存儲(chǔ)器文章最新資訊

DRAM下季合約價(jià)喊漲

　　DRAM拉貨潮啟動(dòng)，加上芯片廠制程推進(jìn)受阻，主流DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元，創(chuàng)近一年半新高價(jià)，本季漲幅近二成，有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn)，華亞科、南科將成為大贏家。　　DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示，本季DRAM現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)價(jià)差已達(dá)20%，預(yù)估第3季合約價(jià)看漲5%至10%。IC通路商透露，三星已率先鳴槍，通知旗下通路商及委托制造廠(OEM)廠，7月起漲幅10%，揭開DRAM另一波漲勢(shì)。　　集邦預(yù)期，下半年DRAM因各大芯片廠并無考慮增產(chǎn)，加上制程推進(jìn)和良率提升進(jìn)度緩慢，將
關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器

大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器 DRAM供貨吃緊

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形下，2014下半年已有供貨吃緊的跡象。　　以需求端來觀察，由于PCOEM庫存水位普遍不高，采購(gòu)策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)醞釀第三季合約價(jià)格上漲的氛圍;從現(xiàn)貨價(jià)格來觀察，目前4GB報(bào)價(jià)約在36美元間，5月合約均價(jià)在30.5美元，
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

2014年下半年市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)向與技術(shù)觀點(diǎn)

　　Compuforum2014研討會(huì)上業(yè)界大佬云集。盛會(huì)之下，指點(diǎn)江山，共同勾勒2014年下半年市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)向與技術(shù)觀點(diǎn)。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器觸控

移動(dòng)存儲(chǔ)器成為存儲(chǔ)器的成長(zhǎng)主力

在智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)穩(wěn)好增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)下，包括NAND和NOR閃存、NAND嵌入式多媒體卡(eMMC——embedded multimedia card)和移動(dòng)DRAM在內(nèi)的移動(dòng)存儲(chǔ)器近年已成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的增長(zhǎng)引擎，如果消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的熱情不減，那么移動(dòng)存儲(chǔ)器未來幾年的發(fā)展更被看好。
關(guān)鍵字：智能手機(jī) 存儲(chǔ)器 201207

韓系存儲(chǔ)器廠生產(chǎn)不順供應(yīng)鏈庫存偏低

DRAM供給吃緊，有廠家已準(zhǔn)備上調(diào)價(jià)格，而手機(jī)存儲(chǔ)器MobileRAM供給則更為吃緊，主要是智能手機(jī)大廠均已開始進(jìn)入新品備貨旺季。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

韓國(guó)運(yùn)用石墨烯開發(fā)透明存儲(chǔ)器

　　南韓科學(xué)家運(yùn)用石墨烯(graphene)發(fā)明了一款透明的存儲(chǔ)器，未來筆記型電腦、智能手機(jī)將有望出現(xiàn)透明機(jī)種。　　南韓媒體ETNews 24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓科學(xué)與資訊科技未來規(guī)畫部(Ministry of Science, ICT and Future Planning，MISP)23日宣布，高麗大學(xué)(Korea University)電機(jī)工程系教授Kim Tae-geun、Kim Hee-dong已聯(lián)手開發(fā)出一種透明存儲(chǔ)器的制造技術(shù)，利用還原氧化石墨烯(reduced graphene oxide
關(guān)鍵字：石墨烯存儲(chǔ)器

2013年半導(dǎo)體營(yíng)收成長(zhǎng)5% 存儲(chǔ)器扮推手

　　根據(jù)國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2013年全球半導(dǎo)體營(yíng)收總計(jì)3,150億美元，較2012年成長(zhǎng)5%。前25大半導(dǎo)體廠商合計(jì)營(yíng)收增幅達(dá)6.9%，遠(yuǎn)優(yōu)于市場(chǎng)其余廠商之績(jī)效，其余廠商營(yíng)收成長(zhǎng)率僅0.9%。其部分原因可歸于領(lǐng)先廠商當(dāng)中聚集許多記憶體廠商，而記憶體市場(chǎng)在上年大幅成長(zhǎng)23.5%。　　Gartner研究副總裁AndrewNorwood表示：「2013年在歷經(jīng)年初半導(dǎo)體庫存過剩而不振之后，第二及第三季營(yíng)收持續(xù)增強(qiáng)，第四季才趨于平緩。記憶體(尤其是DRAM)，帶動(dòng)這波成長(zhǎng)，其原因并
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

