晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

借鑒國(guó)際經(jīng)驗(yàn) 推動(dòng)我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展

　　1947年第一只晶體管在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生，揭開(kāi)了電子信息技術(shù)發(fā)展新紀(jì)元。1958年德州儀器公司和仙童公司成功地開(kāi)發(fā)出全球第一顆集成電路。半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，微電子技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè)的崛起，大大推動(dòng)了信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，促進(jìn)了經(jīng)濟(jì)繁榮和社會(huì)進(jìn)步?，F(xiàn)在，芯片、微處理器、存儲(chǔ)器等集成電路產(chǎn)品，已不再是技術(shù)名詞，而是與人們?nèi)粘Ｉ钚萜菹嚓P(guān)的東西;專(zhuān)業(yè)內(nèi)常用的摩爾定律、晶圓代工線(Foundry)、無(wú)制造線集成電路企業(yè)(Fabless)、集成器件制造模式(IDM)等已成為社會(huì)經(jīng)濟(jì)學(xué)界日常討論的內(nèi)容。當(dāng)今集成電路技術(shù)已進(jìn)入納
關(guān)鍵字：集成電路晶體管摩爾定律模擬IC

單電子晶體管研制成功或重新精確定義電流單位

　　芬蘭與美國(guó)的一個(gè)研究小組研制出單電子晶體管(SET)它能將振蕩電壓轉(zhuǎn)換成非常精確的電流，這有望更精確重新定義電流的基本單位———安培。該項(xiàng)科研成果刊登在近期出版的《納米科學(xué)與技術(shù)在線資源》網(wǎng)站上。　　安培、伏特及歐姆是電子學(xué)的三大基本單位，后兩者分別通過(guò)約瑟夫森電壓和量子化霍爾電阻的測(cè)量而得，然而目前的安培測(cè)量技術(shù)卻還延續(xù)著十九世紀(jì)使用的版本：真空中相距1米的兩根無(wú)限長(zhǎng)且圓截面可忽略的平行導(dǎo)線內(nèi)通過(guò)一恒定電流，當(dāng)兩導(dǎo)線每米長(zhǎng)度之間產(chǎn)生的力等于2
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壓電振蕩器供給白光LED發(fā)光

　　壓電陶瓷蜂鳴器從單電池為白光LED供能。　　接收單電池供電的LED驅(qū)動(dòng)器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點(diǎn)亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡(jiǎn)單的為壓電蜂鳴器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動(dòng)白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電陶瓷片，帶雙面電極，用可傳導(dǎo)粘合劑貼在黃銅、不銹鋼或類(lèi)似材料制成的金屬板上。電路使用三端壓電轉(zhuǎn)換器。在這個(gè)轉(zhuǎn)換器中，模片在其中一個(gè)電極上有反應(yīng)標(biāo)記。電感和容性器件之間諧振產(chǎn)生振蕩。工作的頻率為：fOSC=1/(2π 　　　　)，在
關(guān)鍵字： LED 振蕩器晶體管發(fā)光二極管 LED

LSI 慶祝晶體管發(fā)明 60 周年

　　LSI 公司日前宣布向位于加利福尼亞州山景市 (Mountain View) 的計(jì)算機(jī)歷史博物館捐贈(zèng)了其首枚晶體管的復(fù)制品，以慶祝晶體管發(fā)明 60 周年。　　晶體管是1947 年 12 月 16 日由貝爾實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同發(fā)明的，它是當(dāng)今集成電路的構(gòu)建塊，而集成電路則是從電腦到手機(jī)乃至導(dǎo)彈和心臟起搏器等各種產(chǎn)品的中樞。晶體管于1951 年最早由位于賓夕法尼亞州阿倫敦聯(lián)合大道 (Union Boul
關(guān)鍵字： LSI 晶體管集成電路嵌入式

回顧歷史——晶體管誕生60周年

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的今天，讓我們一起來(lái)閱讀這段60年前的歷史…... LSI 熱烈慶祝晶體管誕生 60 周年 60年前的1947年12月，3 名貝爾試驗(yàn)室的科學(xué)家共同發(fā)明了晶體管，從而開(kāi)辟了現(xiàn)代電子時(shí)代，包括當(dāng)今的LSI在內(nèi)的全球性產(chǎn)業(yè)也由此誕生。 &nbs
關(guān)鍵字：晶體管誕生 60 周年元件制造

摩爾定律十年后失效業(yè)界爭(zhēng)議甚囂塵上

　　今年12月16日是晶體管誕生60周年紀(jì)念日，但是摩爾定律的發(fā)現(xiàn)者，英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登▪摩爾卻在接受美聯(lián)社采訪時(shí)說(shuō)，摩爾定律還只能延續(xù)十年，此后在技術(shù)上將會(huì)變得十分困難，在他看來(lái)，晶體管體積繼續(xù)縮小的物理極限即將達(dá)到。美聯(lián)社評(píng)論稱(chēng)，由此，曾經(jīng)驅(qū)動(dòng)了數(shù)字技術(shù)革命--甚至是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)--的半導(dǎo)體技術(shù)引擎將"剎車(chē)"停車(chē)。　　"摩爾定律"可以簡(jiǎn)述為：每18個(gè)月，同一面積芯片上可以集成的晶體管數(shù)量將翻一番，而價(jià)格下降一半。問(wèn)世40多年來(lái)，摩爾定律對(duì)推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，驅(qū)動(dòng)數(shù)字革命和加速信息
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 晶體管半導(dǎo)體摩爾定律 IC 制造制程

