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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件

功率器件的利器 GaN

  • 　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。 　　GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
  • 關鍵字： GaN  功率器件  

電子化開啟汽車新概念時代

富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產品

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質因數(shù)(FOM)可降低近一半。
  • 關鍵字： 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

瑞薩針對配有微型隔離器的IGBT驅動器發(fā)布智能功率器件

  • 　　微型隔離器的應用可進一步縮小電動及混合動力汽車功率逆變器的體積 　　瑞薩電子公司開發(fā)的配有內置式微型隔離器的 IGBT 驅動器智能器件 　　日本東京訊-全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)今天宣布開發(fā)出了隔離型IGBT驅動器的R2A25110KSP智能型功率器件， 適用于電動和混合動力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發(fā)的微型隔離器隔離專項技術。這些技術可為汽車應用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。 　　用于驅動電動和混合動力汽車中的電機
  • 關鍵字： 瑞薩  功率器件  

如何解決驅動單元設計中的電磁兼容問題

  • 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導線傳導，在工程領域一直是人們要解決的難題和研究熱點。驅動單元作為大功率...
  • 關鍵字： 電磁兼容  電磁干擾  逆變  功率器件  

常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹

  • 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
  • 關鍵字： MOSFET  功率器件  

IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設計保駕護航

  • 在可以預見的未來，電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機，都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
  • 關鍵字： IR  功率器件  節(jié)能設計  

揚州：電子制造業(yè)“三分天下”推動經濟發(fā)展

  • 　　揚州電子信息產業(yè)近年來快速發(fā)展，從電線電纜獨大，到新能源和新光源產業(yè)崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強，電子信息制造業(yè)結構趨于合理。未來將通過規(guī)劃引導、項目推動、創(chuàng)新突破等3大舉措，促進電子制造業(yè)加快發(fā)展。 　　布局3大產業(yè) 　　揚州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產業(yè)齊頭并進新格局，結構得到優(yōu)化。 　　目前，揚州光伏新能源產業(yè)已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產業(yè)鏈生產能力，多晶硅太陽能電池年產
  • 關鍵字： 電子制造  功率器件  

隔離驅動IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
  • 關鍵字： 隔離驅動  PowerMOSFET  功率器件  

功率器件IGBT應用中的常見問題解決方法

  • 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻
  • 關鍵字： IGBT  功率器件  方法    

如何準確選擇功率器件二

  • 第三步：確定熱要求　　選擇MOSFET的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
  • 關鍵字： 功率器件  

如何準確選擇功率器件一

  • 所謂功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體 ...
  • 關鍵字： 功率器件    

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
  • 關鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
  • 關鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

Diodes霍爾開關有效優(yōu)化敏感度

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應開關，其磁場檢測的敏感度適合于多種產品設計的接近效應與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進行了優(yōu)化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
  • 關鍵字： Diodes  功率器件  霍爾效應  
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功率器件介紹

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