ams攜手ArcSoft 力推3D dToF走進安卓手機

•  作為傳感器領域風頭最勁的企業(yè)，ams（艾邁斯半導體）通過技術積累和持續(xù)的并購戰(zhàn)略逐漸成為各類傳感器領域的領導者，特別是經過收購歐司朗之后，進一步實現了公司業(yè)務規(guī)模的擴大和業(yè)務領域的平衡，使得ams在各個核心領域上都有非常好的市場地位。 經過對歐司朗的收購之后，ams聚焦在三大核心技術領域，主要包括傳感、照明（光源）以及可視化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區(qū)銷售和市場高級副總裁陳平路表示，隨著5G時代帶來的技術和產業(yè)的革新非?？春胕ToF、
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2021年DRAM與NAND增長快，美光領跑研發(fā)與新技術

• 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產業(yè)預計增長可達12%，整個半導體產業(yè)的產值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
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美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數年，NAND產能今年保持穩(wěn)定

• 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數據的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數據、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
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康耐視推出In-Sight 3D-L4000視覺系統(tǒng)

• 作為全球工業(yè)機器視覺領域的領導者之一，康耐視公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式視覺系統(tǒng)。這是一款采用3D激光位移技術的創(chuàng)新型智能相機，能幫助用戶快速、準確且經濟高效地解決自動化生產線上的一系列檢測應用難題?！耙恢币詠?，3D檢測系統(tǒng)對于大多數用戶來說面臨兩個問題：產品操作復雜、使用成本昂貴，”康耐視3D事業(yè)部經理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000視覺系統(tǒng)很好的解決了這兩個痛點，其提供了大量的3D視覺工具套件，使3D檢測能夠像行業(yè)先進的In-
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產品，該產品擁有5個系列，并針對工業(yè)、醫(yī)療、智能電網、交通和安全等應用進行了優(yōu)化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發(fā)的第二代產品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過渡節(jié)點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
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受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％

• 11月1日消息 據韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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完全漲不動：內存價格繼續(xù)觸底

• 根據IC Insights的分析報告，DRAM內存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現下滑態(tài)勢。簡單回顧下，內存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學習等推動了PC等設備的需求增長，內存價格有所小幅反彈，但持續(xù)的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

• SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產品，尤其適用于大數據、人工智能、機器學習等領域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
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"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉產DRAM內存芯片？

• 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉產DRAM內存芯片。根據企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產品、電子產品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關產品、電子信息的技術開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質檢技術服務（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無損檢驗、
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HBM2E 和GDDR6： AI內存解決方案

• 前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網等一系列技術市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系
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三星電子平澤工廠第二生產線開始量產

• 實現DRAM量產后，預計生產新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產品 憑借更快更薄的產品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產線正式開工，首發(fā)量產產品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產線的建筑面積達12.89萬平方米（
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三星宣布其全球最大半導體生產線開始量產16Gb LPDDR5 DRAM

• 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產品與技術執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
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三星加快部署3D芯片封裝技術 希望明年同臺積電展開競爭

• 據國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術來
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三星電子展示3D晶圓封裝技術 可用于5納米和7納米制程

• 據臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應用嚴苛的表現需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節(jié)
• 關鍵字： 三星  3D  晶圓  封裝