封裝文章最新資訊

凌特采用 MSOP 封裝的500kHz、1.4A（IOUT）36V 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌特公司（Linear Technology）推出具有內(nèi)部 1.9A 電源開關(guān)的電流模式 PWM 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT1936，該器件采用纖巧 8 引線耐熱增強(qiáng)型 MSOP 封裝。LT1936 的 3.6V 至 36V 寬輸入范圍使之非常適用于調(diào)節(jié)來自多種來源的電源，如未穩(wěn)壓的墻上變壓器、24V 工業(yè)電源和汽車電池等。就汽車應(yīng)用而言，器件能夠在低于 4V 的輸入條件下輕松操作，這是汽車“冷車發(fā)動(dòng)”時(shí)所要求的。其 500kHz 工作頻率允許使用微小的低成本電感器和陶瓷電容器，從而產(chǎn)生小的可預(yù)測輸
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用于 DDR/QDR 存儲(chǔ)器終端的雙輸出、兩相、無檢測電阻型同步控制器采用4mm x 4mm DFN 封裝

凌特公司（Linear Technology）推出用于 DDR/QDR 存儲(chǔ)器終端應(yīng)用的兩相、雙輸出同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓控制器 LTC3776。該控制器的第二輸出（VTT）可將其輸出電壓穩(wěn)定在 1/2 VREF（通常是 VDDQ），同時(shí)可對稱地提供或吸收輸出電流。LTC3776 采用 2.75V 至 9.8V 輸入工作，能在無需任何外部偏置情況下采用 3.3V 輸入電壓軌工作。無檢測電阻（No RSENSETM）、恒定頻率、電流模式架構(gòu)免除了增設(shè)檢測電阻的需要，并提高了效率。兩個(gè)控制器異相工作最大限度地降低了
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意法半導(dǎo)體（ST）在多片封裝內(nèi)組裝8顆裸片

2005年4月4日存儲(chǔ)器和微控制器多片封裝技術(shù)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體日前宣布該公司已開發(fā)出能夠疊裝多達(dá)8顆存儲(chǔ)器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(BGA)技術(shù)，這項(xiàng)封裝技術(shù)還可以將兩個(gè)存儲(chǔ)器芯片組裝在一個(gè)厚度僅為0.8mm的超薄細(xì)節(jié)距BGA封裝（UFBGA）內(nèi)，采用這項(xiàng)制造技術(shù)生產(chǎn)的器件可以滿足手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和PDA等體積較小的設(shè)備的存儲(chǔ)需求。 ST的多片封裝（MCP）器件內(nèi)置通常是二到四顆不同類型的存儲(chǔ)芯片，如SRAM、閃
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Siliconix與ST達(dá)成雙面冷卻型MOSFET封裝技術(shù)許可協(xié)議

2005年3月10日意法半導(dǎo)體與Siliconix宣布達(dá)成一項(xiàng)許可協(xié)議，Siliconix將向ST提供最新的功率MOSFET封裝技術(shù)的許可使用權(quán)，這項(xiàng)技術(shù)使用強(qiáng)制性空氣冷卻方法，系統(tǒng)頂端與底部設(shè)有散熱通道，從而使封裝具有更加優(yōu)異的散熱性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司（紐約證券交易所：VSH）持有80.4%股權(quán)的子公司。 Siliconix提供給ST的新封裝命名為Polar
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安森美半導(dǎo)體在便攜式應(yīng)用的分立元件封裝小型化方面領(lǐng)先業(yè)界

2005年4月13日為滿足便攜式產(chǎn)品行業(yè)對分立元件封裝進(jìn)一步小型化的需求，安森美半導(dǎo)體推出50多種SOT-723 平引腳封裝的小信號(hào)晶體管和小信號(hào)二極管。這新型封裝僅利用1.44 mm2的印刷電路板(PCB)面積，可提高硅與封裝之比率，并提供卓越的功耗性能。安森美半導(dǎo)體小信號(hào)產(chǎn)品總經(jīng)理馬文樂(Mamoon Rashid)說，“安森美半導(dǎo)體擁有最廣泛的先進(jìn)技術(shù)，將提供采用SOT-723封裝的小信號(hào)器件
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中芯國際擬與新加坡公司在成都建封裝測試廠

中芯國際(0981.HK)日前宣布將與合作伙伴在四川成都成立集成電路封裝測試廠，業(yè)界猜測該合作伙伴可能是新加坡聯(lián)合測試與裝配中心公司(UTAC)，但雙方均不就此事置評。UTAC發(fā)言人表示，現(xiàn)階段不作評論，也不會(huì)猜測任何市場傳言。　　中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長張汝京上周在分析員電話會(huì)議沒透露合營伙伴的名稱，只表示，待4月正式簽訂合作協(xié)議后，最快5月向外公布。他指出，集團(tuán)將持有該座集成電路封裝測試廠的控股權(quán)，新廠房已于去年底動(dòng)工，預(yù)計(jì)今年9月遷入生
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LinearDFN和SOT-23 封裝的微功率LDO可承受高達(dá) 100V 輸入電壓

凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作，可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓，非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應(yīng)用。7uA（工作時(shí)）和 1uA（關(guān)機(jī)狀態(tài)）的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長工作時(shí)間并由電池供電的存儲(chǔ)器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms 的 100V 輸入瞬態(tài)電壓，是電信和汽車應(yīng)用
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DFN和SOT-23封裝的微功率LDO可承受高達(dá)100V輸入電壓

