三星電子表示，投資40億美元擴建其在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片工廠的行動將繼續(xù)進行，此舉將提高該工廠的應用芯片生產能力，并在2013年下半年完全投產。
改建的生產線將在28納米工藝節(jié)點上生產最先進的300毫米晶圓移動應用處理器。將于2013年下半年完全投產，并有望緩解對于移動設備應用處理器的快速增長需求。
三星奧斯汀園區(qū)雇用了2500名工人，是其在韓國以外最大的芯片生產基地。三星稱，該園區(qū)還包括一個有200位工程師的研究和設計中心，該中心也將擴建。
三星奧斯汀半導體公司總裁Woosu
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三星 應用芯片 晶圓
12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。
FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設
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ST 晶圓 FD-SOI
為加速發(fā)展450mm(18寸)晶圓世代到來，全球五大半導體業(yè)者IBM、英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺積電和GlobalFoundries在2011年共同成立全球450mm聯盟(Global450Consortium)，并于美國紐約州Albany設立450mm晶圓技術研發(fā)中心。
450mm聯盟成立后，18寸晶圓世代的技術和機臺設備有不少方針已開始確立，是半導體產業(yè)邁入18寸晶圓世代的重要里程碑，另一個重要進展是為了打破微影設備生產技術瓶頸，微影設備大廠A
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IBM 晶圓 450mm
Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內投入量產。
2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產要等到2014年了。
而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。
Rattner指出，Intel
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Intel 晶圓 EUV
北京時間12月8日消息，據國外媒體報道，由于PC市場增速放緩，未來幾個季度市場狀況不明朗，AMD公司決定減少向芯片制造商GlobalFoundries(GF)采購的晶圓數量。
AMD本周四宣布，已修改該公司與GlobalFoundries的晶圓供應協議，將今年第四季度的晶圓采購額縮減至1.15億美元，而2013財年計劃的晶圓采購額為11.5億美元。
AMD公司發(fā)言人德魯·普萊瑞(Drew Prairie)表示，該公司原計劃今年第四季度從GlobalFoundries采購價值5
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AMD 晶圓 平板電腦
· 新研發(fā)平面磁合金
· 兼容CMOS且經濟高效的批量生產工藝
· 成就全球成本最低、密度最高的直流-直流轉換器
HAMPTON, NJ 新澤西州漢普頓(HAMPTON, NJ)——2012年11月27日——集成式電源IC解決方案市場的領導者Enpirion宣布成功推出一種新型磁合金，該磁合金利用晶圓級集成電路極大地縮小了無源磁部件的體積并降低其同化作用。晶圓級磁集成(WLM)是對傳
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Enpirion 薄膜磁芯 晶圓
聯華電子日前(21日)宣布，推出新一代80奈米小尺寸屏幕驅動芯片(SDDI)工藝，此工藝特色在于具備了晶圓專工業(yè)界最富競爭力的SRAM儲存單元。
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聯華 晶圓 SDDI
臺積電等晶圓廠商目前正在積極擴容，以便把先進的制造工藝推向商業(yè)化生產。這種寬容推動2012年下半年半導體制造設備的需求。同時，來自于內存廠商的半導體設備需求預計在2013年繼續(xù)保持低迷狀態(tài)。
在晶圓廠商對半導體設備需求刺激下，臺灣的半導體設備銷售2012年將同比增長8%，達到92.6億美元，在2013年可以維持在90億美元水平。
消息來源表示，2013年臺積電、聯電將把芯片工藝完全遷移到28nm和20nm工藝，將進一步帶動臺灣半導體設備需求。
消息人士指出，在新一代超極本和Windo
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臺積電 晶圓 28nm
晶圓龍頭臺積電(2330)昨天董事會通過約936億元資本預算擴充先進制程產能，與12寸超大晶圓廠廠房興建案，是近期電子業(yè)難得的大手筆動作。
龍頭大廠在先進制程的擴產腳步，不受下半年景氣回檔而停歇。外資高盛證券預期，臺積電今年資本支出將達95億美元，超乎公司預估的83億美元。
在智能手機及平板計算機市場需求驅動下，臺積電以高資本支出策略，企圖甩掉三星、格羅方德等國際競爭大廠。今年初，臺積電資本支出從60億美元資本支出上調至80至85億美元;上季法說，董事長張忠謀表示，年底為止的資本支出將落在
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臺積電 晶圓 28納米
晶圓大廠中美晶今天公告，該公司子公司環(huán)球晶圓今年4月1日透過在日本子公司GWafers以280億日圓并購日商COVALENT MATERIAL公司之半導體晶圓事業(yè)體Covalent Silicon(簡稱CVS)，依股權買賣合約規(guī)定，此購并案最后定案價金應依交割日之凈資產價值再做調整。中美晶已與賣方確定調整后之最后并購價金為234.64億日圓，較4月1日的金額再減日幣45億3500萬，減幅達16%，以更合理的成本取得并增加半導體事業(yè)群的投資報酬績效，將使集團組織綜效更大化。
中美晶今年4月1日正式
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中美晶 半導體 晶圓
聯華電子近日宣布，已順利驗證晶圓專工業(yè)界第一個結合12V解決方案的高壓嵌入式閃存(eFlash)工藝。此工藝可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓，以及存放算法所需的eFlash，結合于同一顆高整合度的單芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。
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聯華電子 晶圓 eFlash
根據顧能(Gartner)預測，今年全球晶圓設備(WFE)支出總計314億美元，年減13.3%，盡管明年可望改善，但仍微幅衰退，直至2014年才有望重回成長軌道。
顧能表示，半導體設備市場因總體經濟疲弱不振而衰退，由于晶圓和其他邏輯晶片制造廠增加30奈米以下的生產，全球晶圓設備市場在今年初始表現強勁，在新邏輯生產設備的需求隨著良率提高而趨緩，導致接下來這段時間的出貨量減少。
顧能預估，晶圓制造廠的產能利用率會在今年底下滑到80%至83%，預計明年底前可望緩步提升至約87%;先進
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晶圓 半導體
還記得上半年時，全球最大半導體設備廠應用材料董事長暨執(zhí)行長麥可.史賓林特(Mike Splinter)說，受惠行動裝置對3G/4G LTE基頻芯片、ARM應用處理器的爆炸性需求，今年會是晶圓代工年(Year of Foundry)。
相較今年全球半導體市場產值可能僅與去年持平，晶圓代工市場今年產能，的確有機會較去年成長逾10%，龍頭大廠臺積電的成長力道，幾乎是推升市場成長的唯一動能。
看著蘋果iPhone、三星Galaxy S3等智能型手機的全球熱賣，臺積電今年的成長動能，的確
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晶圓 半導體
全球有線及無線通信半導體創(chuàng)新方案領導廠商博通(Broadcom)公司宣布適用于嵌入式裝置的全新Wi-Fi系統(tǒng)單芯片(SoC)。BCM4390芯片屬于 博通嵌入式無線網絡鏈接裝置(Wireless Internet Connectivity for Embedded Devices，WICED)產品組合內的一員，該產品組合將于2013年臺北國際計算機展上發(fā)表展示
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Wi-Fi 博通 晶圓
全球最大的在線IP智囊ChipEstimate.com，于9月24日宣布Global Unichip公司 (GUC)，暨Flexible ASIC LeaderTM 已簽約成為該門戶的最新合作伙伴。GUC加盟ChipEstimate.com，利用其廣泛的IP產品組合，為不斷擴大的系統(tǒng)、IDM和無工廠市場開發(fā)定制的ASIC。
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Global 晶圓
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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