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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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IQE 宣布與全球消費電子領(lǐng)導者達成長期戰(zhàn)略協(xié)議

- 長期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應(yīng)用開發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場領(lǐng)導者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”），全球領(lǐng)先的化合物半導體晶圓產(chǎn)品和先進材
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西門子推軟件解決方案加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設(shè)計（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計界也面臨著嚴苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn)，因為大部分傳統(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎，實現(xiàn)多個項目上金牌和獎牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕，共舉行8個項目的比賽，吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐?！　∑渲?，來自廣州市工貿(mào)技師學院的選手楊書明獲得移動應(yīng)用開發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?！　碜陨钲诩紟煂W院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌，實現(xiàn)我國在這兩個項目上
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GaN IC縮小電機驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、機器人和無人機的上市時間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計，增強了電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設(shè)計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動光學檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中，傳統(tǒng)人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄，降低不必要的時間成本與人力成本，快速穩(wěn)定且
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
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西門子推出 Symphony Pro 平臺，大幅擴展混合信號 IC 驗證能力

· 西門子先進的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產(chǎn)效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進的數(shù)字驗證方法學，適用于當今前沿的混合信號設(shè)計西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺，基于原有的　Symphony 混合信號驗證能力，進一步擴展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標準化驗證方法學，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
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打造驅(qū)動第三代功率半導體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

受訪人：亞德諾半導體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
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TrendForce：預計第三季度驅(qū)動 IC 價格降幅將擴大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅(qū)動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進一步表示，中國面板驅(qū)動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能，更愿意配合面板廠的要求，價格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下，面板驅(qū)動 IC 價格不排除將持續(xù)下跌，且有極大可能會比預估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外，TrendFor
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無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個概念

可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因為它可以提高系統(tǒng)可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時提升系統(tǒng)性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個稱為上電復位（VPOR）的最低電壓來生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來之前，復位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來說，我們將其稱之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結(jié)構(gòu)，即開漏和推挽（圖1），兩種拓撲結(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]