 據(jù)外媒報道,英國互聯(lián)汽車數(shù)據(jù)初創(chuàng)公司wejo發(fā)布了Neutral Server Plus(中立服務(wù)器Plus),并宣布與戴姆勒進(jìn)行合作。戴姆勒是首家從此項服務(wù)中受益的汽車制造商。wejo在互聯(lián)汽車數(shù)據(jù)市場頗具優(yōu)勢,僅在美國,其平臺就有超過1000萬輛汽車,此次合作將擴(kuò)大該公司在歐洲的數(shù)據(jù)采集能力。
  • 關(guān)鍵字: Wejo  Neutral Server Plus  戴姆勒  

互聯(lián)汽車數(shù)據(jù)初創(chuàng)公司wejo推出Neutral Server Plus 并與戴姆勒合作

  • 據(jù)外媒報道,英國互聯(lián)汽車數(shù)據(jù)初創(chuàng)公司wejo發(fā)布了Neutral Server Plus(中立服務(wù)器Plus),并宣布與戴姆勒進(jìn)行合作。戴姆勒是首家從此項服務(wù)中受益的汽車制造商。wejo在互聯(lián)汽車數(shù)據(jù)市場頗具優(yōu)勢,僅在美國,其平臺就有超過1000萬輛汽車,此次合作將擴(kuò)大該公司在歐洲的數(shù)據(jù)采集能力。
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首款X55+855 Plus旗艦 一加7T Pro 5G邁凱倫定制版亮相

Intel最新制程路線圖曝光:10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm

  • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方,而是荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎(chǔ)上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm規(guī)劃均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下:在IEDM(IEEE國際電子設(shè)備會議上),有合作伙伴披露了一張?zhí)柗Q是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖,14nm之后的節(jié)點一覽無余,甚至推進(jìn)到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前,10nm已經(jīng)投產(chǎn),7nm處于開發(fā)階段,5nm處于技術(shù)指標(biāo)定義階段,3nm處于探索、先導(dǎo)階
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  10nm  7nm  5nm  3nm  

三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展,其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進(jìn)度都會比臺積電要晚一些,導(dǎo)致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單,三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上,預(yù)計2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點,三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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魯大師7月新機(jī)性能榜公布:ROG游戲手機(jī)2排第二名

紫光展銳登頂AI排行榜榜首 AI性能超驍龍855 plus

  • 今天, AI Benchmark公布了最新的AI芯片性能榜單,紫光展銳虎賁T710躍居榜首,總分達(dá)到了28097,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了高通新發(fā)布的驍龍855 plus和華為麒麟810。AI benchmark是蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院推出的AI性能測試榜單,對各大芯片的AI性能有較為專業(yè)的測評方式,能夠讓廣大消費者更加量化的感受到AI性能。評測包括圖像分類、人臉識別、圖像超分辨率以及圖像增強、分割、去模糊在內(nèi)的九項測試,測試結(jié)果對AI體驗有直接意義。從公布的排行數(shù)據(jù)看到,紫光展銳虎賁T710遙遙領(lǐng)先。事實上,今年4月份,
  • 關(guān)鍵字: 紫光展銳虎賁T710  驍龍855 plus  AI benchmark  蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院  

臺積電:3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導(dǎo)體工藝上,臺積電一直十分激進(jìn),7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn),5nm馬上就來,3nm也不遠(yuǎn)了。臺積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露,臺積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利,已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來,與臺積電一起進(jìn)行技術(shù)定義,3nm將在未來進(jìn)一步深化臺積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前,3nm工藝仍在早期研發(fā)階段,臺積電也沒有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié),以及性能、功耗指標(biāo),比如相比5nm工藝能提升多少,只是說3nm將是一個全新的工藝節(jié)點,而不是5nm的改進(jìn)版。臺積電只是說,已經(jīng)評估了3n
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性能提升15%!ROG游戲手機(jī)2代將首發(fā)驍龍855 Plus

  • 高通今晚正式發(fā)布驍龍855 Plus處理器,CPU最高主頻從2.84GHz提速到2.96GHz(幅度4%)、Adreno 640 GPU的頻率從585MHz提高到672MHz(幅度15%),其它基本不變??雌饋?,驍龍855 Plus就是“雞血版”驍龍855,類似于驍龍850之于驍龍845、驍龍821之于驍龍820。按照高通的說法,驍龍855 Plus目標(biāo)游戲手機(jī)和那些準(zhǔn)備接入5G的設(shè)備,下半年商用。隨后,華碩跟進(jìn)表示,將成為首家使用驍龍855 Plus芯片的廠商。經(jīng)查,ROG玩家國度官微也確認(rèn),定于7月2
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國產(chǎn)3nm半導(dǎo)體來了?只是學(xué)術(shù)進(jìn)展

  • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展,香港《南華早報》稱中科院微電子所團(tuán)隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管,相當(dāng)于人類DNA鏈條寬度,這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
  • 關(guān)鍵字: 3nm  半導(dǎo)體  

臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥,臺積電一家就占了全球50-60%的份額,幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過今年遇到了半導(dǎo)體市場熊市,臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑,凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝,預(yù)計會在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  Q1  7/5/3nm  

三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機(jī)、存儲芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價的困境之時,三星也將業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上,三星宣布四種FinFET工藝,涵蓋了7nm到4nm,再往后則是3nm GAA工藝了,通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面積縮小45%。
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3nm plus介紹

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