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Microchip提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛封裝產(chǎn)品

Microchip推出兼具錫鉛焊鍍材料價(jià)格優(yōu)勢(shì)及向前、向后兼容功能的新型環(huán)保封裝　　全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布，該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無(wú)鉛焊鍍封裝，以符合即將在全球范圍內(nèi)實(shí)施的政府法規(guī)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Microchip將采用霧錫（Matte tin）作為新的焊鍍材料，確保所有的無(wú)鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和錫/鉛焊接工藝，并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專業(yè)無(wú)鉛錫膏的高溫?zé)o鉛工藝。　　歐盟
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Microchip提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛封裝產(chǎn)品

單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布，該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無(wú)鉛焊鍍封裝，以符合即將在全球范圍內(nèi)實(shí)施的政府法規(guī)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Microchip將采用霧錫（Matte tin）作為新的焊鍍材料，確保所有的無(wú)鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和錫/鉛焊接工藝，并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專業(yè)無(wú)鉛錫膏的高溫?zé)o鉛工藝。歐盟將從2006年7月1月起實(shí)施“有害物質(zhì)限制（RoHS）”法令，對(duì)所有在歐盟成員國(guó)內(nèi)生產(chǎn)和銷(xiāo)售的電子設(shè)備的含
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飛兆半導(dǎo)體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢(shì)，能同時(shí)為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)和次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 級(jí)別的產(chǎn)品低38％。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on) (16毫歐) 特性，其品質(zhì)因數(shù)Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 為120
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適用功率MOSFET封裝的選擇

2004年8月A版　　隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)及電信系統(tǒng)等很多最終設(shè)備的功率水平和功率密度的要求持續(xù)不斷提高，對(duì)組成電源管理系統(tǒng)的元部件的性能提出了越來(lái)越高的要求。直到最近，硅技術(shù)一直是提高電源管理系統(tǒng)性能的最重要因素。然而，過(guò)去數(shù)年中硅技術(shù)的改進(jìn)已經(jīng)將MOSFET的RDS(on)和功率半導(dǎo)體的發(fā)熱量降低到了相當(dāng)?shù)偷乃剑灾练庋b限制了器件性能的提高。隨著系統(tǒng)電流要求成指數(shù)性增加，市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了多種先進(jìn)的功率MOSFET封裝。流行的封裝形式包括：DPAK、SO-8、CopperStrap SO-
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飛兆半導(dǎo)體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢(shì)，能同時(shí)為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)和次級(jí)同步整流開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 級(jí)別的產(chǎn)品低38％。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on) (16毫歐) 特性，其品質(zhì)因數(shù)Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 為120
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飛利浦采用DQFN封裝最小的BiCMOS邏輯器件

飛利浦電子公司日前采用微縮超薄四方扁平無(wú)引腳（DQFN）封裝，推出業(yè)界最小的BiCMOS邏輯器件。飛利浦采用DQFN封裝，可以提供與目前較大的BiCMOS邏輯器件同樣的性能特征，而封裝體積卻縮小了35％，強(qiáng)健的發(fā)展藍(lán)圖不斷推動(dòng)成本的降低。飛利浦采用DQFN 封裝的BiCMOS 邏輯器件是空間受限而對(duì)性能有所要求的應(yīng)用的理想選擇，如組網(wǎng)和電信設(shè)備、機(jī)頂盒解決方案及其他許多計(jì)算應(yīng)用。同時(shí)，可以幫助設(shè)計(jì)師進(jìn)一步縮小電路板體積或解放電路板空間，用以增加額外的元件及功能。飛利浦半導(dǎo)體邏輯器件市場(chǎng)總監(jiān)Bruce
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單個(gè)封裝并內(nèi)置高頻參考晶體的可編程擴(kuò)頻晶體振蕩器

賽普拉斯半導(dǎo)體公司近日宣布，其CY25701的批量生產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始，這是一款采用單個(gè)封裝并內(nèi)置高頻參考晶體的可編程擴(kuò)頻晶體振蕩器 (SSXO)。該器件專為與Cypress的多功能、可編程峰值抑制EMI解決方案 (PREMISTM) 擴(kuò)頻芯片一起工作而進(jìn)行了技術(shù)規(guī)格的擬訂、設(shè)計(jì)和測(cè)試，與外部晶體解決方案相比，其設(shè)計(jì)、測(cè)試時(shí)間以及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)成本均得到了明顯的縮減。由于在該器件中集成了頻率合成以及擴(kuò)頻時(shí)鐘功能，因此CY25701能夠在采用板載晶體的情況下高效運(yùn)行。借助該款器件，設(shè)計(jì)者就可以擺脫不易使用的高次晶體或晶體
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飛利浦采用DQFN封裝技術(shù)首推業(yè)內(nèi)最小的BiCMOS 邏輯器件

