存儲文章進入存儲技術社區(qū)

SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

· 作為業(yè)界最高性能產品，將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品，其產品實現(xiàn)業(yè)界最高
關鍵字： SK海力士 AI 存儲 NAND

三星存儲業(yè)務重心轉向企業(yè)領域：目標今年 HBM 產量增加 3 倍，明年再翻番

IT之家 5 月 8 日消息，三星公司在最近召開的財報電話會議中表示，未來公司存儲業(yè)務的重心不再放在消費級 PC 和移動設備上，而是放在 HBM、DDR5 服務器內存、企業(yè)級 SSD 等企業(yè)市場。IT之家翻譯三星存儲業(yè)務副總裁 Kim Jae-june 在電話會議上表達內容如下：我們計劃到 2024 年年底，HBM 芯片的供應量比去年增加 3 倍以上。我們已經完成協(xié)調 HBM 芯片供應商，在共同努力下目標在 2025 年讓 HBM 芯片產量再翻一番。英偉達目前已經轉型成為 AI 硬件巨頭，成為全
關鍵字：三星存儲

全球五大存儲原廠最新財報公布！

近期，存儲五大廠三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)最新一季財報已紛紛披露，五大廠業(yè)績均呈上行態(tài)勢。目前觀察市況手機、PC和服務器等終端應用需求回溫，帶動存儲器需求上漲，但值得注意的是，行業(yè)總體復蘇態(tài)勢有所放緩，市場期待后續(xù)存儲新技術帶動市場持續(xù)回溫。存儲五大廠業(yè)績均呈上行態(tài)勢三星：新機發(fā)布疊加存儲漲價，一季度凈利潤同比增長931.87%4月30日，三星電子發(fā)布一季度最新財報。據(jù)悉，受益于Galaxy S24旗艦手機銷售強勁，加上存儲器價格上漲，并且高附加值產品需求提升，三星電子一季度財銷售額71.
關鍵字：存儲財報

江波龍嵌入式存儲選型指南

FORESEE嵌入式存儲產品線于2011年創(chuàng)立，同年推出國內首款量產eMMC。經過十余年與行業(yè)客戶的共同成長，目前 FORESEE嵌入式存儲涵蓋了Flash、DRAM、多芯片封裝三大類系列產品，廣泛應用于汽車電子、工業(yè)控制、智能手機、平板電腦、智能電視、智能穿戴、網絡通信等諸多領域。同時，嵌入式存儲產品與高通（Qualcomm）、聯(lián)發(fā)科（MediaTek）、紫光展銳（UniSOC）等一眾芯片平臺廠商建立了長期緊密的合作關系，全面滿足全球眾多消費領域、工業(yè)領域、汽車領域等企業(yè)穩(wěn)定可靠的產品供應需求
關鍵字：江波龍存儲嵌入式

全球兩大存儲廠新消息！

近日，三星、鎧俠兩大存儲廠公布新消息：三星量產第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開始量產第9代V-NAND4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產，鞏固了其在NAND閃存市場的地位。據(jù)三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，達到3.2Gbps。除了這個新接口外，三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組，
關鍵字：三星鎧俠存儲

業(yè)界首創(chuàng)512GB CXL AIC內存擴展卡，江波龍革新AI與高性能計算領域內存技術

人工智能大模型計算、高性能計算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等行業(yè)的迅猛發(fā)展，對計算機系統(tǒng)內存性能的需求日益提升，業(yè)界對具備高帶寬、低延遲性能且超大容量的內存需求也愈發(fā)迫切，以支持CPU和GPU進行高速、大吞吐量的浮點運算。在此背景下，江波龍日前在CFMS2024展出了一款基于Compute Express Link (CXL)技術的創(chuàng)新內存擴展設備——CXL 2.0 AIC內存擴展卡，為計算機系統(tǒng)提供了強大的內存支持。據(jù)悉，這款CXL 2.0 AIC內存擴展卡采用了非DRAM on-board封裝設計，可兼容多
關鍵字：江波龍存儲元器件

價格和需求同亮眼，HBM存儲及先進封裝將迎來擴產

市場對人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫存調整卓有成效，以及市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升，內閃存產品價格均開始漲價。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產周期較DDR5更長，投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統(tǒng)售價更高。在此帶動下，從今年
關鍵字： HBM 存儲先進封裝

