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3d chiplet 文章 最新資訊

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開始送樣

  • 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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什么時(shí)候可以購買到小芯片(Chiplet)

  • 一年前，Semiconductor Engineering 舉辦了第一次圓桌會(huì)議，以了解小芯片行業(yè)的真實(shí)狀況。在那次活動(dòng)中，有人表示，沒有小芯片在最初不打算的設(shè)計(jì)中重復(fù)使用過。過去一年發(fā)生了多大變化？去年回歸的有 Marvell 技術(shù)副總裁 Mark Kuemerle;Alphawave Semi 產(chǎn)品營銷和管理副總裁 Letizia Giuliano;是德科技 HSD 部門負(fù)責(zé)人 Hee-Soo Lee;Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部高級產(chǎn)品組總監(jiān) Mick Posner;以及新
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Chiplet生態(tài)系統(tǒng)開始浮出水面

  • 專家出席會(huì)議：半導(dǎo)體工程與 Marvell 技術(shù)副總裁 Mark Kuemerle 坐下來討論小芯片設(shè)計(jì)的進(jìn)展和剩余挑戰(zhàn);Alphawave Semi 產(chǎn)品營銷和管理副總裁 Letizia Giuliano;是德科技 HSD 部門負(fù)責(zé)人 Hee-Soo Lee;Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部高級產(chǎn)品組總監(jiān) Mick Posner;以及新思科技多芯片戰(zhàn)略解決方案集團(tuán)的產(chǎn)品管理總監(jiān) Rob Kruger。以下是今年設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議上舉行的圓桌討論的摘錄。此討論的第一部分可以在這里找到。S
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

  • 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過去幾個(gè)月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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西門子EDA推新解決方案，助力簡化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

  • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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銅柱替代焊球，封裝進(jìn)入「銅」 時(shí)代

2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

  • 來自日本東京科學(xué)研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計(jì)算，研究人員通過采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

  • 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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Arrow Lake Die Shot展示了Intel 基于chiplet的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

  • 英特爾 Arrow Lake 架構(gòu)的模具照片已經(jīng)發(fā)布，展示了英特爾注入小芯片（tile）的設(shè)計(jì)的所有榮耀。X 上的 Andreas Schiling 分享了幾張 Arrow Lake 的近距離圖片，揭示了 Arrow Lake 各個(gè)圖塊的布局和計(jì)算圖塊內(nèi)內(nèi)核的布局。第一張照片展示了英特爾臺式機(jī)酷睿 Ultra 200S 系列 CPU 的完整芯片，計(jì)算圖塊位于左上角，IO 圖塊位于底部，SoC 圖塊和 GPU 圖塊位于右側(cè)。左下角和右上角是兩個(gè)填充模具，旨在提供結(jié)構(gòu)剛度。計(jì)算芯片在 TS
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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英特爾在汽車AI應(yīng)用中選擇了小芯片（Chiplet）

  • 英特爾最新展示的第二代軟件定義汽車片上系統(tǒng) （SoC） 器件預(yù)示著英特爾在使用小芯片方面邁出了關(guān)鍵一步。據(jù)分析，這其中部分技術(shù)參考借鑒了英特爾收購 Silicon Mobility后在汽車小芯片方面的技術(shù)。一年前英特爾承諾為 SDV 提供業(yè)界首個(gè)基于 UCIe 的開放式小芯片平臺。英特爾將與 imec 合作，確保汽車封裝技術(shù)，并致力于成為第一家支持將第三方小芯片集成到其汽車產(chǎn)品中的汽車供應(yīng)商。該 SoC 在上海 2025 車展上推出，結(jié)合了基于不同工藝技術(shù)構(gòu)建的小芯片，為用戶界面提供大型語言模型 AI 支
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chiplet在UCIe 2.0標(biāo)準(zhǔn)仍具挑戰(zhàn)

  • 即插即用的Chiplet是人們追求的目標(biāo)，但UCIe 2.0是否讓我們離這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)更近了呢？問題在于，當(dāng)前推動(dòng)該標(biāo)準(zhǔn)的因素并非是即插即用所要求的那種互操作性。UCIe 2.0于2024年8月發(fā)布，它宣稱具有更高的帶寬密度和提升的電源效率，同時(shí)還具備支持3D封裝、易于管理的系統(tǒng)架構(gòu)等新特性。推動(dòng)這一標(biāo)準(zhǔn)的是行業(yè)內(nèi)的關(guān)鍵領(lǐng)導(dǎo)者，包括日月光、阿里巴巴、AMD、Arm、谷歌云、英特爾、Meta、微軟、英偉達(dá)、高通、三星電子和臺積電等公司。然而，前沿領(lǐng)域所需的標(biāo)準(zhǔn)可能與市場其他部分的需求不同。YorChip公司
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薄膜3D模擬IC:堆疊式 IC 可在更小尺寸中降低成本并提高性能

  • 盡管數(shù)字技術(shù)不斷進(jìn)步到商業(yè)、工業(yè)和休閑活動(dòng)的各個(gè)領(lǐng)域，但模擬集成電路 （IC） 在全球半導(dǎo)體市場上仍占有一席之地。今年，收入預(yù)計(jì)將達(dá)到 850 億美元，相當(dāng)于 10% 的年復(fù)合增長率。推動(dòng)這一需求的是人工智能、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和自動(dòng)駕駛汽車的進(jìn)步，所有這些都依賴于模擬 IC 來實(shí)現(xiàn)傳感和電源管理等功能。與僅處理二進(jìn)制信號的數(shù)字 IC 不同，模擬 IC 可以處理溫度和聲音等連續(xù)信號，因此它們對于與物理環(huán)境連接至關(guān)重要。著眼于這一不斷擴(kuò)大的市場，兩家總部位于東京的公司 Oki Elec
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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3d chiplet介紹

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