功率器件文章進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法-　　變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開(kāi)關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設(shè)備上常見(jiàn)到的故障，解決這種問(wèn)題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會(huì)再損壞。
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常用的功率半導(dǎo)體器件盤點(diǎn)匯總

常用的功率半導(dǎo)體器件盤點(diǎn)匯總-電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。
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開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)-　上世紀(jì)60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
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功率器件交貨期持續(xù)拉長(zhǎng)，供應(yīng)短缺局面何時(shí)結(jié)束？

全球性需求增加也帶動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)，但是功率分立器件交貨期開(kāi)始延長(zhǎng)暫時(shí)還沒(méi)有什么解決辦法。
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三菱電機(jī)強(qiáng)勢(shì)出擊PCIM亞洲2017展

　　三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會(huì)中隆重登場(chǎng)(三菱電機(jī)展位號(hào):E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來(lái)參觀了解三菱電機(jī)最新的技術(shù)、產(chǎn)品和優(yōu)勢(shì)?！　∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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東芝推出額定值為5A／600V的高壓智能功率器件

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產(chǎn)品“TPD4207F”，擴(kuò)大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產(chǎn)品陣容，該產(chǎn)品適用于空調(diào)、空氣凈化器的風(fēng)扇電機(jī)和泵等各類產(chǎn)品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實(shí)現(xiàn)更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！　≡撔翴PD利用東芝最新MOSFET技術(shù)——600V超結(jié)MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實(shí)現(xiàn)5A額定電流。這一電流足以驅(qū)動(dòng)冰箱的壓縮機(jī)電機(jī)，這是現(xiàn)有IPD無(wú)法做到的，因此新IPD的應(yīng)用范
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用：　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。　　IGBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來(lái)控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷?！　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開(kāi)關(guān)電源中的IGBT通過(guò)UGE電平
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中國(guó)的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段，前景廣闊

　　功率集成電路器件的產(chǎn)地正發(fā)生著重大改變。過(guò)去10年來(lái)，中國(guó)、歐洲和東南亞地區(qū)的功率器件制造業(yè)取得迅猛發(fā)展，而北美地區(qū)則逐漸走下坡路。　　在市場(chǎng)機(jī)遇方面，隨著電池供電與互聯(lián)消費(fèi)產(chǎn)品及電動(dòng)車的涌現(xiàn)，功率器件需求預(yù)計(jì)將更加強(qiáng)勁。如下方圖片所示，中國(guó)的智能手機(jī)需求增長(zhǎng)與功率集成電路消費(fèi)趨勢(shì)相符。未來(lái)，中國(guó)有望成為半導(dǎo)體器件包括功率器件主要的設(shè)計(jì)與制造來(lái)源。　　目前，中國(guó)的功率器件制造產(chǎn)業(yè)尚處于早期階段。在初始階段，中國(guó)制造的主要是簡(jiǎn)單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復(fù)雜精細(xì)的功率器
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中國(guó)功率集成電路制造產(chǎn)業(yè)前景廣闊　

本文介紹了中國(guó)功率器件制造業(yè)未來(lái)發(fā)展所擁有的環(huán)境優(yōu)勢(shì)以及政策優(yōu)勢(shì)，分析了中國(guó)功率器件未來(lái)發(fā)展的廣闊前景。
關(guān)鍵字：功率器件產(chǎn)能政策 201705

光伏逆變器的新方向

新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導(dǎo)體非常注重新技術(shù)的開(kāi)發(fā)與新材料器件的應(yīng)用，能同時(shí)提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應(yīng)用于工業(yè)、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開(kāi)發(fā)中，不久就會(huì)發(fā)布。
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華虹半導(dǎo)體功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量突破500萬(wàn)片晶圓

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團(tuán)”，股份代號(hào)：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量已突破500萬(wàn)片晶圓。其中，得益于市場(chǎng)對(duì)超級(jí)結(jié)MOSFET(“金氧半場(chǎng)效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強(qiáng)勁需求，華虹半導(dǎo)體獨(dú)特且具競(jìng)爭(zhēng)力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場(chǎng)截止型IGBT累計(jì)出貨量分別超過(guò)了200,000片和30,000片晶圓，并保持
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解讀電源三大熱門領(lǐng)域的技術(shù)方案　

在智能化、網(wǎng)絡(luò)化的當(dāng)下時(shí)代，各種新型電子產(chǎn)品層出不窮，而在各電子產(chǎn)品中，電源模塊一直都是不可避免的課題，隨著新材料和新工藝不斷涌現(xiàn)、不斷發(fā)展，電源模塊的的各方面性能也不斷得到完善。本次專題就功率器件、光伏和隔離器三個(gè)方面，邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)專業(yè)人士共同探討電源的發(fā)展和革新。
關(guān)鍵字：電源功率器件光伏隔離器 201704

收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體新企村田轉(zhuǎn)攻功率器件

　　日本電子零組件廠村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布簽約購(gòu)并美國(guó)半導(dǎo)體新創(chuàng)企業(yè)Arctic Sand Technologies，收購(gòu)程序估計(jì)將在4月上旬完成，據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，購(gòu)并金額約70億日?qǐng)A(約6,200萬(wàn)美元)。　　這次購(gòu)并的目的，在于村田打算轉(zhuǎn)換事業(yè)重點(diǎn)，村田目前總營(yíng)收約60%源自智慧型手機(jī)相關(guān)零組件，但智慧型手機(jī)的市場(chǎng)成長(zhǎng)率逐漸趨緩，連帶影響村田的事業(yè)成長(zhǎng)，在短期內(nèi)難以看到手機(jī)市場(chǎng)重回先前的高速成長(zhǎng)狀態(tài)，村田必須培養(yǎng)其他重點(diǎn)事業(yè)。　　在Son
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2017誰(shuí)將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)？

　　通信、汽車驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)，國(guó)有品牌競(jìng)爭(zhēng)力提升　　市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，增速較2015年有所回升　　2016年，中國(guó)電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1496.1億元，同比增長(zhǎng)7.2%，增速較2015年有所回升。　　通信、汽車成為2016年市場(chǎng)增長(zhǎng)亮點(diǎn) 　　從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來(lái)看，通信和汽車領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。　　從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來(lái)看，1-10月，我國(guó)生產(chǎn)手機(jī)17億部，同比增長(zhǎng)19.9%，其中智能手機(jī)12
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【功率器件心得分享】功率器件在Boost電路中的應(yīng)用

　　風(fēng)能、太陽(yáng)能等新能源均需經(jīng)過(guò)電力電子變換才能接入電網(wǎng)，隨著新能源發(fā)電量的逐年攀升，市場(chǎng)對(duì)電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進(jìn)。作為傳統(tǒng)電力電子變換的開(kāi)關(guān)器件，Si IGBT已難以滿足需求，而新型半導(dǎo)體器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍認(rèn)為是新一代的功率器件。　　對(duì)于電力電子變換器而言，SiC MOSFET可作為開(kāi)關(guān)器件使用。而在電力電子變換器中，升降壓斬波電路是最基本的電路結(jié)構(gòu)，以此為基礎(chǔ)可擴(kuò)展出各類電力電子變換器。因此，這里以升壓變換
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