晶體管文章最新資訊

借鑒國際經(jīng)驗推動我國IC產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展

　　1947年第一只晶體管在貝爾實驗室誕生，揭開了電子信息技術(shù)發(fā)展新紀元。1958年德州儀器公司和仙童公司成功地開發(fā)出全球第一顆集成電路。半個世紀以來，微電子技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè)的崛起，大大推動了信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，促進了經(jīng)濟繁榮和社會進步?，F(xiàn)在，芯片、微處理器、存儲器等集成電路產(chǎn)品，已不再是技術(shù)名詞，而是與人們?nèi)粘Ｉ钚萜菹嚓P(guān)的東西;專業(yè)內(nèi)常用的摩爾定律、晶圓代工線(Foundry)、無制造線集成電路企業(yè)(Fabless)、集成器件制造模式(IDM)等已成為社會經(jīng)濟學界日常討論的內(nèi)容。當今集成電路技術(shù)已進入納
關(guān)鍵字：集成電路晶體管摩爾定律模擬IC

單電子晶體管研制成功或重新精確定義電流單位

　　芬蘭與美國的一個研究小組研制出單電子晶體管(SET)它能將振蕩電壓轉(zhuǎn)換成非常精確的電流，這有望更精確重新定義電流的基本單位———安培。該項科研成果刊登在近期出版的《納米科學與技術(shù)在線資源》網(wǎng)站上。　　安培、伏特及歐姆是電子學的三大基本單位，后兩者分別通過約瑟夫森電壓和量子化霍爾電阻的測量而得，然而目前的安培測量技術(shù)卻還延續(xù)著十九世紀使用的版本：真空中相距1米的兩根無限長且圓截面可忽略的平行導線內(nèi)通過一恒定電流，當兩導線每米長度之間產(chǎn)生的力等于2
關(guān)鍵字：單電子晶體管研制

壓電振蕩器供給白光LED發(fā)光

　　壓電陶瓷蜂鳴器從單電池為白光LED供能。　　接收單電池供電的LED驅(qū)動器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡單的為壓電蜂鳴器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電陶瓷片，帶雙面電極，用可傳導粘合劑貼在黃銅、不銹鋼或類似材料制成的金屬板上。電路使用三端壓電轉(zhuǎn)換器。在這個轉(zhuǎn)換器中，模片在其中一個電極上有反應標記。電感和容性器件之間諧振產(chǎn)生振蕩。工作的頻率為：fOSC=1/(2π 　　　　)，在
關(guān)鍵字： LED 振蕩器晶體管發(fā)光二極管 LED

LSI 慶祝晶體管發(fā)明 60 周年

　　LSI 公司日前宣布向位于加利福尼亞州山景市 (Mountain View) 的計算機歷史博物館捐贈了其首枚晶體管的復制品，以慶祝晶體管發(fā)明 60 周年。　　晶體管是1947 年 12 月 16 日由貝爾實驗室的科學家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同發(fā)明的，它是當今集成電路的構(gòu)建塊，而集成電路則是從電腦到手機乃至導彈和心臟起搏器等各種產(chǎn)品的中樞。晶體管于1951 年最早由位于賓夕法尼亞州阿倫敦聯(lián)合大道 (Union Boul
關(guān)鍵字： LSI 晶體管集成電路嵌入式

回顧歷史——晶體管誕生60周年

在半導體產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的今天，讓我們一起來閱讀這段60年前的歷史…... LSI 熱烈慶祝晶體管誕生 60 周年 60年前的1947年12月，3 名貝爾試驗室的科學家共同發(fā)明了晶體管，從而開辟了現(xiàn)代電子時代，包括當今的LSI在內(nèi)的全球性產(chǎn)業(yè)也由此誕生。 &nbs
關(guān)鍵字：晶體管誕生 60 周年元件制造

摩爾定律十年后失效業(yè)界爭議甚囂塵上

　　今年12月16日是晶體管誕生60周年紀念日，但是摩爾定律的發(fā)現(xiàn)者，英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登▪摩爾卻在接受美聯(lián)社采訪時說，摩爾定律還只能延續(xù)十年，此后在技術(shù)上將會變得十分困難，在他看來，晶體管體積繼續(xù)縮小的物理極限即將達到。美聯(lián)社評論稱，由此，曾經(jīng)驅(qū)動了數(shù)字技術(shù)革命--甚至是現(xiàn)代經(jīng)濟--的半導體技術(shù)引擎將"剎車"停車。　　"摩爾定律"可以簡述為：每18個月，同一面積芯片上可以集成的晶體管數(shù)量將翻一番，而價格下降一半。問世40多年來，摩爾定律對推動整個半導體行業(yè)發(fā)展，驅(qū)動數(shù)字革命和加速信息
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機晶體管半導體摩爾定律 IC 制造制程

