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AmpereOne-3 芯片明年亮相:256核,支持 PCIe 6.0 和 DDR5

  • 4 月 27 日消息,Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時表示,將于今年晚些時候推出 AmpereOne-2,配備 12 個內(nèi)存通道,改進性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%,內(nèi)存帶寬將增加多達 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ,計劃在 2025 年發(fā)布,擁有 256 個核心,采用臺積電的 3nm(3N)工藝蝕刻。附上路線圖如下:AmpereOne-3 將采用改進后的
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消息稱三星 Galaxy Watch 7 存儲空間增加到 32GB,共有三個版本

  • 3 月 25 日消息,據(jù)外媒 SamMobile 報道,Galaxy Unpacked 活動將于2024 年 7 月舉行,比以往要提前幾周。現(xiàn)在,關(guān)于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光?!鳪alaxy Watch 6根據(jù)爆料,三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個版本,比以往多一個,但仍然不知道被命名為什么。三星還升級新品的存儲空間,將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB,用來存儲戶外鍛煉的離線音樂、應(yīng)用程序以及
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

  • 2 月 5 日消息,據(jù)報道,三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存(將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相),這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開發(fā),在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息,但我們知道,這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
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大廠有意擴產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確,包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司,去年12月營收呈現(xiàn)月增,且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計劃階段性擴產(chǎn),為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露,公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度,NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴產(chǎn),國內(nèi)存儲器廠商則認為,海力士擴廠應(yīng)集中在DDR5和HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)品為主,因為臺灣目前產(chǎn)品主攻DDR4,不致影響產(chǎn)品報價。TrendForc
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存儲模組廠商積極發(fā)力DDR5

  • 隨著PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新,DDR5日益受到市場青睞。除了原廠持續(xù)布局外,近期威剛、十銓科技、宇瞻等模組廠商亦積極投入DDR5,并持續(xù)看好這類產(chǎn)品后續(xù)發(fā)展。威剛對外表示,現(xiàn)階段觀察到存儲市場需求端主要來自于PC,客戶需求明顯好轉(zhuǎn),且隨著PC存儲器容量提升,預(yù)期明年上半年DDR5將會超越DDR4,形成黃金交叉。以目前現(xiàn)貨市場來看,DDR5單價較DDR4高四至五成,對威剛而言,DDR5比重提升,有助毛利率表現(xiàn)。產(chǎn)品布局方面,威剛DDR5主攻電競市場,已推出LANCER BLADE RGB DDR
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存儲器大廠積極布局,DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來,ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲,加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新,HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞,存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5:美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM,今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存,速率高達 7200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外,該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù),相比上一代產(chǎn)品,性能提升高
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DDR5 成競逐焦點

  • 如今,無論是 PC、筆記本電腦還是人工智能,各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀元邁進。今年,生成式 AI 市場蓬勃發(fā)展,用于大模型應(yīng)用的 AI 服務(wù)器大力推動了對 DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。那么,DDR5 究竟有哪些優(yōu)勢?以及它如何成為未來存儲市場的焦點?DDR3、DDR4 再到 DDR5在過去的十多年,DDR3 內(nèi)存是服務(wù)器中常用的內(nèi)存標準,其時鐘頻率通常從 800MHz 到 2133MHz 不等,適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等,隨
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美光推高速內(nèi)存 效能增5成

  • 美光的新一代內(nèi)存,目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力,并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺,支持AI訓(xùn)練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存,以其領(lǐng)先1β制程節(jié)點技術(shù),美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達7,200MT/s,相較于前一代產(chǎn)品,效能可提升50%,每瓦效能功耗可降低33%。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品,在現(xiàn)有模塊化密度中,速率可達4,800MT/s至7,200MT/s,適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應(yīng)用。
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DDR5時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

  • 在人工智能(AI)、機器學(xué)習(xí)(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR(Double Data Rate)技術(shù)作為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的重要演進,極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。如今,無論是 PC、筆電還是人工智能,各行業(yè)正在加
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美光訂價能力升 營運露曙光

  • 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報,鑒于美光對DRAM的訂價能力提升,市場高度期待美光獲利進一步改善,預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn),部分市場需求轉(zhuǎn)強,AI服務(wù)器需求尤為強勁,致使DRAM報價逐漸改善。美光財務(wù)長Mark Murphy先前透露,若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測價格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強。美光營運有望改善,帶動股價逐漸走強,該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商,紛紛上調(diào)美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等,目標價從75美元調(diào)高到
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位,并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(1)"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上,我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅(qū)動器CKD和第3代RCD以支持嚴苛的DDR5客戶端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅(qū)動器(CKD)和第三代DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)。憑借這些全新驅(qū)動器IC,瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊(DIMM)、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達到每秒7200MT/s和6400MT/s,相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達7200MT/s的速度,是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
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美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存

  • IT之家 6 月 7 日消息,內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進制內(nèi)存,雙槽即可實現(xiàn) 96GB,四個內(nèi)存插槽全插滿可實現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM,其帶寬相當于 DDR4 內(nèi)存的兩倍,并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注:目前在服務(wù)器領(lǐng)域主要使用的內(nèi)存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
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DDR5 重新下跌,內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
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