3d-ic 文章 進入3d-ic技術社區(qū)
臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺積電10月27日宣布,成立開放創(chuàng)新平臺(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術,使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
- 關鍵字: 臺積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設計
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路(IC)關鍵可測試性設計(DFT)。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升,IC設計界也面臨著嚴苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構,以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個晶粒,使其能夠作為單一組件運作。但是,這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn),因為大部分傳統(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn),西門子推出Tess
- 關鍵字: 西門子 2.5D 3D 可測試性設計
高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一
- 10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行,中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎,實現(xiàn)多個項目上金牌和獎牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕,共舉行8個項目的比賽,吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐。 其中,來自廣州市工貿(mào)技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發(fā)項目金牌,成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?! 碜陨钲诩紟煂W院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術項目、云計算項目金牌,實現(xiàn)我國在這兩個項目上
- 關鍵字: 世界技能大賽 3D 云計算
AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

- 疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉型,走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。因此,各產(chǎn)業(yè)對自動光學檢測(AOI)技術的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢,迫使制造業(yè)快速轉型,走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中,傳統(tǒng)人力逐漸被取代,也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài),其中,可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質量的自動檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢,還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄,降低不必要的時間成本與人力成本,快速穩(wěn)定且
- 關鍵字: 自動光學檢測 AOI AI 3D 檢測鐵三角
西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作,面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術,提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術,客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
- 關鍵字: 西門子 聯(lián)華電子 3D IC 混合鍵合流程
打造驅動第三代功率半導體轉換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

- 受訪人:亞德諾半導體 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。近年來,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關,從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
- 關鍵字: 202207 ADI 第三代半導體 IC 功率器件
TrendForce:預計第三季度驅動 IC 價格降幅將擴大至 8%-10%

- IT之家 7 月 15 日消息,TrendForce 集邦咨詢報告顯示,在供需失衡、庫存高漲的狀況下,預計第三季度驅動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等,且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到,TrendForce 集邦咨詢進一步表示,中國面板驅動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能,更愿意配合面板廠的要求,價格降幅可達到 10%-15%。報告指出,在需求短期間難以好轉下,面板驅動 IC 價格不排除將持續(xù)下跌,且有極大可能會比預估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外,TrendFor
- 關鍵字: IC TrendForce 市場
無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個概念

- 可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求,因為它可以提高系統(tǒng)可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時提升系統(tǒng)性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個稱為上電復位(VPOR)的最低電壓來生成明確或可靠的復位信號,而在該最低電源電壓到來之前,復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來說,我們將其稱之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構,即開漏和推挽(圖1),兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓(VPULLUP)
- 關鍵字: ADI IC
長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

- 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務器等各種場景,而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年

- 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應用也要到2023年去了??梢?,國產(chǎn)存儲芯片,在技術上確實已經(jīng)追上了三星
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報,長江存儲取得技術突破,正式打破三星壟斷

- 中國芯片傳來捷報,長江存儲取得重大技術突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
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