愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內首款非節(jié)型晶體管，并稱此項發(fā)明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個原子的直徑加起來那么大。

　　該研發(fā)團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點，而且還可以兼容于CMOS工藝。

　　硅溝道中的電流由環(huán)繞在溝道周圍的柵極控制，Colinge教授表示這種晶體管的結構與1925年人們提出的理想晶體管的結構非常相似，不過目前為止還沒有人能夠按這種結構制造出實際的器件。

　　目前還不知道這種技術何時能被投入實用，這項技術目前仍處于原型機研制階段，要投入實用預計還需要等上數(shù)年。