3nm plus 文章 最新資訊
性能提升15%!ROG游戲手機2代將首發(fā)驍龍855 Plus

- 高通今晚正式發(fā)布驍龍855 Plus處理器,CPU最高主頻從2.84GHz提速到2.96GHz(幅度4%)、Adreno 640 GPU的頻率從585MHz提高到672MHz(幅度15%),其它基本不變??雌饋?,驍龍855 Plus就是“雞血版”驍龍855,類似于驍龍850之于驍龍845、驍龍821之于驍龍820。按照高通的說法,驍龍855 Plus目標(biāo)游戲手機和那些準(zhǔn)備接入5G的設(shè)備,下半年商用。隨后,華碩跟進表示,將成為首家使用驍龍855 Plus芯片的廠商。經(jīng)查,ROG玩家國度官微也確認,定于7月2
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三星已成全球芯片霸主,規(guī)劃芯片制程路線:2022年要上3nm

- 5月28日,三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上,公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖,目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝。 據(jù)介紹,三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代,不過 7nm 算是個例外,沒有 LPE。之前已公布,三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn),2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝。 三星表示,在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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臺積電計劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

- 臺積電在8月14日宣布,公司董事會已批準(zhǔn)了一項約45億美元的資本預(yù)算。未來將會使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠,而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱,臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠,希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)?! 「鶕?jù)臺灣《經(jīng)濟日報》的報道,臺灣相關(guān)部門通過了「臺南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案」,這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造?! ?jù)悉,臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠,同時最快可以在2022年實現(xiàn)對于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺積
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未來人類魔鬼魚DR7-PLUS拆機圖賞 多達四根銅管

- 我們對未來人類魔鬼魚DR7-PLUS這款產(chǎn)品進行了拆解。從拆解圖中能夠看出,未來人類魔鬼魚DR7-PLUS的散熱模組采用了雙風(fēng)扇四銅管的設(shè)計,在散熱能力還是可以的。而且整體內(nèi)部構(gòu)造比較簡單明了,允許用戶增加一根內(nèi)存,而且硬盤的拆裝也十分方便,便于后期維護。唯一的不足就是內(nèi)部空間利用率上偏低。 ? ? ? ? ? ? ?
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aveni S.A. 運用創(chuàng)新電鍍化學(xué),將銅互連擴展至5nm及以下節(jié)點以實現(xiàn)BEOL集成

- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布,其已獲得成果可有力支持在先進互連的后段制程中,在5nm及以下技術(shù)節(jié)點可繼續(xù)使用銅?! 钢荡算~集成20周年之際,我們的研究結(jié)果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見:『銅集成可持續(xù)使用』?!筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出?! ∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
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張忠謀:3nm晶圓廠2020年開建 未來3年收入增幅都達5-10%
- 臺積電創(chuàng)始人兼董事長張忠謀在近日的一次公司會議上披露,臺積電將在2020年開工建設(shè)3nm工藝晶圓廠,但不會去美國設(shè)廠,而是堅持留在中國臺灣本土,確切地說是在南部科技園區(qū)。 張忠謀提出,臺積電相信當(dāng)?shù)卣畷鉀Q好3nm工廠建設(shè)所需的水電土地問題,并提供全力協(xié)助。 按照張忠謀此前的說法,3nm工廠建設(shè)預(yù)計會花費超過200億美元,同時有望帶動相關(guān)供應(yīng)商跟進建廠,拉動臺南地區(qū)經(jīng)濟發(fā)展。 他沒有透露3nm工廠何時完工、新工藝何時量產(chǎn),但即便不考慮額外困難和挑戰(zhàn),最快也得是2023年的事兒了。
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