碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

ST：2025年碳化硅將全面升級(jí)為8英寸

6月28日，據(jù)韓媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸。該計(jì)劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格向市場(chǎng)供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體。意法半導(dǎo)體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時(shí)表示：“目前，生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體的主流尺寸為6英寸，但我們計(jì)劃從明年第三季度開始逐步轉(zhuǎn)向8英寸。”隨著晶圓尺寸的增加，每片可以生產(chǎn)更多的芯片，每顆芯片的生產(chǎn)成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉(zhuǎn)變到8英寸。意法半導(dǎo)體計(jì)劃明年
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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應(yīng)用。這些元件采
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瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過(guò)車規(guī)認(rèn)證

6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證。同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級(jí)SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對(duì)功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品。現(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級(jí)結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計(jì)，其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進(jìn)步基礎(chǔ)上，顯著提高了結(jié)溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對(duì)于汽車領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢(shì)。與同系列中的工業(yè)級(jí)產(chǎn)品一樣，車規(guī)級(jí)CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器（SSR）應(yīng)用。它具有出色的RDS(on)?
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安森美選址捷克共和國(guó)打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體

●? ?安森美 (onsemi) 將實(shí)施高達(dá) 20 億美元的多年投資計(jì)劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛?lái)先進(jìn)的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長(zhǎng)的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國(guó)政府合作制定激勵(lì)方案，以支持投資計(jì)劃落實(shí)●? ?該投資將成為捷克共和國(guó)歷史上最大的私營(yíng)企業(yè)投資項(xiàng)目之一，屬于對(duì)中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車（LEV）、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫(kù)中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢(shì)。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級(jí)熱分析

本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆裸片在連續(xù)工作時(shí)的溫度，分析兩個(gè)電驅(qū)逆變模塊驗(yàn)證，該測(cè)溫系統(tǒng)的驗(yàn)證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內(nèi)的裸片。我們將從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取一個(gè)數(shù)學(xué)模型，根據(jù)Vth選擇標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)測(cè)當(dāng)逆變器工作在電動(dòng)汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時(shí)的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間，以便分析在電動(dòng)汽車生命周期典型電流負(fù)荷下的芯片行為。
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天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗(yàn)收

作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟(jì)南和濟(jì)寧的兩大基地相比，其上海基地項(xiàng)目似乎更受關(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨?xiàng)目披露了最新進(jìn)展，再次成為焦點(diǎn)。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個(gè)項(xiàng)目完成驗(yàn)收，意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)據(jù)悉，天岳先進(jìn)上?；仨?xiàng)目最初于2021年第二季度備案和申報(bào)，規(guī)劃投資25億元，項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，上?；仨?xiàng)目有望讓天岳先進(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。近年來(lái)
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MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景中，主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲(chǔ)器等設(shè)備。它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標(biāo)準(zhǔn)是Intel在1997年推出的一個(gè)規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺(tái)式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開發(fā)成本，延長(zhǎng)服務(wù)器的使用壽命
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測(cè)綜合基地●? ?這項(xiàng)多年長(zhǎng)期投資計(jì)劃預(yù)計(jì)投資總額達(dá)50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計(jì)劃，在一個(gè)園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體?
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