晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長(zhǎng)　搶先進(jìn)制程時(shí)效成勝負(fù)關(guān)鍵

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在近來(lái)的多次演講中，皆提及未來(lái) 2011~2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)溫和成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。惟晶圓廠之間先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)賽不停歇，臺(tái)積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時(shí)間13日的臺(tái)積電技術(shù)論壇上，突然表態(tài)將跳過(guò)22奈米，直接切入20奈米，預(yù)計(jì)2012年第3季導(dǎo)入生產(chǎn)。雖然此舉是臺(tái)積電基于替客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值而作的決定，但外界認(rèn)為，這也是為了拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Global Foundries的技術(shù)差距。　　延續(xù)張忠謀對(duì)先進(jìn)制程的看法，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義隨后在會(huì)中的演講中表示，該公司將
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 22nm 晶體管

納米管RFID更好的條形碼

　　塑料RFID標(biāo)簽將是第一款使用了打印的納米管晶體管的產(chǎn)品。　　無(wú)線射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽使得繳納通行費(fèi)和公共交通費(fèi)變得輕而易舉。但是由硅制成的標(biāo)簽還是太貴，無(wú)法替代無(wú)處不在的條形碼通過(guò)遠(yuǎn)程掃描仍在籃子里的貨物那樣加快商場(chǎng)結(jié)賬的速度。　　卷軸：如果開(kāi)發(fā)者能將價(jià)格降到1美分甚至更低，用滾筒式打印的塑料RFID標(biāo)簽或許可以替代條形碼。　　廉價(jià)的塑料RFID標(biāo)簽可能很快會(huì)改變這種情況。韓國(guó)順天的研究人員已經(jīng)利用一系列工業(yè)方法在塑料薄膜上打印了RFID標(biāo)簽：滾筒式打印、噴墨打印和硅橡膠沖壓。他們使
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SUMCO在俄亥俄州的200mm生產(chǎn)線待售

　　SUMCO把它在俄亥俄州近Cincinnati的半導(dǎo)體生產(chǎn)線待售, 目前正在尋找買(mǎi)主, 可能不是謀求先進(jìn)技術(shù), 包括太陽(yáng)能, 電池, 甚至數(shù)據(jù)中心。　　該生產(chǎn)線有30年歷史，工廠占地面積100英畝, 位于Cincinnati北面30英里, 它采用5-6英寸硅片或外延片, 進(jìn)行分立器件生產(chǎn)，包括晶體管, 二極管, 閘流管及控制器。　　生產(chǎn)線有200，000平方英尺，包括>70,000平方英尺的凈化級(jí)別的100-10,000凈化廠房。公司表示盡管是老廠房，但是經(jīng)過(guò)逐年改造還是有大量的現(xiàn)代化和
關(guān)鍵字： SUMCO 晶體管二極管閘流管及控制器

隧道二極管與晶體管的組合使用

國(guó)產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時(shí)，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點(diǎn)電流
關(guān)鍵字：使用組合晶體管二極管隧道

后摩爾定律時(shí)代誰(shuí)來(lái)主導(dǎo)芯片產(chǎn)業(yè)

　　在摩爾定律引領(lǐng)下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限，芯片產(chǎn)業(yè)迫切需要替代技術(shù)。目前尚處于研發(fā)狀態(tài)中的各種新的芯片生產(chǎn)技術(shù)—分子計(jì)算、生物計(jì)算、量子計(jì)算、石墨烯等技術(shù)中，誰(shuí)將最終勝出? 　　1965年，芯片產(chǎn)業(yè)的先驅(qū)戈登-摩爾(GordonMoore)發(fā)布了著名的摩爾定律：集成電路芯片的復(fù)雜程度每過(guò)兩年就會(huì)增加一倍。此后的幾十年來(lái)，在這一定律的指引下，芯片制造工藝的進(jìn)步讓芯片的晶體管尺寸得以不斷縮小，從而使電氣信號(hào)傳輸?shù)木嚯x更短，處理速度也更快。　　對(duì)電子行業(yè)和消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，摩爾定律意
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開(kāi)關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。　　這些晶體管稱(chēng)為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管
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Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊

　　Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟(jì)型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無(wú)線通信應(yīng)用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅(qū)動(dòng)放大器使用，這些面向移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用設(shè)計(jì)的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機(jī)頂盒等各種其他無(wú)線通信應(yīng)
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愛(ài)爾蘭科學(xué)家開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管

　　愛(ài)爾蘭丁鐸爾國(guó)家研究院的科學(xué)家最近宣稱(chēng)他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱(chēng)此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大，可大大簡(jiǎn)化晶體管的制造工藝復(fù)雜程度。這種晶體管采用類(lèi)似Finfet的結(jié)構(gòu)，將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu)，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個(gè)原子的直徑加起來(lái)那么大。　　該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門(mén)限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn)，而且還可以兼容于CMOS工藝。　　硅溝道中的電
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CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。　　VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
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NXP 推出全新60 V和100 V晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶(hù)提供眾多實(shí)用價(jià)值。　　LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢(shì)和可靠性。LFPAK是汽車(chē)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的
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法國(guó)研究人員開(kāi)發(fā)出新型智能晶體管

　　法國(guó)研究人員最新開(kāi)發(fā)出一種新型智能晶體管，它能夠模仿神經(jīng)系統(tǒng)的運(yùn)行模式，對(duì)圖像進(jìn)行識(shí)別，幫助電腦完成更加復(fù)雜的任務(wù)。　　法國(guó)國(guó)家科研中心和法國(guó)原子能委員會(huì)的研究人員在最新一期《先進(jìn)功能材料》雜志上介紹說(shuō)，普通晶體管功能單一，無(wú)法完成圖像識(shí)別和處理等復(fù)雜任務(wù)。　　他們此次開(kāi)發(fā)的這種名為Nomfet的新型晶體管中，含有一種納米微粒，它能像人腦的神經(jīng)系統(tǒng)一樣靈活調(diào)整電子信號(hào)。　　參與研究的多米尼克·維堯姆介紹說(shuō)，在信息處理的過(guò)程中，Nomfet還可以與周邊晶體管互通有無(wú)，更好地對(duì)不
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串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路解析分析方法的研究

1 串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電
關(guān)鍵字：晶體管穩(wěn)壓電路

美韓科學(xué)家制成世界上首個(gè)分子晶體管

　　美國(guó)耶魯大學(xué)23日發(fā)表新聞公報(bào)稱(chēng)，該校及韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)研究院科學(xué)家最近合作制成世界上首個(gè)分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個(gè)苯分子。　　研究人員說(shuō)，苯分子在附著到黃金觸點(diǎn)上后，就可以發(fā)揮硅晶體管一樣的作用。研究人員能夠利用通過(guò)觸點(diǎn)施加在苯分子上的電壓，操縱苯分子的不同能態(tài)，進(jìn)而控制流經(jīng)該分子的電流。　　負(fù)責(zé)這項(xiàng)研究的耶魯大學(xué)工程和應(yīng)用科學(xué)系教授馬克·里德說(shuō)：“這就像推一個(gè)球滾過(guò)山頂，球就代表電流，而山的高度則代表苯分子的不同能態(tài)。我們能夠調(diào)整山的高度，山低時(shí)允許電
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應(yīng)用于晶體管圖示儀的CPLD控制器設(shè)計(jì)

晶體管圖示儀是電路設(shè)計(jì)中常用的電子儀器，它能夠顯示晶體管的輸入特性、輸出特性和轉(zhuǎn)移特性等多種曲線和參數(shù)。它不僅可以測(cè)量晶體二極管和三極管，還可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管、隧道二極管、單結(jié)晶體管、可控硅和光耦
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TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)

0 引言　　TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開(kāi)關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管時(shí)，首先是如何提高晶體管的反壓，降低集電區(qū)雜質(zhì)濃度NC。但由于電阻率ρC的增大，集電區(qū)體電阻
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]