32gb ddr5 文章 進入32gb ddr5技術(shù)社區(qū)
SK海力士即將量產(chǎn)DDR5內(nèi)存 搭配Intel 12代酷睿
- 今年下半年,最快10月底就能升級DDR5內(nèi)存了,這一次Intel的12代酷睿Alder Lake會首發(fā)支持DDR5。SK海力士日前在財報會議上也表示未來幾個月就要量產(chǎn)DDR5內(nèi)存?! DR5的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)發(fā)布一年多了,相比DDR4繼續(xù)提升性能、降低功耗,標(biāo)準(zhǔn)電壓從1.2V進一步降至1.1V,最大單條容量從32GB來到128GB(單Die密度64Gb),標(biāo)準(zhǔn)最高頻率從3200MHz翻番到6400MHz(實際瞄準(zhǔn)8400MHz),此時帶寬達到51GB/s,基本是DDR4-3200的兩倍?! ×硗猓珼DR5支
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好,其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計該部門將持續(xù)增長,尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算(HPC)市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊,該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊,從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?! 〉聦嵶C明,這家韓國巨頭可能還不滿足,因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步,生產(chǎn)768GB DDR5模塊,也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0:Intel一下子都有了!

- 早在2019年初的CES大展上,Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無線基站的Snow Ridge SoC處理器,直到今年2月底才正式發(fā)布,定名凌動Atom P5900,但沒有公布具體規(guī)格。根據(jù)最新消息,Snow Ridge的繼任者代號為“Grand Ridge”,而這次,詳細的規(guī)格參數(shù)提前一覽無余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造,BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米,而且特別強調(diào)是Intel自家的7nm HLL+工藝,這意味著它可能要到2023年才會面世。但等待是值得的,除了先進
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)確定,中國企業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)沒能入選

- 都說一流的企業(yè)定標(biāo)準(zhǔn),可見能夠參與制定標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè),都是最頂尖的企業(yè),所以我們能夠看到每當(dāng)一項國際標(biāo)準(zhǔn)出爐時,各國的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標(biāo)準(zhǔn)定為國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)。比如大家最熟悉的通信標(biāo)準(zhǔn)制定,從1G到5G標(biāo)準(zhǔn)的確定,那可是一項波瀾壯闊的通信技術(shù)競爭史,也是中國通信技術(shù)的崛起史。而不久前,跳票了近2年時間之后,JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn),這也是一項國際標(biāo)準(zhǔn),有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標(biāo)準(zhǔn)有中國企業(yè)參與不同,瀾起科技在DDR4F時代,發(fā)明的DDR
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PC 新時代!DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布:最高速度達 6.4Gbps,單芯片密度達 64Gbit

- 作為計算機內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布了下一個主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代,DDR5再次擴展了DDR內(nèi)存的功能,將峰值內(nèi)存速度提高了一倍,同時也大大增加了內(nèi)存容量。基于新標(biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計將于2021年推出,先從服務(wù)器層面開始采用,之后再逐步推廣到消費者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報道,和之前的每一次DDR迭代一樣,DDR5的主要關(guān)注點再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍,最高內(nèi)存速度將達到6.4Gbps
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DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來了:頻率、帶寬提升,功耗降低
- 去年下半年開始,使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機的 LPDDR5 并不相同,但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來,那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范,但是很顯然跳票了。兩年后的今天,新規(guī)范正式公布,同時各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進行量產(chǎn),不過一開始會用在服務(wù)器上,后來才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率,其中
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Intel拍胸脯:DDR5、PCIe 5.0明年見!

- 因為種種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動,無論是消費級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時,Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強服務(wù)器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時不詳(據(jù)說最多38核心),
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)

- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進,兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進一步緩解
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范:頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)

- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾?! 『唵蝸碚f,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)?! 『诵娜萘棵芏确矫?,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB?! ∑渌鼌?shù)也均有明顯改進,兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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Intel、AMD推遲支持:DDR5內(nèi)存明年殺到

- 據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期?美光辟謠:一切正常

- 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重損失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期?美光辟謠:一切正常

- 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重損失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片

- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機。
- 關(guān)鍵字: 美光科技 DDR5 DRAM 芯片
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