氮化鎵文章進(jìn)入氮化鎵技術(shù)社區(qū)

碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車？

在現(xiàn)實世界中，沒有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機以及電視等等，都會用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革推動社會發(fā)展

第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅

英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

　　英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動IC(GaN EiceDRIVER? IC)，精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產(chǎn)品的優(yōu)越性：它們具備更高功率密度，可實現(xiàn)更加小巧、輕便的設(shè)計，從而降低系統(tǒng)總成本和運行成本，以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅(qū)動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列
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用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能

將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。
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讓我們一起實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行

我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場
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碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命

LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然
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氮化鎵（GaN）技術(shù)推動電源管理不斷革新

　　Ahmad Bahai，德州儀器(TI)公司首席技術(shù)官　　我們可以想象一下：當(dāng)你駕駛著電動汽車行駛在馬路上，電動車充電設(shè)備的充電效率可以達(dá)到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅(qū)動比目前應(yīng)用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進(jìn)口袋?！　‰娮釉O(shè)備的未來取決于電源管理創(chuàng)新。　　或者設(shè)想一下：每個簡單的互聯(lián)網(wǎng)搜索查詢使用的電力足以灼燒一個60瓦燈泡約17秒?，F(xiàn)在乘上每天發(fā)生的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗?！　「行У毓芾砟茉床⒄加酶】臻g，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(G
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英飛凌：功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步為電路創(chuàng)新提供契機

近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實環(huán)境下，各國政府以及相關(guān)機構(gòu)也相應(yīng)制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設(shè)備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設(shè)備發(fā)揮出最佳性能。
關(guān)鍵字：英飛凌，電源轉(zhuǎn)換器技術(shù)，氮化鎵

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)?；?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力

　　數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)?！　∨cLDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數(shù)據(jù)已證實，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)?！　」杌壋蔀樯漕l半導(dǎo)體
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氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。　　“不會游泳的時候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商，團(tuán)隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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用GaN重新考慮功率密度

用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
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氮化鎵有望乘5G起飛亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈

　　隨著氮化鎵(GaN)不斷應(yīng)用在二極管、場效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內(nèi)專家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來技術(shù)的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指標(biāo)，也是硅元件難以望其項背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應(yīng)用于手機快充、電源以及5G市場，氮化鎵即將引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革命的呼聲越來越高。　　有望于手機快充、5G市場起飛　　當(dāng)下，氮化鎵的主要應(yīng)用市場是手機快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來手機快充技術(shù)不斷發(fā)展，已成為智能手機標(biāo)配，而促進(jìn)其普及的重要推手便是氮化
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我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展路線圖漸明晰

　　6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行列，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%……第三代半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會25日在京舉行。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導(dǎo)體的“中國夢”。　　第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導(dǎo)體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應(yīng)用及設(shè)計與仿真方面的技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內(nèi)容征集參
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5G PA高功率需求增氮化鎵組件身價看漲

　　具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺的功率放大器應(yīng)用也是其另一項發(fā)展主力。　　絡(luò)達(dá)科技技術(shù)長林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(dǎo)(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(zhǔn)(Calibration)程序，成本會比較高。不過，基地臺的整體數(shù)量相較于手機應(yīng)用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
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