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Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 West......
近日，復旦大學團隊研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現(xiàn)有技術(shù)快1萬倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實驗外推可達十年以上。相關(guān)研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯......
三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶停產(chǎn)服務器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認為，市場景氣低迷，上游存儲......
2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品......
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在美國對等關(guān)稅政策反復變動下，提前出現(xiàn)備貨熱潮。 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，美方雖釋出90天寬限期，卻已實質(zhì)改變內(nèi)存供需方的作策略，買賣雙方急于在寬限期內(nèi)完成交易、生產(chǎn)出貨，預期將推升第二季市場交易熱度，......
Sandisk閃迪公司旗下閃迪創(chuàng)作者系列存儲解決方案現(xiàn)已全面上市，助力當代內(nèi)容創(chuàng)作者專注于高質(zhì)量內(nèi)容呈現(xiàn)，賦能不斷增長的創(chuàng)作者經(jīng)濟。該系列包括全新可兼容MagSafe的閃迪創(chuàng)作者系列磁吸手機移動固態(tài)硬盤在內(nèi)的多款專業(yè)級存......
4月16日，微電子行業(yè)標準制定者JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了備受業(yè)界期待的HBM4標準。HBM4標準作為先前HBM3標準的升級版，將進一步提升數(shù)據(jù)處理速率，同時保持更高帶寬、更高能效及每顆芯片/堆疊的容量等基本特征。......
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，近期國際形勢變化已切實改變了存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨，以應對未來市場不確定性，預期第二季存儲器市場......
據(jù)報道，當?shù)貢r間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布，正式推出HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設定了更高的帶寬性能標準。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標準在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方......
業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flas......
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