2015年全球存儲芯片市場規(guī)模將達216億美元

　　據(jù)市場研究公司NanoMarkets最新發(fā)表的研究報告稱，包裝、顯示屏、智能卡、傳感器等行業(yè)對柔性大面積電子電路的需求將推動有機晶體管和存儲芯片市場在2015年達到216億美元。雖然有機存儲芯片的增長低于有機薄膜晶體管的增長，但是，它將迅速趕上來。到2015年，將有價值161億美元的電子產(chǎn)品中將包含有機存儲芯片。這篇報告的要點包括：　　
關(guān)鍵字：存儲芯片晶體管存儲器

晶體管型號一概表2

晶體管型號反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率管子類型 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP 2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP
關(guān)鍵字：晶體管型號元件制造

晶體管型號一概表1

晶體管型號反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率管子類型 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V
關(guān)鍵字：晶體管型號元件制造

FPGA加速滲透非傳統(tǒng)應用領(lǐng)域

　　自從1985年首款FPGA器件誕生以來，F(xiàn)PGA產(chǎn)業(yè)一方面修煉內(nèi)功——從技術(shù)上來說，工藝從2μm發(fā)展到65nm，晶體管數(shù)量從8.5萬個增長到10億個以上;另一方面向外擴張——應用領(lǐng)域從最初的通信業(yè)不斷向消費電子、汽車、工業(yè)控制等滲透，同時在不斷“蠶食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式處理器的市場。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導廠商也不再是20多年前的孤軍奮戰(zhàn)，在其周圍，F(xiàn)PGA開發(fā)和應用的生態(tài)系統(tǒng)已然初步形成，大大促進了FPGA產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。　　“非傳統(tǒng)”應用領(lǐng)域
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA 晶體管 DSP MCU和嵌入式微處理器

CEO如是說：對于可持續(xù)發(fā)展，電子行業(yè)做得太少

　　Applied CEO Mike Splinter指出，在生態(tài)可持續(xù)發(fā)展方面，電子行業(yè)做的還太少，在半導體制造業(yè)必須開始朝一個目標努力。Splinter指出，半導體行業(yè)持續(xù)地關(guān)注電子產(chǎn)品的速度和性能，而不夠重視能源使用效率。他說，未來的芯片架構(gòu)必須關(guān)注功率優(yōu)化。Splinter補充說，隨著消費電子中半導體產(chǎn)品的使用，芯片在可持續(xù)發(fā)展上扮演著重要的角色。　　在和印度半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(India Semiconductor Association)的一位成員交談時，Splinter說尤其在少數(shù)半導體制造
關(guān)鍵字：消費電子電子行業(yè) 晶體管消費電子

提供過電流和過電壓保護的斷路器

斷路器在汽車系統(tǒng)中很有用，既需要過電流檢測防止有故障的負載、也需要過電壓保護避免敏感電路不受高能負載突 ...
關(guān)鍵字：集電極晶體管負載

使用雙極晶體管進行鋰離子電池充電

序言隨著便攜式手持設備(如手機、PDA等)的功能不斷增加，加上對較小體積與更長電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點討論主要離散參數(shù)與選擇標準。鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個鋰離子電池的典型充電周期。預充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類及不同的生產(chǎn)商。而
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 0708_A 雜志_技術(shù)長廊晶體管鋰離子模擬IC 電源

Zetex晶體管提升電源功率密度

模擬信號處理及功率管理解決方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設備中MOSFET柵極驅(qū)動需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 Zetex亞太區(qū)銷售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至1
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) Zetex 晶體管電源功率模擬IC 電源

應用材料公司推出Centura Carina Etch系統(tǒng)克服高K介電常數(shù)

近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統(tǒng)用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點上采用高K介電常數(shù)/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應用材料公司的Carina技術(shù)具有獨一無二的表現(xiàn)，它能達到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產(chǎn)品殘留物。應用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務
關(guān)鍵字：測試測量應用材料晶體管刻蝕 IC 制造制程

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]