2015年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)216億美元

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司NanoMarkets最新發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng)，包裝、顯示屏、智能卡、傳感器等行業(yè)對(duì)柔性大面積電子電路的需求將推動(dòng)有機(jī)晶體管和存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在2015年達(dá)到216億美元。雖然有機(jī)存儲(chǔ)芯片的增長(zhǎng)低于有機(jī)薄膜晶體管的增長(zhǎng)，但是，它將迅速趕上來(lái)。到2015年，將有價(jià)值161億美元的電子產(chǎn)品中將包含有機(jī)存儲(chǔ)芯片。這篇報(bào)告的要點(diǎn)包括：　　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 芯片晶體管存儲(chǔ)器

晶體管型號(hào)一概表2

晶體管型號(hào) 反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率管子類(lèi)型 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP 2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP
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晶體管型號(hào)一概表1

晶體管型號(hào) 反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率管子類(lèi)型 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V
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FPGA加速滲透非傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

　　自從1985年首款FPGA器件誕生以來(lái)，F(xiàn)PGA產(chǎn)業(yè)一方面修煉內(nèi)功——從技術(shù)上來(lái)說(shuō)，工藝從2μm發(fā)展到65nm，晶體管數(shù)量從8.5萬(wàn)個(gè)增長(zhǎng)到10億個(gè)以上;另一方面向外擴(kuò)張——應(yīng)用領(lǐng)域從最初的通信業(yè)不斷向消費(fèi)電子、汽車(chē)、工業(yè)控制等滲透，同時(shí)在不斷“蠶食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式處理器的市場(chǎng)。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商也不再是20多年前的孤軍奮戰(zhàn)，在其周?chē)現(xiàn)PGA開(kāi)發(fā)和應(yīng)用的生態(tài)系統(tǒng)已然初步形成，大大促進(jìn)了FPGA產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。　　“非傳統(tǒng)”應(yīng)用領(lǐng)域
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FPGA 晶體管 DSP MCU和嵌入式微處理器

CEO如是說(shuō)：對(duì)于可持續(xù)發(fā)展，電子行業(yè)做得太少

　　Applied CEO Mike Splinter指出，在生態(tài)可持續(xù)發(fā)展方面，電子行業(yè)做的還太少，在半導(dǎo)體制造業(yè)必須開(kāi)始朝一個(gè)目標(biāo)努力。Splinter指出，半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)地關(guān)注電子產(chǎn)品的速度和性能，而不夠重視能源使用效率。他說(shuō)，未來(lái)的芯片架構(gòu)必須關(guān)注功率優(yōu)化。Splinter補(bǔ)充說(shuō)，隨著消費(fèi)電子中半導(dǎo)體產(chǎn)品的使用，芯片在可持續(xù)發(fā)展上扮演著重要的角色。　　在和印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(India Semiconductor Association)的一位成員交談時(shí)，Splinter說(shuō)尤其在少數(shù)半導(dǎo)體制造
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子電子行業(yè) 晶體管消費(fèi)電子

提供過(guò)電流和過(guò)電壓保護(hù)的斷路器

斷路器在汽車(chē)系統(tǒng)中很有用，既需要過(guò)電流檢測(cè)防止有故障的負(fù)載、也需要過(guò)電壓保護(hù)避免敏感電路不受高能負(fù)載突 ...
關(guān)鍵字：集電極晶體管負(fù)載

使用雙極晶體管進(jìn)行鋰離子電池充電

序言隨著便攜式手持設(shè)備(如手機(jī)、PDA等)的功能不斷增加，加上對(duì)較小體積與更長(zhǎng)電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類(lèi)設(shè)備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點(diǎn)討論主要離散參數(shù)與選擇標(biāo)準(zhǔn)。鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個(gè)鋰離子電池的典型充電周期。預(yù)充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類(lèi)及不同的生產(chǎn)商。而
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 0708_A 雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊晶體管鋰離子模擬IC 電源

Zetex晶體管提升電源功率密度

模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設(shè)備中MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 Zetex亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至1
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) Zetex 晶體管電源功率模擬IC 電源

應(yīng)用材料公司推出Centura Carina Etch系統(tǒng)克服高K介電常數(shù)

近日，應(yīng)用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統(tǒng)用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運(yùn)用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)上采用高K介電常數(shù)/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲(chǔ)器件工藝擴(kuò)展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應(yīng)用材料公司的Carina技術(shù)具有獨(dú)一無(wú)二的表現(xiàn)，它能達(dá)到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時(shí)沒(méi)有任何副產(chǎn)品殘留物。應(yīng)用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務(wù)
關(guān)鍵字：測(cè)試測(cè)量應(yīng)用材料晶體管刻蝕 IC 制造制程

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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]