江波龍企業(yè)級SSD再度通過OpenCloudOS兼容性認證，產品力獲認可

近日，江波龍旗下企業(yè)級存儲產品FORESEE UNCIA 3836系列企業(yè)級SATA SSD產品完成與OpenCloudOS/TencentOS相互兼容認證。測試認證期間整體運行穩(wěn)定，在功能、性能及兼容性方面表現(xiàn)良好。自研高能固件鍛造硬核產品力FORESEE UNCIA 3836系列SATA SSD由江波龍自主研發(fā)，產品經過專業(yè)可靠性設備驗證，打造高可靠、高穩(wěn)定的企業(yè)級存儲方案。該款產品采用128層3D eTLC NAND Flash，支持SATA 6.0Gbps接口，容量覆蓋480GB至3.84TB，耐
關鍵字：江波龍存儲元器件

首顆自研2D MLC NAND Flash 江波龍構建完整的存儲芯片垂直整合能力

江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設計領域，產品及服務獲得客戶高度認可。繼自研SLC NAND Flash系列產品實現(xiàn)規(guī)?；慨a后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產品上，為公司存儲產品組合帶來更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導體存儲品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競爭力。越過高門檻NA
關鍵字：江波龍存儲

FORESEE全新工規(guī)級DDR4 SODIMM，高可靠性助力工業(yè)自動化數(shù)據(jù)存儲

在智能制造與工業(yè)自動化日益精密的今天，數(shù)據(jù)處理的實時性、穩(wěn)定性和耐久性成為衡量系統(tǒng)性能的關鍵指標，內存條作為存儲系統(tǒng)的核心部件，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個系統(tǒng)的運行效果，尤其是在工業(yè)控制、電力應用、電信設備等關鍵領域，對內存條的穩(wěn)定性和耐用性要求更為嚴苛。近日，江波龍推出全新的FORESEE工規(guī)級DDR4 SODIMM，為嚴苛工業(yè)環(huán)境下的計算機系統(tǒng)提供強大而可靠的“穩(wěn)定內核”。FORESEE工規(guī)級DDR4 SODIMM覆蓋4GB、8GB、16GB、32GB多種容量選擇，擁有1R×8、2R×8、1R×16
關鍵字：江波龍存儲元器件

消息稱三星 Galaxy Watch 7 存儲空間增加到 32GB，共有三個版本

3 月 25 日消息，據(jù)外媒 SamMobile 報道，Galaxy Unpacked 活動將于2024 年 7 月舉行，比以往要提前幾周?，F(xiàn)在，關于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光?！鳪alaxy Watch 6根據(jù)爆料，三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個版本，比以往多一個，但仍然不知道被命名為什么。三星還升級新品的存儲空間，將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB，用來存儲戶外鍛煉的離線音樂、應用程序以及
關鍵字：三星 Galaxy Watch 7 存儲 32GB

美光表示24年和25年大部分時間的高帶寬內存已售罄

美光目前在高帶寬內存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因為該公司表示其 HBM3E 內存供應已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計算，因此美光似乎準備搶占相當大的HBM市場份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經售罄，我們 2025 年的絕大部分供應已經分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財報電話會議準備的講話中表示?！拔覀兝^續(xù)預計 HBM
關鍵字：美光存儲 AI HBM

CFMS2024 | 江波龍：突破存儲模組經營魔咒

3月20日，2024中國閃存市場峰會（以下簡稱“CFMS2024”）在深圳成功舉行，本屆CFMS2024以“存儲周期激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲產業(yè)鏈及終端應用企業(yè)，共同探討新的市場形勢下的機遇。在CFMS2024峰會上，江波龍董事長、總經理蔡華波發(fā)表了題為《突破存儲模組經營魔咒》的演講，分享公司從“存儲模組廠”向“半導體存儲品牌企業(yè)”全面轉型升級的戰(zhàn)略布局，以及如何實現(xiàn)從銷售模式到用芯服務的模式跨越。（江波龍董事長、總經理蔡華波）蔡華波深入剖析了存儲模組廠當前面臨的經營痛點。隨著市場競
關鍵字：江波龍存儲元器件

SK海力士超高性能AI存儲器‘HBM3E’，全球首次投入量產并開始向客戶供貨

· 繼HBM3，其擴展版HBM3E也率先進入量產階段· 研發(fā)完成后僅隔7個月開始向客戶供貨，期待能實現(xiàn)最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲技術全球領先地位，并鞏固業(yè)務競爭力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產超高性能用于AI的存儲器新產品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實現(xiàn)了全球首次向客戶供應現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3
關鍵字： SK 海力士存儲 AI

集邦咨詢：存儲新技術DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續(xù)突破。按照不
關鍵字：存儲 DDR HBM

共779條 6/52 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

存儲介紹

存儲　　cún chǔ 　　（存存儲儲）　　1.把錢或物等積存起來。《清會典事例·戶部·庫藏》：“戶部奏部庫空虛，應行存儲款項?！薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用。” 　　2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細 ]