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功率器件 文章 最新資訊

如何準(zhǔn)確選擇功率器件一

  • 所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體 ...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請(qǐng)問(wèn):HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷?謝謝!  HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V,這是對(duì)通過(guò)一個(gè)比較 ...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效 ...
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Diodes霍爾開(kāi)關(guān)有效優(yōu)化敏感度

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān),其磁場(chǎng)檢測(cè)的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計(jì)的接近效應(yīng)與位置檢測(cè)功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進(jìn)行了優(yōu)化,在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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國(guó)產(chǎn)IGBT廠商開(kāi)始小批量銷售

  •   “十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后,國(guó)家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視,同時(shí),“節(jié)能減排”工作也深入開(kāi)展,中國(guó)開(kāi)始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件,受到了國(guó)家的重視,近兩年更是列入國(guó)家重大科技專項(xiàng)中提供多方位的支持。   絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件,具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高的特點(diǎn),廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

  •   上海,2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  •   富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化,從而可以通過(guò)硅晶圓直徑的增加,來(lái)實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo),富
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電源功率器件的散熱

  • 在穩(wěn)壓電源中主元器件采用功率半導(dǎo)體器件,如功率晶體管(GTR)、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(I...
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怎樣去選擇好逆變器功率器件

  • 逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要,目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管(GTR),功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),絕...
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具集成型功率器件的I2C控制型電池電源管理IC

  • 可采用任何5V電源給高容量電池充電,同時(shí)保持低運(yùn)行溫度便攜式電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員面臨著這樣的挑戰(zhàn),就是要開(kāi)...
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功率器件的新時(shí)代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過(guò)去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象,且其封裝簡(jiǎn)單,主要采用TO220 和 TO247
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電動(dòng)汽車對(duì)電源芯片與功率器件挑戰(zhàn)

  • 在汽車行業(yè)的發(fā)展方向上,電動(dòng)汽車(EV)和油電混合動(dòng)力汽車(HEV)正成為一個(gè)明顯的趨勢(shì)。從技術(shù)角度來(lái)說(shuō),目前更...
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汽車系統(tǒng)中的功率電子技術(shù)

  • 一、導(dǎo)言汽車中使用電子產(chǎn)品可以追溯到使用電動(dòng)啟動(dòng)器替代手動(dòng)曲柄的20世紀(jì)初。上世紀(jì)60年代,隨著固體電...
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功率器件的開(kāi)發(fā)應(yīng)用與實(shí)例圖解

  • 隨著全球能源的日趨緊張,節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中,轉(zhuǎn)換期間的...
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功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

  • 混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來(lái)的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較,并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件介紹

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