半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

大陸攻堅(jiān)半導(dǎo)體臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)面臨歷史性抉擇

中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)走向全球的過(guò)程中，其實(shí)質(zhì)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手仍位于大洋彼岸。臺(tái)灣自我封閉的做法除了削弱自己的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，使自己逐漸邊緣化之外，并不會(huì)對(duì)中國(guó)大陸實(shí)現(xiàn)自己的目標(biāo)造成多大的影響。
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鐘情NAND型閃存郭臺(tái)銘攪局東芝半導(dǎo)體招標(biāo)

　　NHK4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，為了出售即將成立的半導(dǎo)體事業(yè)新公司部分股權(quán)，東芝已于3日舉行第一次招標(biāo)，而除了美國(guó)投資基金之外，多家半導(dǎo)體廠商也參與競(jìng)標(biāo)。另外，據(jù)關(guān)系人士指出，東芝對(duì)參與競(jìng)標(biāo)的企業(yè)表示，除了對(duì)半導(dǎo)體新公司出資之外、也希望能考慮對(duì)東芝本體出資數(shù)千億日元。　　時(shí)事通信社4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，為了挑選半導(dǎo)體新公司的出資企業(yè)，東芝已于3日開(kāi)始展開(kāi)招標(biāo)作業(yè)，而據(jù)關(guān)系人士指出，在內(nèi)存事業(yè)上和東芝合作的美國(guó)Western Digital西數(shù)等多家企業(yè)似乎已表明將參與競(jìng)標(biāo)，預(yù)計(jì)招標(biāo)手續(xù)將階段性推進(jìn)，東芝將在2月份內(nèi)選出出資企
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跟上節(jié)奏半導(dǎo)體行業(yè)假期動(dòng)態(tài)匯總

　　新年剛過(guò)，小編為您匯整了假期內(nèi)，您絕不該錯(cuò)過(guò)的最新半導(dǎo)體新聞動(dòng)態(tài)!快跟上最新的行業(yè)節(jié)奏!瞧瞧這些半導(dǎo)體巨頭不打烊都在做些甚么努力?先來(lái)看看2017其后半導(dǎo)體行業(yè)的總體展望：　　PART 1 　　2017年半導(dǎo)體總體“運(yùn)勢(shì)” 　　Gartner公布2017年半導(dǎo)體行業(yè)同比增長(zhǎng)4.7%，達(dá)3400億美元; 　　WSTS于2016年11月秋季預(yù)測(cè)，2016年半導(dǎo)體同比下降0.1%，以及2017年半導(dǎo)體增長(zhǎng)3.3%; 　　SEMI預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在3D NAND
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美國(guó)步步緊逼中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)崛起難在哪里？

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)若想實(shí)現(xiàn)超越，一定是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的超越，不會(huì)是單一環(huán)節(jié)單一企業(yè)的勝出，但實(shí)現(xiàn)它的路徑，仍必須先有關(guān)鍵環(huán)節(jié)的突破。
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半導(dǎo)體，一個(gè)即將“消失”的貴族產(chǎn)業(yè)?

　　半導(dǎo)體芯片行業(yè)近兩年出現(xiàn)大規(guī)模并購(gòu)風(fēng)潮背后的原因何在?洶涌而來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)浪潮帶給芯片產(chǎn)業(yè)怎樣的沖擊?為何一邊是芯片公司對(duì)應(yīng)用市場(chǎng)的迷茫，而另一邊硬件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者卻又找不到合適的芯片?　　芯片產(chǎn)業(yè)并購(gòu)“瘋”潮背后的困境與焦慮　　半導(dǎo)體芯片行業(yè)在2015年發(fā)生史上規(guī)模最大的并購(gòu)“瘋”潮之后，2016上半年稍微平息，到下半年又“瘋”波再起，接連出現(xiàn)幾樁大規(guī)模的并購(gòu)案例，包括高通收購(gòu)NXP、ADI收購(gòu)凌力爾特(Linear)，瑞薩收購(gòu)Intersil?！　∵@背后透露出整個(gè)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的困境與焦慮。在互聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)
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東芝計(jì)劃借半導(dǎo)體新公司股份實(shí)現(xiàn)增資3000億日元

