三星文章最新資訊

三星全新Galaxy系列體驗報告：旗艦品質，強悍多能

當前，折疊屏手機早已走過“嘗鮮期”，日漸成為人們的日常主力機。在折疊屏領域不斷創(chuàng)新的三星，也于近期帶來了其第五代折疊屏Galaxy Z Fold5和Galaxy Z Flip5，以及Galaxy Tab S9系列平板。這次新品全系搭載第二代驍龍8移動平臺（for Galaxy），憑借開創(chuàng)性AI體驗、端游級游戲特性和專業(yè)級影像，帶來令人印象深刻的非凡產(chǎn)品力。今天，Galaxy Z Fold5、Galaxy Z Flip5以及Galaxy Tab S9三款產(chǎn)品齊亮相，一起來感受一下旗艦系列的“超實力”吧。簡約
關鍵字： Galaxy 驍龍8 三星

AI 處理能力快 14.7 倍，三星 Exynos 2400 芯片 NPU 信息曝光

IT之家?10 月 24 日消息，三星于今年 10 月 5 日在美國加州圣何塞舉辦的 System LSI 技術日活動中，正式宣布了 Exynos 2400 處理器，表示 CPU 性能要比 Exynos 2200 快 70%，AI 處理能力快 14.7 倍。國外科技媒體?Android?Headlines 近日分享了 Exynos 2400 處理器 NPU 芯片的更多細節(jié)。報告稱三星大幅優(yōu)化了 NPU 芯片對非線性運算的支持，通過架構調整等優(yōu)化手段，Exynos 2400 在
關鍵字：三星 NPU SoC

25 年資深專家?guī)ш牐且巡季滞七M碳化硅功率半導體業(yè)務

IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經(jīng)任命安森美半導體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監(jiān)管相關業(yè)務。洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責領導這項工作。洪錫俊負責組建和帶領這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學術機構合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
關鍵字：三星 SiC

三星計劃明年初量產(chǎn)超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號稱層數(shù)業(yè)內最多

IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應商，對其 V-NAND（即三星稱之為的 3D NAND）的發(fā)展有著宏大的計劃，本周三星分享了一些相關信息。該公司證實，其正在按計劃生產(chǎn)擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內層數(shù)最多的 3D NAND?！暗诰糯?V-NAND 基于雙層結構，層數(shù)達到業(yè)界最高水平，明年初將開始量產(chǎn)?！比请娮涌偛眉娲鎯ζ魇聵I(yè)部負責人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫道。IT之家注意到，8 月份就有消息稱，三
關鍵字：三星存儲 NAND閃存

傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
關鍵字：三星第九代 V-NAND 閃存

三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠

三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。據(jù)外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
關鍵字：三星 NAND 西安

全球首款4億像素傳感器曝光：尺寸接近1英寸

據(jù)悉，三星申請了Hexa2Pixel商標。眾所周知，三星Galaxy S22 Ultra主攝為1.08億像素，它支持像素9合1，可以輸出1200萬像素樣張（108÷9＝12）。這次三星申請Hexa2Pixel商標，意味著三星正在開發(fā)36合1的圖像傳感器（Hexa=6，Hexa的平方=36），根據(jù)1.08億像素9合1輸出1200萬像素樣張進行反向推算，36合1意味著主攝分辨率超過了4億像素。據(jù)了解，三星正在開發(fā)兩款4億像素傳感器，這兩款傳感器都擁有4.32億像素，這將是業(yè)界首款4億像素圖像傳感器。其中一款型
關鍵字：三星圖像傳感器

三星人事變動，瞄準碳化硅！

10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監(jiān)督SiC功率半導體業(yè)務，并在其內部組織了SiC功率半導體業(yè)務V-TF部門。Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學術界互動，進行市場和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業(yè)務的時候也曾提
關鍵字：三星碳化硅！