為滿足市場(chǎng)對(duì)體積更小的電子產(chǎn)品的需求，皇家飛利浦電子公司（NYSE交易代號(hào)：PHG，AEX交易代號(hào)：PHI）日前采用微縮超薄四方扁平無(wú)引腳（DQFN）封裝，推出業(yè)界最小的BiCMOS邏輯器件。飛利浦采用DQFN封裝，可以提供與目前較大的BiCMOS邏輯器件同樣的性能特征，而封裝體積卻縮小了35％，強(qiáng)健的發(fā)展藍(lán)圖不斷推動(dòng)成本的降低。飛利浦采用DQFN 封裝的BiCMOS 邏輯器件是空間受限而對(duì)性能有所要求的應(yīng)用的理想選擇，如組網(wǎng)和電信設(shè)備、機(jī)頂盒解決方案及其他許多計(jì)算應(yīng)用。同時(shí)，可以幫助設(shè)計(jì)師進(jìn)一步縮小
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新一代穩(wěn)壓器需要新型電感封裝

2004年7月B版　　為了滿足計(jì)算機(jī)工業(yè)提出的減小電路板尺寸和提高微處理器PWM控制器效率方面的要求，磁性產(chǎn)品制造商正在尋求一種新的屏蔽磁芯結(jié)構(gòu)，來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鐵粉環(huán)形設(shè)計(jì)。這種在微處理器的計(jì)算能力技術(shù)方面要求降低電壓、提高功率的趨勢(shì)，對(duì)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)提出了挑戰(zhàn)，這是由于瞬態(tài)功率增加而提出的要求。改進(jìn)效率、提高瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間需要更好的電壓調(diào)節(jié)。多數(shù)脈沖寬度調(diào)制器的控制芯片制造商采用多相交疊同步升壓穩(wěn)壓器的電源結(jié)構(gòu)，并使用基于輸出電感器DC電阻技術(shù)的電流讀出拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。　　這對(duì)電感器設(shè)計(jì)帶來(lái)的影響是巨大的，因
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Microchip提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛封裝產(chǎn)品

　　Microchip Technology（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布，該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無(wú)鉛焊鍍封裝，以符合即將在全球范圍內(nèi)實(shí)施的政府法規(guī)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Microchip將采用霧錫（Matte tin）作為新的焊鍍材料，確保所有的無(wú)鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和錫/鉛焊接工藝，并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專業(yè)無(wú)鉛錫膏的高溫?zé)o鉛工藝。　　歐盟將從2006年7月1月起實(shí)施“有害物質(zhì)限制（RoHS）”法令，對(duì)所有在歐盟成員國(guó)內(nèi)生產(chǎn)和銷(xiāo)售的電子設(shè)備的含鉛量加以限制。M
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凌特公司：采用4mmx4mm纖巧型QFN封裝的英特爾xScaleTM微處理器電源管理器

凌特公司（Linear Technology）推出采用 4mm
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Linear推出采用4mmx4mm纖巧型QFN封裝的英特爾xScaleTM微處理器電源管理器

　　凌特公司（Linear Technology）推出采用 4mm
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Microchip提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛封裝產(chǎn)品

　　單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商Microchip Technology（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布，該公司所有的產(chǎn)品自 2005年1月起將采用符合環(huán)保要求的無(wú)鉛焊鍍封裝，以符合即將在全球范圍內(nèi)實(shí)施的政府法規(guī)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。Microchip將采用霧錫（Matte tin）作為新的焊鍍材料，確保所有的無(wú)鉛產(chǎn)品都能向后兼容于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和錫/鉛焊接工藝，并向前兼容用于采用錫/銀/銅等專業(yè)無(wú)鉛錫膏的高溫?zé)o鉛工藝。　　歐盟將從2006年7月1月起實(shí)施“有害物質(zhì)限制（RoHS）”法令，對(duì)所有在歐盟成員國(guó)內(nèi)生產(chǎn)和銷(xiāo)售的電子
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安森美半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)帶ESD保護(hù)、薄型DFN封裝的EMI濾波器陣列

全球領(lǐng)先的一家便攜式和消費(fèi)電子產(chǎn)品用集成元件供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出了四款高度整合、具有靜電放電 (ESD)保護(hù)功能的電磁干擾(EMI)濾波器陣列，采用薄型DFN封裝。此器件針對(duì)手機(jī)的高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)，其4通道、6通道、8通道的濾波器提供優(yōu)異的性能和高可靠性，封裝為從插入式可替換的占位面積（1.35mm
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Microchip推出業(yè)界最精確的SOT-23封裝雙線溫度傳感器

全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology（美國(guó)微芯科技公司）日前發(fā)布業(yè)界最精確的數(shù)字溫度傳感器。新器件采用小巧的SOT-23封裝，最大溫度誤差僅為+/- 1攝氏度，能擷取溫度數(shù)據(jù)，并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字量后傳送至單片機(jī)或中央處理器。新器件僅占用極小的面板空間，能夠更準(zhǔn)確地測(cè)量溫度，保護(hù)和/或校準(zhǔn)系統(tǒng)并提供溫度信息，可幫助設(shè)計(jì)人員有效保護(hù)應(yīng)用，更快地應(yīng)對(duì)溫度變化?！　icrochip MCP980X器件能在約30毫秒內(nèi)把溫度數(shù)據(jù)以9位分辨率轉(zhuǎn)換成數(shù)字量，并通過(guò)I2CT
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對(duì)外公開(kāi)接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問(wèn)級(jí)別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類(lèi)”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類(lèi)的成員。　　封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]