　　據(jù)共同社報(bào)道，處于經(jīng)營(yíng)重組期的東芝公司正在探討于3月底前增資3000億日元(約合人民幣180億元)規(guī)模。東芝計(jì)劃讓參與半導(dǎo)體業(yè)務(wù)新公司的企業(yè)和投資基金認(rèn)購(gòu)沒(méi)有表決權(quán)的優(yōu)先股，準(zhǔn)備賦予優(yōu)先股可轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體新公司股份的權(quán)利。　　東芝的美國(guó)核電業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)最大虧損7000億日元，負(fù)債可能超過(guò)資產(chǎn)陷入資不抵債的境地。由于可預(yù)見(jiàn)東芝公司單純招募資金也會(huì)因?yàn)楦唢L(fēng)險(xiǎn)而難以實(shí)現(xiàn)，因此計(jì)劃附加可轉(zhuǎn)換為優(yōu)良的半導(dǎo)體新公司股份的條件，憑借這一罕見(jiàn)方法渡過(guò)財(cái)年決算期的難關(guān)，但基金等機(jī)構(gòu)是否應(yīng)允尚是未知數(shù)。　　東芝公司將在
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SIA：2016年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售創(chuàng)新高，中國(guó)區(qū)增長(zhǎng)最快

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)2日公布，2016年12月份全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額來(lái)到310億美元，和前月持平;和去年同期相比，上揚(yáng)12.3%。2016年第四季半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為930億美元，季增5.4%、年增12.3%。　　2016年全年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為3,389億美元，創(chuàng)下空前新高，年增率為1.1%。　　SIA總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)JohnNeuffer聲明稿指出，2016年年初全球半導(dǎo)體市場(chǎng)起步緩慢，年中開(kāi)始加速成長(zhǎng)，一路上沖，年度銷(xiāo)售將近3,400億美元，締造新紀(jì)錄。　　2016年買(mǎi)氣最佳的半導(dǎo)
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2017年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額將達(dá)3640億美元

　　根據(jù)市調(diào)公司Gartner調(diào)查，今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)7%，主要是由于芯片庫(kù)存補(bǔ)充及平均售價(jià)提高。　　Gartner(康乃狄克州史丹佛分部，Stamford， Conn.) 表示，預(yù)估2017年半導(dǎo)體銷(xiāo)售總額將達(dá)到3，640億美元，高于去年的3，400億美元。該單位并指出，會(huì)做出增加2017年半導(dǎo)體銷(xiāo)售總額預(yù)測(cè)，且與先前做出的預(yù)測(cè)多出141億美元，其中有100億美元是來(lái)自對(duì)內(nèi)存銷(xiāo)售的預(yù)估。　　“目前，最糟的情況已經(jīng)結(jié)束，由于庫(kù)存補(bǔ)充和特定市場(chǎng)的平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)增加，特
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俄羅斯科學(xué)家向更小巧迅速的電子產(chǎn)品邁進(jìn)一步

　　據(jù)俄羅斯衛(wèi)星網(wǎng)4日?qǐng)?bào)道，一個(gè)由俄羅斯和美國(guó)專(zhuān)家組成的國(guó)際科研組在世界上首次推出一維半導(dǎo)體材料，向更小巧緊湊、速度更快的電子產(chǎn)品邁進(jìn)一步。使用這種新材料可使電路減小到納米大小，同時(shí)加快電子儀器的工作速度。　　這項(xiàng)研究的理論部分由俄羅斯國(guó)立工藝技術(shù)大學(xué)(NUST MISIS)專(zhuān)家完成，實(shí)驗(yàn)部分由美國(guó)杜蘭大學(xué)(路易斯安那州)研究人員負(fù)責(zé)。　　俄羅斯國(guó)立工藝技術(shù)大學(xué)物理與數(shù)學(xué)博士帕維爾·索羅金表示，使用這種“智能材料”有助于降低裝置耗電量，改變其結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。
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東芝為拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)啟動(dòng)招標(biāo)程序出售股份少于兩成