DRAM價(jià)格緩步下滑存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange指出，自農(nóng)歷年過后，受到傳統(tǒng)PC出貨淡季、中國(guó)白牌平板出貨量滑落，加上供給缺口回補(bǔ)，使得現(xiàn)貨市場(chǎng)不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清淡走勢(shì)，導(dǎo)致現(xiàn)貨主流顆粒DDR34Gb512Mx8eTT價(jià)格在農(nóng)歷年過后下滑幅度達(dá)13%。　　TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，由于時(shí)處傳統(tǒng)PC出貨淡季，加上2014年英特爾(Intel)新晶片組Boardwell將遞延至第四季發(fā)表，以及Microsoft8.1確定無法拉抬
關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器

從4004到core i7：處理器的進(jìn)化史（3）-1—萬事開頭難

我們就用一個(gè)最簡(jiǎn)單的例子說起。
關(guān)鍵字： CPU 存儲(chǔ)器處理器邏輯電路 C語言

應(yīng)用材料財(cái)報(bào)優(yōu) 半導(dǎo)體迎春燕

　　全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭美商應(yīng)用材料(AppliedMaterials)昨(13)日公布上季財(cái)報(bào)優(yōu)于預(yù)期，估計(jì)本季營(yíng)收可望季增10%，透露主要晶圓廠設(shè)備投資升溫，也預(yù)告半導(dǎo)體景氣春燕將近。　　應(yīng)材供應(yīng)臺(tái)積電、三星、格羅方德等半導(dǎo)體大廠關(guān)鍵設(shè)備，居產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)位置，其財(cái)報(bào)與展望是掌握半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)的重要指標(biāo)。　　法人指出，應(yīng)材上季財(cái)報(bào)與本季展望均傳出佳音，透露近期北美半導(dǎo)體設(shè)備訂貨出貨比(B/B值)仍將處于代表景氣擴(kuò)張的1以上，預(yù)料半導(dǎo)體景氣春燕，有機(jī)會(huì)提前在3月飛至，推升臺(tái)積電、聯(lián)電、漢微科、
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料存儲(chǔ)器

基于FPGA動(dòng)態(tài)可重構(gòu)技術(shù)的二模冗余MIPS處理器

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(Field Programmable Gate Array， FPGA)是基于SRAM的一種硬件電路可重配置電子邏輯器件，可通過將硬件描述語言編譯生成的硬件配置比特流編程到FPGA中，而使其硬件邏輯發(fā)生改變。
關(guān)鍵字： FPGA SRAM MIPS 存儲(chǔ)器 BIST

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測(cè)任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲(chǔ)器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

嵌入式設(shè)計(jì)：存儲(chǔ)器以及BootLoader的總結(jié)

　　在大學(xué)的時(shí)候很少關(guān)心單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用，只是大概的知道RAM和ROM的區(qū)別，甚至只是知道程序下載到ROM中就能運(yùn)行了。其他的如何工作程序如何啟動(dòng)的就不了了知了。因此在接觸嵌入式的時(shí)候就會(huì)出現(xiàn)很多盲區(qū)。在此本人將工作三個(gè)多月以來接觸到的一些關(guān)于嵌入式新的理解分享給大家，有什么錯(cuò)誤的地方在所難免，希望大家給予指正。　　RAM和ROM在單片機(jī)中的相關(guān)應(yīng)用　　ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫，RAM是RandomAccessMemory的
關(guān)鍵字：嵌入式設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器

東芝提出STT-MRAM存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算架構(gòu)

存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的改變，能帶來性能的提升和功耗的降低，東芝最近就提出了一個(gè)STT-MRAM記憶體運(yùn)算的新架構(gòu)。在同樣容量下，占用基板面積小于SRAM;雖然寫入速度低于SRAM，但讀取速度與SRAM相當(dāng)，進(jìn)行記憶體內(nèi)運(yùn)算時(shí)，考慮STT-MRAM的低耗電，這將成為有效的高速低耗電運(yùn)算架構(gòu)。
關(guān)鍵字：東芝存儲(chǔ)器

布局存儲(chǔ)器封測(cè) 臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)卡位

　　存儲(chǔ)器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺(tái)廠積極布局，今年存儲(chǔ)器封測(cè)競(jìng)爭(zhēng)卡位，勢(shì)必激烈。　　展望今年，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和快閃存儲(chǔ)器(Flash)后段封測(cè)可能擴(kuò)大委外，封測(cè)臺(tái)廠考量自身發(fā)展，積極與國(guó)際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進(jìn)一步集成DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測(cè)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

共1634條 35/109 |‹ « 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]