3d-ic 文章進入3d-ic技術(shù)社區(qū)

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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IC行業(yè)復蘇在即，電子產(chǎn)品銷售Q3將環(huán)比增10%

2023 年第三季度，電子產(chǎn)品銷售額預計將實現(xiàn) 10% 的季度環(huán)比增長。
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3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
關(guān)鍵字： NAND 3D NAND

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
關(guān)鍵字：晶體管 3D 晶體管 FinFET

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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愛芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

中國上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲聚勢未來”為主題的2023中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開幕式上，愛芯元智創(chuàng)始人、董事長兼CEO仇肖莘博士受邀發(fā)表《普惠智能的星辰大?！分黝}演講，向與會嘉賓分享了對邊緣側(cè)、端側(cè)人工智能的看沙法，并解讀愛芯元智2.0時代戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)布局。聚焦感知與計算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應(yīng)大灣區(qū)國家戰(zhàn)略而搭建的集成電路產(chǎn)業(yè)論壇。2022年6月，國務(wù)院正式
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格力1.5億元參設(shè)創(chuàng)投基金，重點投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)

珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據(jù)悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團、正方集團共同組建，計劃規(guī)模8億元，重點投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)。格力集團消息稱，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協(xié)議。
關(guān)鍵字：格力創(chuàng)投基金 IC

DRAM迎來3D時代？

3D DRAM 領(lǐng)域的技術(shù)競爭升溫。
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IC 設(shè)計市況不明

IC 設(shè)計市場氣氛詭譎難辨，相關(guān)公司只能邊走邊看。
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側(cè)向
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基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

1. CPU Vcore 簡介:VCORE轉(zhuǎn)換器（調(diào)節(jié)器）是在臺式個人電腦、筆記本式個人電腦、服務(wù)器、工業(yè)電腦等計算類設(shè)備中為CPU（中央處理器）內(nèi)核或GPU（圖形處理器）內(nèi)核供電的器件，與普通的POL（負載點）調(diào)節(jié)器相比，它們要滿足完全不同的需要：CPU/GPU都表現(xiàn)為變化超快的負載，需要以極高的精度實現(xiàn)動態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿足一定的負載線要求，需要在不同的節(jié)能狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，需要提供不同的參數(shù)測量和監(jiān)控。在VCORE轉(zhuǎn)換器與CPU之間通常以串列
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什么是混合信號 IC 設(shè)計？

在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中?，F(xiàn)代 IC 通常由來自各個領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個 IC 上的每個 IC 設(shè)計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡介概述了典型混合信號 IC 設(shè)計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設(shè)計流程的視圖——同時具有模擬和數(shù)字電路的 IC 設(shè)計流程。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——
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德州儀器推出業(yè)內(nèi)先進的獨立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設(shè)計

中國上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內(nèi)先進的獨立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能，同時滿足 EMI 監(jiān)管標準。隨著電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實驗室 Kilby Labs 針對新概念和突破性想法的創(chuàng)新開發(fā)，新的獨立式有源 EMI 濾波器 I
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]