半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
DC/DC電源模塊高溫失效原因
- DC/DC電源模塊(以下簡稱模塊),是一種運(yùn)用功率半導(dǎo)體開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)DC/DC功率變換的開關(guān)電源。它廣泛應(yīng)用于遠(yuǎn)程及數(shù)據(jù)通信、計(jì)算機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國民經(jīng)擠的各行各業(yè),并在遠(yuǎn)程和數(shù)字通信領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展r開關(guān)電源韻應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛,所工作的環(huán)境也越來越惡劣,統(tǒng)計(jì)資料表明,電子元器件溫度每升高2℃,可靠性下降10%,溫升為50℃時(shí)的壽命只有溫升25℃時(shí)的1/6。本文所研究的電源模塊是中電集團(tuán)第四十三所研制的廣泛用于軍工的一款高性能DC/
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2016年全球收入前十大半導(dǎo)體廠商排行榜

- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下,前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率。 Gartner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強(qiáng),定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)
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Gartner:2016年全球半導(dǎo)體收入增長2.6%

- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下,前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率?! artner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強(qiáng),定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
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埃米時(shí)代 半導(dǎo)體先進(jìn)工藝藍(lán)圖將更新

- 隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米,工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管,他們還必須嘗試更多類型的內(nèi)存;另一方面,14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了… 在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上,Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖,預(yù)計(jì)在2025年后將出現(xiàn)新工藝節(jié)點(diǎn)——14埃米(14A;14-angstrom)。這一工藝相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;
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莫大康:中國半導(dǎo)體業(yè)離世界強(qiáng)國 還有多遠(yuǎn)?

- 中國集成電路行業(yè)發(fā)展自主創(chuàng)新,亟欲擺脫西方發(fā)達(dá)國家的制約,究竟距離世界強(qiáng)國還有多遠(yuǎn)?半導(dǎo)體行業(yè)資深專家莫大康日前認(rèn)為,中國半導(dǎo)體業(yè)離世界強(qiáng)國尚有不短的路程,至少還需10年以上時(shí)間。 中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性 莫大康對(duì)DIGITIMES分析道,中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性存在,行業(yè)當(dāng)前發(fā)展與全球不同步,在國際上受到瓦圣納條約控制,涉及國家安全議題;貿(mào)易逆差大,市場(chǎng)龐大但是芯片自給率卻低,行業(yè)仍需要國家資金推動(dòng),另外一頭地方政府也強(qiáng)勢(shì)加入競投這一領(lǐng)域。 莫大康表示,產(chǎn)業(yè)仍需要透過政府資金
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Gartner:2016半導(dǎo)體營收達(dá)3435億美元,受惠于內(nèi)存價(jià)格大漲

- 《ZDnet》報(bào)導(dǎo),周二 (16 日) 調(diào)研機(jī)構(gòu)顧能 (Gartner) 發(fā)布了 2016 年全球半導(dǎo)體市況報(bào)告,英特爾 (INTC-US) 2016 年?duì)I收為 540.9 億美元,市占率達(dá) 15.7%,依然是全球最大的半導(dǎo)體龍頭,而三星電子 (Samsung Electronics) 及高通 (QCOM-US) 則緊追英特爾之后。 據(jù)顧能 2016 半導(dǎo)體市況報(bào)告顯示,三星電子 2016 年?duì)I收為 401 億美元,市占率為 11.7% 居全球第二,而高通營收則為 154 億美元,市占率為 4.
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中央社:大陸機(jī)器人半導(dǎo)體海外并購拚升級(jí) 突圍難
- 中國大陸近年經(jīng)濟(jì)成長趨緩,在產(chǎn)業(yè)升級(jí)規(guī)畫藍(lán)圖中,機(jī)器人和半導(dǎo)體發(fā)展受高度矚目。 但中國大陸尚未掌握核心技術(shù),陸資「走出去」并購又屢遭心生警惕的歐美擋下,突圍艱困。 ●中國制造2025 機(jī)器人產(chǎn)業(yè)是亮點(diǎn) 在電子業(yè)齊聚的江蘇省,富士康昆山廠是落實(shí)自動(dòng)化生產(chǎn)成效最卓著的代表之一。 在黑漆漆的偌大廠房中,機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)聲音嘈雜,多支機(jī)械手臂處理重復(fù)性高的熱熔焊接制程,稀少的人力退居輔助地位。 富士康科技集團(tuán)拚自動(dòng)化,機(jī)器成為生產(chǎn)主力,工作燈 隨著人力減少,自動(dòng)化產(chǎn)線通常處在昏暗環(huán)境中。 圖為 富士
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美商務(wù)部長:中國大力發(fā)展半導(dǎo)體威脅美國全球領(lǐng)先地位
- 美國商務(wù)部長羅斯(Wilbur Ross)在接受路透社采訪時(shí)表示,中國大力發(fā)展半導(dǎo)體領(lǐng)域威脅到了美國的全球半導(dǎo)體領(lǐng)先地位,并稱美國商務(wù)部正考慮援引1962年《貿(mào)易擴(kuò)張法》的國家安全條款展開調(diào)查。 羅斯表示,半導(dǎo)體的國防安全應(yīng)用范圍甚廣,可用于軍方硬件和眾多國民經(jīng)濟(jì)相關(guān)設(shè)備中。半導(dǎo)體歷來是美國的領(lǐng)先科技,但近期也已經(jīng)從凈順差走向了收入逆差。他認(rèn)為:“中國計(jì)劃到2025年時(shí)出資1500億美元發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)務(wù),這太可怕了。” 華爾街日?qǐng)?bào)曾提到,美國商務(wù)部周三宣布對(duì)出口美國的
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俄羅斯研制新半導(dǎo)體 厚度是頭發(fā)五千分之一
- 北京時(shí)間10日 俄羅斯衛(wèi)星網(wǎng)報(bào)道,俄羅斯托木斯克國立大學(xué)新聞處發(fā)布消息稱,該學(xué)校學(xué)者開始從氣相有機(jī)分子中制出半導(dǎo)體。 為了制造半導(dǎo)體,研究人員使用可制造超細(xì)薄膜的設(shè)備,薄膜的厚度是人類頭發(fā)的五千分之一。消息中稱,研制出的半導(dǎo)體可以用于制造分子納米電子設(shè)備。 據(jù)學(xué)者稱,新技術(shù)可以形成分子間非常牢固的聯(lián)系,這將顯著延長技術(shù)儀器的壽命。此外,能量消耗將顯著減少,并且處理速度也將提高數(shù)倍。 新的半導(dǎo)體還將比以前的價(jià)格便宜很多。生產(chǎn)有機(jī)半導(dǎo)體不需要過高的溫度,300-400攝氏度足夠了,這至少
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日媒:中美展開半導(dǎo)體霸權(quán)爭奪
- 思考當(dāng)今世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的主流領(lǐng)域究竟在發(fā)生什么。如果用一句話來概括這一主流趨勢(shì),那就是“中美圍繞半導(dǎo)體的霸權(quán)爭奪”。 這樣寫或許會(huì)給人以中美正在以幾乎勢(shì)均力敵的立場(chǎng)展開博弈的印象,但從目前來看,無論是在開發(fā)能力、生產(chǎn)能力還是在IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))的積累方面,還是在諸如半導(dǎo)體制造設(shè)備等相關(guān)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)上,美國都明顯領(lǐng)先。但是,令美國擔(dān)憂的是這種優(yōu)勢(shì)“遲早有一天會(huì)受到來自中國攻勢(shì)的威脅,并有可能對(duì)帶來創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成破壞”。 中國今后10年將投資
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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