3d chiplet 文章進(jìn)入3d chiplet技術(shù)社區(qū)

摩爾定律“拯救者”？爆紅的Chiplet究竟是一種什么技術(shù)

　　通用互連的Chiplet要真正實(shí)現(xiàn)可能還需要幾年時(shí)間，但不管怎樣，這代表了未來(lái)芯片發(fā)展的一個(gè)方向　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全線上漲之際，Chiplet概念引發(fā)市場(chǎng)熱議?！　?月9日，Chiplet概念股在尾盤階段經(jīng)歷資金的明顯回流，板塊個(gè)股中，大港股份(002077)已經(jīng)歷六連板，通富微電(002156)三連板，深科達(dá)當(dāng)天漲幅超10%，蘇州固锝(002079)、文一科技(600520)、氣派科技漲停，芯原股份、晶方科技(603005)、寒武紀(jì)、中京電子(002579)漲超5%?！　hiplet并不是一個(gè)新鮮的
關(guān)鍵字： Chiplet GAAFET

奎芯科技三大優(yōu)勢(shì)進(jìn)軍IP和Chiplet領(lǐng)域，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

2022年全球政治經(jīng)濟(jì)形勢(shì)持續(xù)動(dòng)蕩，近來(lái)消費(fèi)類電子下行周期導(dǎo)致全球半導(dǎo)體企業(yè)庫(kù)存增加，營(yíng)收增速放緩。但中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在突破技術(shù)封鎖，國(guó)產(chǎn)替代的大背景下仍處于一個(gè)飛速發(fā)展的時(shí)期。中國(guó)半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展期，力求自給自足疫情催生了全球云計(jì)算、人工智能、智能汽車、消費(fèi)電子、移動(dòng)醫(yī)療等領(lǐng)域產(chǎn)品的大幅增長(zhǎng)和創(chuàng)新發(fā)展，豐富多樣的終端應(yīng)用正向促進(jìn)了芯片設(shè)計(jì)公司的多樣性發(fā)展，以及晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)張和更新迭代。據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC insights發(fā)布的報(bào)告顯示，繼 2021 年激增 36% 之后，預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體行業(yè)資本
關(guān)鍵字：奎芯科技 Chiplet 中國(guó)半導(dǎo)體

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠商只花了6年

近日，有消息稱，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢姡瑖?guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線 3D IC

英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
關(guān)鍵字： 3D 圖像傳感器

英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞健ｎA(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
關(guān)鍵字： 3D s深度傳感

(2022.5.30)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞2022.5.23- 2022.5.271. 中國(guó)半導(dǎo)體TOP 25榜單去年雖然面臨著疫情、缺芯、漲價(jià)等各種不確定性因素，但是2021年半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高漲，終端智能化需求和供應(yīng)鏈本土化趨勢(shì)越發(fā)明顯，中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商也迎來(lái)了發(fā)展良好的一年。Gartner最近發(fā)布了中國(guó)前25名半導(dǎo)體供應(yīng)商的排名情況。下圖是Gartner統(tǒng)計(jì)的中國(guó)前25名半導(dǎo)體供應(yīng)商排名（僅供參考，如有不同意見，歡迎文末留言）。整體來(lái)看，前十名的企業(yè)營(yíng)收都已達(dá)10億美元左右，即使是第25名的廠商營(yíng)收也在5億美元左右，這說(shuō)明了中國(guó)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體市場(chǎng) 臺(tái)積電 chiplet 芯片

3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
關(guān)鍵字： DRAM 3D DRAM 華為三星美光制程納米

芯耀輝官宣，UCIe迎來(lái)中國(guó)軍團(tuán)

　　2022年4月12日，專注先進(jìn)工藝IP自主研發(fā)與服務(wù)的中國(guó)IP領(lǐng)先企業(yè)芯耀輝今日宣布正式加入U(xiǎn)CIe（Universal Chiplet Interconnect Express）產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。作為大陸首批加入該組織的中國(guó)IP領(lǐng)先企業(yè)，芯耀輝將與UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟全球范圍內(nèi)其他成員共同致力于UCIe 1.0版本規(guī)范和下一代UCIe技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的研究與應(yīng)用，結(jié)合自身完整的先進(jìn)高速接口IP產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)，為推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)工藝、先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用做出積極貢獻(xiàn)?！　〗衲?月，芯片制造商英特爾、臺(tái)積電、三星聯(lián)合日月
關(guān)鍵字：芯耀輝 chiplet UCle

(2022.4.11)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞2022.4.6- 2022.4.81. 麥肯錫：到2030年半導(dǎo)體市場(chǎng)可望達(dá)到萬(wàn)億美元規(guī)模麥肯錫基于一系列宏觀經(jīng)濟(jì)假設(shè)的分析表明，到2030年，該行業(yè)的年平均增長(zhǎng)率可能為 6%至8%。而同時(shí)半導(dǎo)體行業(yè)的平均價(jià)格也在增長(zhǎng)。中芯國(guó)際財(cái)報(bào)顯示2021年晶圓的ASP上漲了13%，假設(shè)全行業(yè)平均價(jià)格每年增長(zhǎng)約 2%，并在當(dāng)前波動(dòng)后恢復(fù)供需平衡，到本十年末將達(dá)到1萬(wàn)億美元的產(chǎn)業(yè)。2. 德勤2022年全球半導(dǎo)體行業(yè)展望2022 年，全球半導(dǎo)體芯片行業(yè)預(yù)計(jì)將達(dá)到約 6000 億美元。根據(jù)德勤分析，過(guò)去兩年的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 chiplet

Innolink-國(guó)產(chǎn)首個(gè)物理層兼容UCIe標(biāo)準(zhǔn)的Chiplet解決方案

2022年3月，芯片制造商英特爾、臺(tái)積電、三星聯(lián)合日月光、AMD、ARM、高通、谷歌、微軟、Meta(Facebook)等十家行業(yè)巨頭共同推出了全新的通用芯片互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)——UCle。幾乎與此同時(shí)，中國(guó)IP和芯片定制及GPU賦能型領(lǐng)軍企業(yè)芯動(dòng)科技宣布率先推出國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)物理層兼容UCIe標(biāo)準(zhǔn)的IP解決方案-Innolink? Chiplet，這是國(guó)內(nèi)首套跨工藝、跨封裝的Chiplet連接解決方案，且已在先進(jìn)工藝上量產(chǎn)驗(yàn)證成功！▲ Innolink? Chiplet架構(gòu)圖隨著高性能計(jì)算、云服務(wù)、邊緣端、企業(yè)應(yīng)用
關(guān)鍵字： Chiplet 芯動(dòng)科技 UCIe Innolink