　　據(jù)共同社報(bào)道，處于重組期的東芝3日為拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正式啟動(dòng)了招標(biāo)程序。為獲得股份的首輪報(bào)價(jià)已進(jìn)入最后階段，由于出售的股份少于兩成，擬參與投標(biāo)陣營(yíng)的部分企業(yè)出現(xiàn)觀望情緒，東芝能否如期推進(jìn)變得撲朔迷離。　　東芝將拆分半導(dǎo)體主力產(chǎn)品“閃存”業(yè)務(wù)另外建立公司。19.9%的股份預(yù)計(jì)將賣(mài)出2000億至3000億日元(約合人民幣121億至182億元)。東芝的美國(guó)核電業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)最大損失達(dá)7000億日元，此舉旨在避免陷入資不抵債的境地。　　由于獲得不足兩成的股份幾乎無(wú)法參與經(jīng)營(yíng)，除最初有意
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中國(guó)將成為前景廣闊的半導(dǎo)體投資市場(chǎng)

在這種情況下通過(guò)合資與許可證授權(quán)的方式，中國(guó)企業(yè)可以獲得設(shè)計(jì)與生產(chǎn)先進(jìn)處理器的能力，而成熟的國(guó)際化企業(yè)也能確保在中國(guó)市場(chǎng)的商業(yè)機(jī)會(huì)。
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SIA：2016年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售創(chuàng)新高,中國(guó)區(qū)增長(zhǎng)最快

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)2 日公布，2016 年 12 月份全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額來(lái)到 310 億美元，和前月持平;和去年同期相比，上揚(yáng) 12.3%。 2016 年第四季半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為 930 億美元，季增 5.4%、年增 12.3%。　　2016 年全年半導(dǎo)體銷(xiāo)售額為 3,389 億美元，創(chuàng)下空前新高，年增率為 1.1%。　　SIA 總裁兼執(zhí)行長(zhǎng) John Neuffer 聲明稿指出，2016 年年初全球半導(dǎo)體市場(chǎng)起步緩慢，年中開(kāi)始加速成長(zhǎng)，一路上沖，年度銷(xiāo)售將近 3,400 億美
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缺少核心技術(shù) 中國(guó)半導(dǎo)體2025目標(biāo)難實(shí)現(xiàn)

中國(guó)制造2025給中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)設(shè)定目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)需要兩個(gè)基本要素：資金與技術(shù)。資金與技術(shù)同樣重要，任何一方面不夠強(qiáng)，都沒(méi)有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)2025年設(shè)定的目標(biāo)。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體集成電路

半導(dǎo)體業(yè)務(wù)給力三星四季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)創(chuàng)新高

　　三星電子1月24日正式發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，去年四季度該公司營(yíng)收達(dá)53.3萬(wàn)億韓元(約合458.56億美元)，運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)仍大增50.16%，至9.22萬(wàn)億韓元(約合79.28億美元)，創(chuàng)下三年來(lái)新高。　　這顯然得益于三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的大幅增長(zhǎng)。根據(jù)財(cái)報(bào)，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)四季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)暴增76.9%，至4.95萬(wàn)億韓元。顯示器業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)同比飆升347%。去年以來(lái)，三星存儲(chǔ)芯片和OLED價(jià)格持續(xù)上漲。　　這些數(shù)據(jù)彌補(bǔ)了三星去年因Note7事件而導(dǎo)致的移動(dòng)業(yè)務(wù)損失。去年三季度，受該事件影響，其手機(jī)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)狂
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 OLED

中國(guó)已成全球最大半導(dǎo)體市場(chǎng)，也是美國(guó)的針對(duì)對(duì)象

中國(guó)政府已公布一項(xiàng)價(jià)值1500億美元的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)，期望在2025年前，把中國(guó)制晶片在國(guó)內(nèi)的市占率提高至70%，令美國(guó)深恐憂(yōu)慮這些補(bǔ)貼會(huì)扭曲市場(chǎng)，削弱美國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，危及美國(guó)技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體中芯國(guó)際

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]