　2005 年 4 月 5 日凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作，可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓，非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應(yīng)用。7uA（工作時(shí)）和 1uA（關(guān)機(jī)狀態(tài)）的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長工作時(shí)間并由電池供電的存儲(chǔ)器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms
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采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz至1MHz硅振蕩器

凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 時(shí)具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設(shè)備的理想時(shí)鐘芯片，其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個(gè)電阻所占面積。這些振蕩器無需旁路電容，可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。與晶體和陶瓷諧振器不同，LTC6906 不受加速、沖擊和震動(dòng)問題的困擾。其時(shí)鐘啟動(dòng)時(shí)間僅為 200us，非常適用于時(shí)鐘速度可能降低或甚至關(guān)斷時(shí)鐘以節(jié)省功率的便攜式設(shè)備。LTC
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采用ThinSOT封裝的超低功率10kHz 至1MHz硅振蕩器

　　凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 時(shí)具有 18uA 超低工作電流的 LTC6906 可編程硅振蕩器。LTC6906 是便攜式設(shè)備的理想時(shí)鐘芯片，其占板面積僅為 LTC6906 ThinSOTTM 封裝和一個(gè)電阻所占面積。這些振蕩器無需旁路電容，可以編程至介于 10kHz 至 1MHz 之間的任何頻率。　　與晶體和陶瓷諧振器不同，LTC6906 不受加速、沖擊和震動(dòng)問題的困擾。其時(shí)鐘啟動(dòng)時(shí)間僅為 200us，非常適用于時(shí)鐘速度可能降低或甚至關(guān)斷時(shí)鐘以節(jié)省功率的便攜式
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鋁碳化硅為電子封裝提供熱管理解決方案

2004年10月B版簡介利用最先進(jìn)的材料設(shè)計(jì)低成本的高度可靠的微波電子、微電子、光電子和功率半導(dǎo)體系統(tǒng)是不現(xiàn)實(shí)的。為了保證此類設(shè)備的可靠性，需要電子封裝和襯底熱管理解決方案，因此工程師需要既能夠提供熱管理特性，同時(shí)又能夠在更小型的設(shè)計(jì)中達(dá)到最優(yōu)功率密度的材料。要低成本生產(chǎn)此類材料需要滿足封裝設(shè)計(jì)功能要求的健壯成型工藝。鋁碳化硅(AlSiC)金屬基體復(fù)合材料為電子封裝提供了高度可靠且成本經(jīng)濟(jì)的熱管理解決方案。它可提供高熱傳導(dǎo)率(~200 W/mK)以及可調(diào)的低熱膨脹系數(shù)(CTE)。對于需要減輕重量以及需要耐
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安森美半導(dǎo)體推出微型封裝電壓抑制器件

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出全新高性能、微型封裝的靜電放電（ESD）保護(hù)二極管系列，專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護(hù)而設(shè)計(jì)。新系列中的五個(gè)ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1（2.5 V）, ESD5Z3.3T1（3.3 V）, ESD5Z5.0T1 （5.0 V）, ESD5Z6.0T1（6.0 V）和ESD5Z7.0T1（7.0 V）。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設(shè)計(jì)，防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kV的輸入波形（符合 IEC61000
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Crolles2 聯(lián)盟合作研發(fā)先進(jìn)的CMOS圓晶封裝檢測技術(shù)

　　Crolles2 聯(lián)盟成員飛思卡爾、飛利浦與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大了該聯(lián)盟的半導(dǎo)體合作研發(fā)活動(dòng)范圍，合作項(xiàng)目除最初的100-nm以下的CMOS制造工藝外還包括了相關(guān)的晶片檢測與封裝的研發(fā)活動(dòng)。　　飛利浦半導(dǎo)體公司高級(jí)副總裁兼技術(shù)總監(jiān)Ren
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Casio和瑞薩半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)進(jìn)行合作

　　Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議，Casio授權(quán)瑞薩科技使用其晶園片級(jí)封裝 (WLP) 半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)。　　這個(gè)協(xié)議標(biāo)志著Casio首次授權(quán)其它日本半導(dǎo)體器件制造商使用其WLP技術(shù)。　　協(xié)議的要點(diǎn)如下：　　1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎(chǔ)上向瑞薩科技提供其WLP技術(shù)。瑞薩科技將在其半導(dǎo)體器件制造過程中積極使用WLP。　　2.瑞薩科技被授權(quán)使用WLP制造和銷售芯片級(jí)封裝 (CSP)*1產(chǎn)品，瑞薩科技可以自行制造也可以通過其子公司進(jìn)行制造。
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Casio和瑞薩科技在半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)方面進(jìn)行合作

— 努力推動(dòng)WLP (晶圓片級(jí)封裝) 技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化 — 　　東京，2005年1月18日— Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議，Casio授權(quán)瑞薩科技使用其晶園片級(jí)封裝 (WLP) 半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)。　　這個(gè)協(xié)議標(biāo)志著Casio首次授權(quán)其它日本半導(dǎo)體器件制造商使用其WLP技術(shù)。協(xié)議的要點(diǎn)如下： 1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎(chǔ)上向瑞薩科技提供其WLP技術(shù)。瑞薩科技將在其半導(dǎo)體器件制造過程中積極使用WLP。 2.瑞薩科技被授權(quán)使用WLP制造和銷售芯片級(jí)封
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級(jí)別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。　　封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]