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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件

國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

  • 　　“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率器件  GaN  

富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 　　富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標，富
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電源功率器件的散熱

  • 在穩(wěn)壓電源中主元器件采用功率半導體器件，如功率晶體管（GTR）、功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（I...
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怎樣去選擇好逆變器功率器件

  • 逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（GTR），功率場效應(yīng)管（MOSFET），絕...
  • 關(guān)鍵字： 逆變器  功率器件  

具集成型功率器件的I2C控制型電池電源管理IC

  • 可采用任何5V電源給高容量電池充電，同時保持低運行溫度便攜式電子產(chǎn)品設(shè)計人員面臨著這樣的挑戰(zhàn)，就是要開...
  • 關(guān)鍵字： I2C  電源管理  功率器件  

功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率器件  汽車電子    

電動汽車對電源芯片與功率器件挑戰(zhàn)

  • 在汽車行業(yè)的發(fā)展方向上，電動汽車(EV)和油電混合動力汽車(HEV)正成為一個明顯的趨勢。從技術(shù)角度來說，目前更...
  • 關(guān)鍵字： 電動汽車  電源芯片  功率器件  

汽車系統(tǒng)中的功率電子技術(shù)

  • 一、導言汽車中使用電子產(chǎn)品可以追溯到使用電動啟動器替代手動曲柄的20世紀初。上世紀60年代，隨著固體電...
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功率器件的開發(fā)應(yīng)用與實例圖解

  • 隨著全球能源的日趨緊張，節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過程中，轉(zhuǎn)換期間的...
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  開發(fā)應(yīng)用  實例圖解  

功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應(yīng)用

  • 混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
  • 關(guān)鍵字： HEV  功率器件  混合動力汽車  中的應(yīng)用    

瑞薩推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件

  • 全球領(lǐng)先的先進半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”)日前宣布推出14個針對汽車應(yīng)用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡稱“IPD”)，包括μPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部車燈驅(qū)動(如頭燈和霧燈)，電加熱座椅和電機驅(qū)動等典型車身應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  功率器件  IPD  

半導體商羅姆亮相“第十一屆慕尼黑上海電子展”

  • 日本知名半導體制造商羅姆(ROHM)于2012年3月20日-22日參加了業(yè)內(nèi)最具影響力的綜合性電子展覽會“慕尼黑上海電子展”。此次，羅姆在“相乘戰(zhàn)略”(注1)、“功率器件戰(zhàn)略”(注2)、“LED戰(zhàn)略”(注3)、“傳感器戰(zhàn)略”(注4)這四大戰(zhàn)略的立足點上展示了符合中國市場的、滿足客戶需求的眾多產(chǎn)品與技術(shù)，展現(xiàn)了羅姆集團強大的綜合技術(shù)實力。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  功率器件  LED  

科銳推出SPICE模型

  • 碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出支持業(yè)界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面認證的SPICE模型。新型SPICE模型能夠幫助電路設(shè)計人員輕松地進行效益評估。與同級別的傳統(tǒng)硅功率開關(guān)器件相比，科銳碳化硅Z-FET MOSFET功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率。
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瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  功率器件  SiC  
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