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AmpereOne-3 芯片明年亮相：256核，支持 PCIe 6.0 和 DDR5

  • 4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時(shí)表示，將于今年晚些時(shí)候推出 AmpereOne-2，配備 12 個(gè)內(nèi)存通道，改進(jìn)性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%，內(nèi)存帶寬將增加多達(dá) 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，計(jì)劃在 2025 年發(fā)布，擁有 256 個(gè)核心，采用臺(tái)積電的 3nm（3N）工藝蝕刻。附上路線圖如下：AmpereOne-3 將采用改進(jìn)后的
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消息稱三星 Galaxy Watch 7 存儲(chǔ)空間增加到 32GB，共有三個(gè)版本

  • 3 月 25 日消息，據(jù)外媒 SamMobile 報(bào)道，Galaxy Unpacked 活動(dòng)將于2024 年 7 月舉行，比以往要提前幾周?，F(xiàn)在，關(guān)于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光?！鳪alaxy Watch 6根據(jù)爆料，三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個(gè)版本，比以往多一個(gè)，但仍然不知道被命名為什么。三星還升級(jí)新品的存儲(chǔ)空間，將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB，用來(lái)存儲(chǔ)戶外鍛煉的離線音樂(lè)、應(yīng)用程序以及
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

  • 2 月 5 日消息，據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會(huì)議上亮相），這家韓國(guó)科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見(jiàn)、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月?tīng)I(yíng)收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對(duì)內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_(tái)灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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存儲(chǔ)模組廠商積極發(fā)力DDR5

  • 隨著PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新，DDR5日益受到市場(chǎng)青睞。除了原廠持續(xù)布局外，近期威剛、十銓科技、宇瞻等模組廠商亦積極投入DDR5，并持續(xù)看好這類(lèi)產(chǎn)品后續(xù)發(fā)展。威剛對(duì)外表示，現(xiàn)階段觀察到存儲(chǔ)市場(chǎng)需求端主要來(lái)自于PC，客戶需求明顯好轉(zhuǎn)，且隨著PC存儲(chǔ)器容量提升，預(yù)期明年上半年DDR5將會(huì)超越DDR4，形成黃金交叉。以目前現(xiàn)貨市場(chǎng)來(lái)看，DDR5單價(jià)較DDR4高四至五成，對(duì)威剛而言，DDR5比重提升，有助毛利率表現(xiàn)。產(chǎn)品布局方面，威剛DDR5主攻電競(jìng)市場(chǎng)，已推出LANCER BLADE RGB DDR
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存儲(chǔ)器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來(lái)，ChatGPT持續(xù)推動(dòng)生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場(chǎng)青睞，存儲(chǔ)器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)線當(dāng)前DDR5制程已經(jīng)來(lái)到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場(chǎng)的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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DDR5 成競(jìng)逐焦點(diǎn)

  • 如今，無(wú)論是 PC、筆記本電腦還是人工智能，各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀(jì)元邁進(jìn)。今年，生成式 AI 市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，用于大模型應(yīng)用的 AI 服務(wù)器大力推動(dòng)了對(duì) DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場(chǎng)需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。那么，DDR5 究竟有哪些優(yōu)勢(shì)？以及它如何成為未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)的焦點(diǎn)？DDR3、DDR4 再到 DDR5在過(guò)去的十多年，DDR3 內(nèi)存是服務(wù)器中常用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，其時(shí)鐘頻率通常從 800MHz 到 2133MHz 不等，適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等，隨
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美光推高速內(nèi)存 效能增5成

  • 美光的新一代內(nèi)存，目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴(kuò)大運(yùn)算能力，并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺(tái)，支持AI訓(xùn)練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存，以其領(lǐng)先1β制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)，美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達(dá)7,200MT／s，相較于前一代產(chǎn)品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品，在現(xiàn)有模塊化密度中，速率可達(dá)4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應(yīng)用。
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DDR5時(shí)代來(lái)臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

  • 在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今，無(wú)論是 PC、筆電還是人工智能，各行業(yè)正在加
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美光訂價(jià)能力升 營(yíng)運(yùn)露曙光

  • 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤(pán)后公布最新財(cái)報(bào)，鑒于美光對(duì)DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過(guò)。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁，致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長(zhǎng)Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測(cè)價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營(yíng)運(yùn)有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng)，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評(píng)等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評(píng)等，目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存

  • IT之家 6 月 7 日消息，內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進(jìn)制內(nèi)存，雙槽即可實(shí)現(xiàn) 96GB，四個(gè)內(nèi)存插槽全插滿可實(shí)現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開(kāi)始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當(dāng)于 DDR4 內(nèi)存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務(wù)器領(lǐng)域主要使用的內(nèi)存類(lèi)型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
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DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見(jiàn)回暖

  • 業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
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