三星Galaxy S24 Ultra跑分曝光超頻版驍龍8 Gen3表現(xiàn)如何？

金秋十月，科技圈也進入了一年中最關鍵的階段，大家的目光開始集中到了年底前即將亮相的一眾代表性年度旗艦上，而作為安卓機皇的三星新一代旗艦Galaxy S24系列自然也是大家關注的焦點，尤其該機將重新回歸雙處理器版本的組合?，F(xiàn)在有最新消息，近日有數(shù)碼博主發(fā)現(xiàn)疑似超大杯的三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身Geekbench 6跑分平臺。據(jù)數(shù)碼博主最新發(fā)布的信息顯示，近日一款型號為SM-S928B的機型現(xiàn)身跑分平臺GeekBench，結合此前相關爆料，該機基本可以確定就是已經(jīng)有很多曝光的三星Galaxy
關鍵字：三星 Galaxy 超頻驍龍

TrendForce 預計三星電子 8 英寸晶圓廠明年產(chǎn)能利用率僅 50%

10 月 15 日消息，作為當前第二大晶圓代工商的三星電子，明年的產(chǎn)能利用率可能并不樂觀，TrendForce 集邦咨詢預計他們 8 英寸晶圓廠的產(chǎn)能利用率，在明年將只有 50% 左右。TrendForce 表示，受需求下滑影響，三星電子 8 英寸晶圓廠，自今年下半年開始就已有產(chǎn)能利用率下滑的跡象。外媒在報道中披露，三星電子目前在京畿道器興運營有一座 8 英寸的晶圓廠，月產(chǎn)能 20 萬片晶圓，主要生產(chǎn)驅動集成電路、圖像傳感器、智能手機電源管理芯片等。在報道中外媒也提到，由于客戶削減訂單，三星電子
關鍵字：晶圓廠三星

消息稱內存、閃存元器件采購成本上漲 20-30%，Q4 起逐漸波及手機等產(chǎn)品

IT之家 10 月 13 日消息，據(jù)華爾街見聞報道，供應鏈上下游龍頭公司透露稱，受三星等存儲原廠減產(chǎn)以及國內閃存龍頭存儲顆粒產(chǎn)能不足的影響，內存和閃存元器件采購成本逐步上漲。報道稱，相較此前低位，國內有存儲器下游龍頭閃存采購成本已上漲近 20%，內存采購成本上漲約 30%。隨之而來的影響，即從今年四季度開始，存儲元器件成本上漲所帶來的影響將逐漸傳導至消費端，筆記本電腦、手機等終端產(chǎn)品可能面臨漲價局面。同樣在今天上午，@數(shù)碼閑聊站也發(fā)文稱“上游搞了個騷操作”，并直言內存和存儲“白菜價的時代要過去
關鍵字：三星存儲

三星、臺積電3nm良品率均未超過60% 將影響明年訂單競爭

作為當前全球最先進的制程工藝，臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn)，其中三星電子是在6月30日開始量產(chǎn)，臺積電則是在12月29日開始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。此前預計三星的良品率在今年將超過60%，臺積電的良品率在8月份時就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
關鍵字：三星臺積電 3nm 制程芯片

三星、SK海力士拿到無限期豁免權

10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協(xié)調，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線運營有關的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
關鍵字：三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備

由于芯片虧損擴大，三星電子預計第三季度利潤將下降 78%

IT之家 10 月 11 日消息，三星電子周三報告稱，第三季度營業(yè)利潤可能下降 78%，原因是全球芯片供應過剩的持續(xù)影響導致這家韓國科技巨頭的搖錢樹業(yè)務出現(xiàn)虧損。這家全球最大的存儲芯片和智能手機制造商在一份簡短的初步收益聲明中預計，7 月至 9 月的營業(yè)利潤將從一年前的 10.85 萬億韓元降至 2.4 萬億韓元（IT之家備注：當前約 129.6 億元人民幣）。這跟此前一些分析師的預測基本相符，出于對經(jīng)濟衰退的擔憂，智能手機和個人電腦制造商一直在避免購買新的存儲芯片，而是選擇在幾個月內耗盡現(xiàn)有庫
關鍵字：三星芯片

三星正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨

三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據(jù)韓媒，三星電子副總裁兼內存業(yè)務部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性優(yōu)化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術和HCB（混合鍵合）技術，以應用于該產(chǎn)品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務團隊，以加強尖端封裝技術并最大限度地發(fā)揮業(yè)務部門之間的協(xié)同作用。
關鍵字：三星 HBM3E HBM4

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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]