?半導(dǎo)體 文章 最新資訊
粵澳合作光博匯落戶江門 打造高端LED交易平臺(tái)
- 目前,江門高新區(qū)先后已引進(jìn)奧倫德、真明麗、德力光電、西鐵城等181家綠色光源企業(yè),約占全市總數(shù)的60%,其中已投產(chǎn)115家,形成了較為完整的“外延—芯片—封裝—應(yīng)用”產(chǎn)業(yè)鏈,其中,上中游外延芯片不僅產(chǎn)量居全省前列,還擁有接近國(guó)際先進(jìn)水平、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位的自主核心技術(shù),先后在全球幾十個(gè)國(guó)家和地區(qū)取得發(fā)明專利524項(xiàng)。2011年,LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值
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中國(guó)LED之殤:缺芯的煩惱
- 根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的指引,記者來到廣東省惠州市某開發(fā)區(qū)的LED產(chǎn)業(yè)園,據(jù)產(chǎn)業(yè)園工作人員介紹,這個(gè)LED產(chǎn)業(yè)園主要引進(jìn)外延片、芯片、LED背光源、封裝等中上游LED企業(yè)為主,產(chǎn)業(yè)園的初衷是想集中LED行業(yè)龍頭企業(yè),建成集企業(yè)總部、中上游產(chǎn)業(yè)的研發(fā)與生產(chǎn)、生產(chǎn)性服務(wù)和生活配套于一體的LED產(chǎn)業(yè)核心集聚區(qū)。顧名思義能夠進(jìn)入該園區(qū)的企業(yè)都是有志向開發(fā)研究LED中上游技術(shù)產(chǎn)品的企業(yè),所以招商初始進(jìn)入園區(qū)的都是有志在LED中上游階段發(fā)展的有實(shí)力的企業(yè)。但是記者在這個(gè)園區(qū)看到的景象卻和想象相去甚遠(yuǎn),很多在兩三年前就拿了地承建
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半導(dǎo)體電阻率的多種測(cè)量方法應(yīng)用與注意事項(xiàng)
- 半導(dǎo)體電阻率的多種測(cè)量方法應(yīng)用與注意事項(xiàng)依據(jù)摻雜水平的不同,半導(dǎo)體材料可能有很高的電阻率。有幾種因...
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半導(dǎo)體代工 幾家歡喜幾家愁
- 的變化,上有半導(dǎo)體代工工廠的境況也可謂是喜憂參半。作為一個(gè)國(guó)家科技實(shí)力的象征,很多半導(dǎo)體企業(yè)可以獲得來自政府的直接或間接投資,但如果一個(gè)國(guó)家有多家半導(dǎo)體代工企業(yè),那么相對(duì)弱勢(shì)的企業(yè)則很難得到來自政府的鼎力支持。另一方面,半導(dǎo)體代工行業(yè)是一項(xiàng)前期投資非常巨大且投資回報(bào)周期相對(duì)較長(zhǎng)的行業(yè),資金鏈?zhǔn)欠窠】抵苯雨P(guān)系到企業(yè)能否繼續(xù)生存下去
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全球最小半導(dǎo)體雷射 清大成功研發(fā)
- 臺(tái)灣又有領(lǐng)先世界的研究,清華大學(xué)物理系成功臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、傲視全球,國(guó)立清華大學(xué)、成功大學(xué)在半導(dǎo)體研究又有新的突破發(fā)現(xiàn)。研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出、全球最小的半導(dǎo)體雷射,運(yùn)算速度比傳統(tǒng)半導(dǎo)體雷射、快了將近1000倍?,F(xiàn)有的電晶體雖然已經(jīng)做到奈米等級(jí),但傳輸速度卻無法大幅提升,科學(xué)界雖然知道,光可以解決所有的問題,但發(fā)展了半世紀(jì)的半導(dǎo)體雷射卻始終面臨瓶頸無法克服,清華大學(xué)和美國(guó)德州大學(xué)合作,成功研發(fā)出有史以來最小尺寸的半導(dǎo)體雷射,將帶領(lǐng)半導(dǎo)體科技進(jìn)入新的里程。 電晶體要愈做愈小的原因是愈做愈小的話電子跑
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Yole:2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對(duì)3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報(bào)告,指出過去一年來,所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(tái)(包括CMOS影像感測(cè)器、環(huán)境光感測(cè)器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值約為27億美元,而到了2017年,該數(shù)字還可望成長(zhǎng)到400億美元,占總半導(dǎo)體市場(chǎng)的9%。 Yole Developpement的先進(jìn)封裝部市場(chǎng)暨技術(shù)分析師Lionel Cadix 指出,3DIC通常使用TSV 技術(shù)來堆疊記憶體和邏輯IC,預(yù)
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宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)0.13微米嵌入式EEPROM模塊
- 中國(guó)上海,2012年7月30日-上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”),專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè),宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊(具有單字節(jié)擦寫能力)。 宏力半導(dǎo)體先進(jìn)的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù),第一次在0.13微米1.5伏低漏電、低功耗邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了閃存模塊和EEPROM模塊的完美結(jié)合?;谠撓冗M(jìn)技術(shù)開發(fā)出的0.13微米嵌入式EEPROM模塊,數(shù)據(jù)保持時(shí)間達(dá)到100年,擦寫次數(shù)大幅提高到50萬次。此次
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