三星 sdi 文章 最新資訊
消息稱三星 Galaxy Watch 7 存儲空間增加到 32GB,共有三個版本
- 3 月 25 日消息,據(jù)外媒 SamMobile 報道,Galaxy Unpacked 活動將于2024 年 7 月舉行,比以往要提前幾周?,F(xiàn)在,關(guān)于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光。▲Galaxy Watch 6根據(jù)爆料,三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個版本,比以往多一個,但仍然不知道被命名為什么。三星還升級新品的存儲空間,將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB,用來存儲戶外鍛煉的離線音樂、應(yīng)用程序以及
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三星宣布成立 AGI 計算實驗室,研究滿足未來需求的下一代半導(dǎo)體
- 3 月 19 日消息,三星半導(dǎo)體 CEO 慶桂顯(Kye Hyun Kyung)今日于領(lǐng)英發(fā)文,宣布在美國和韓國成立三星半導(dǎo)體 AGI(Artificial General Intelligence,通用人工智能)計算實驗室?!前雽?dǎo)體 CEO 領(lǐng)英動態(tài)實驗室由前谷歌開發(fā)人員禹東赫(Dong Hyuk Woo)領(lǐng)導(dǎo),致力于開發(fā)一種能滿足未來通用人工智能計算需求的全新半導(dǎo)體。AGI 計算實驗室最初將開發(fā)用于大語言模型 LLM 的芯片,專注于推理與服務(wù)應(yīng)用。為了開發(fā)能大幅降低運行 LLM 所需功耗的芯片,三
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黃仁勛:三星是一家非常優(yōu)秀的公司,英偉達正驗證其 HBM 內(nèi)存
- 3 月 20 日消息,本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上,英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛表示:“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高,而且成本非常高,我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”(technological miracle),相比較傳統(tǒng) DRAM,不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能,功耗方面明顯更低。在本次吹風會之前,網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存,而在本次吹風會上,黃仁勛正面表示:“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”(Samsung is a v
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三星計劃今年底明年初推出 AI 芯片 Mach-1,采用 LPDDR 內(nèi)存
- 3 月 20 日消息,三星電子 DS(設(shè)備解決方案)部門負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在今日的三星電子股東大會上宣布,三星電子計劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內(nèi)存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示,Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術(shù)驗證,正處于 SoC 設(shè)計階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程,明年初推出基于其的 AI 系統(tǒng)。韓媒 Sedaily 報道指,Mach-1 芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),可將片外內(nèi)存與計算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有 AI 芯片的 1/8。此外,該芯
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三星計劃今年底明年初推出AI芯片Mach-1
- 科創(chuàng)板日報援引韓媒消息,三星電子DS(設(shè)備解決方案)部門負責人慶桂顯宣布,三星電子計劃今年底明年初推出采用LPDDR內(nèi)存的AI芯片Mach-1。Mach-1芯片已完成基于FPGA的技術(shù)驗證,正處于SoC設(shè)計階段。該AI芯片將于今年底完成制造過程,明年初推出基于其的AI系統(tǒng)。Mach-1芯片基于非傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),可將片外內(nèi)存與計算芯片間的瓶頸降低至現(xiàn)有AI芯片的1/8。此外,其無需現(xiàn)在緊俏而昂貴的HBM內(nèi)存,而是選用了LPDDR內(nèi)存。
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三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn),稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息,據(jù)韓媒 NEWSIS 報道,三星電子否認了近日路透社的說法,表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成,目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通過回流焊一次性粘合,然后同時用模塑料填充間隙;而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜,是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜(NCF)的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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傳三星擴大采用索尼圖像傳感器,臺積電熊本廠或受益
- 影像傳感器是手機最重要零件之一,SONY是全球第一大影像傳感器制造商,三星System LSI部門也生產(chǎn)ISOCELL品牌影像傳感器,與SONY競爭居全球第二。三星自家Galaxy手機多用自家System LSI研發(fā)的圖像傳感器,但未來可能生變。韓國媒體ETNews報導(dǎo),三星手機可能使用更多SONY圖像傳感器,SONY半導(dǎo)體解決方案公司也計劃將部分相機傳感器生產(chǎn)線從日本轉(zhuǎn)到韓國,就是為了擴大加強供貨三星圖像傳感器。SONY已與韓國后段代工合作伙伴商討封裝和測試工序,包括LB Semicon、NGion、A
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消息稱三星曾考慮使用天璣 9000 處理器,因供應(yīng)量不足放棄
- IT之家 3 月 11 日消息,博主 Revegnus 近日否認了三星旗艦手機未來將使用聯(lián)發(fā)科旗艦處理器的傳聞,但稱三星曾考慮在 S 系列手機上使用天璣 9000 處理器,但因供應(yīng)不足而放棄。該博主稱當年聯(lián)發(fā)科曾考慮向三星供應(yīng) 1000 萬顆天璣 9000,而這一供應(yīng)量遠低于三星 Galaxy S 系列所需的 3000-3500 萬顆,協(xié)議最終沒有達成。此外,該博主曾于 2 月發(fā)文稱,傳言聯(lián)發(fā)科向三星提供了特殊價格,三星的入門手機系列將擴大聯(lián)發(fā)科處理器的使用范圍。Revegnus 強調(diào)聯(lián)發(fā)科與三
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美光攜手三星打造Galaxy S24系列,開啟移動AI體驗時代
- Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分設(shè)備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存存儲,為全球手機用戶帶來強大的人工智能(AI)體驗。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持,能夠?qū)崿F(xiàn)無障礙通信并且最大限度地實現(xiàn)創(chuàng)作自由,從而進一步提升用戶體驗。隨著數(shù)據(jù)密集型和功耗密集型應(yīng)用不斷推動智能手機的硬件性能達到極致,美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0
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全球HBM戰(zhàn)局打響!
- AI服務(wù)器浪潮席卷全球,帶動AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起,成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢增長的風景線。業(yè)界認為,HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期,HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時,HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM:三分天下HBM(全稱為High Bandwidth Memory),是高帶寬存儲器,是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講,HB
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三星全新microSD,憑借高性能和大容量助力移動計算和端側(cè)AI
- 三星電子今日宣布,已開始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲卡樣品,該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s,此外,1TB[3] UHS-1 microSD存儲卡現(xiàn)已進入量產(chǎn)階段。隨著新一代microSD存儲卡產(chǎn)品的推出,三星將著力打造差異化存儲解決方案,更好滿足未來移動計算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求。"來自移動計算和端側(cè)人工智能應(yīng)用的需求與日俱增,三星推出的這兩款全新micro SD卡為應(yīng)對這一問題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲事業(yè)
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