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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 復(fù)旦大學(xué)

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！

  • 近日，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級(jí)閃存器件，其擦寫(xiě)速度達(dá)到亞納秒級(jí)別，比現(xiàn)有技術(shù)快1萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實(shí)驗(yàn)外推可達(dá)十年以上。相關(guān)研究成果已登上國(guó)際頂級(jí)期刊《Nature》。該項(xiàng)目由復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院的周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)完成。周鵬教授現(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)，長(zhǎng)期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔(dān)任論文通訊作者。傳統(tǒng)閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質(zhì)量和聲子散射等因素，導(dǎo)致熱載流子注入效率
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全球首發(fā)，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無(wú)極”

  • 4 月 2 日消息，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的 32 位 RISC-V 架構(gòu)微處理器“無(wú)極”。據(jù)介紹，該成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸，首次實(shí)現(xiàn) 5900 個(gè)晶體管的集成度，并在國(guó)際上實(shí)現(xiàn)二維邏輯芯片最大規(guī)模驗(yàn)證紀(jì)錄，是由復(fù)旦團(tuán)隊(duì)完成、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)技術(shù)，使我國(guó)在新一代芯片材料研制中，占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)。“反相器是一個(gè)非?；A(chǔ)且重要的邏輯電路，它的良率直接反映了整個(gè)芯片的質(zhì)量?！睆?fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授周鵬介紹，二維材料不像硅晶圓可以通
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復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

  • 異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線(xiàn)之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴(lài)于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類(lèi)比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴(lài)追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國(guó)內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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致敬《流浪地球》 復(fù)旦發(fā)布國(guó)內(nèi)首個(gè)類(lèi)ChatGPT模型MOSS：未來(lái)將開(kāi)源代碼

  • 從復(fù)旦大學(xué)自然語(yǔ)言處理實(shí)驗(yàn)室獲悉，國(guó)內(nèi)首個(gè)對(duì)話(huà)式大型語(yǔ)言模型MOSS已由邱錫鵬教授團(tuán)隊(duì)發(fā)布至公開(kāi)平臺(tái)（ https://moss.fastnlp.top/ ），邀公眾參與內(nèi)測(cè)。復(fù)旦MOSS公開(kāi)后，引起不少網(wǎng)友關(guān)注，由于瞬時(shí)訪(fǎng)問(wèn)壓力過(guò)大，MOSS服務(wù)器昨晚還被網(wǎng)友擠崩潰了。從MOSS官網(wǎng)獲悉，官方發(fā)布公告稱(chēng)，團(tuán)隊(duì)最初的想法只是將MOSS進(jìn)行內(nèi)測(cè)，以便進(jìn)一步優(yōu)化， 沒(méi)想到會(huì)引起這么大關(guān)注，我們的計(jì)算資源不足以支持如此大的訪(fǎng)問(wèn)量， 并且作為學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)也沒(méi)有相關(guān)工程經(jīng)驗(yàn)，造成不好的體驗(yàn)向大家致歉
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管，集成度翻倍并實(shí)現(xiàn)卓越性能

  • IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開(kāi)的電子型和空穴型晶體管形成互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計(jì)算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，大家最常見(jiàn)的案例就是半導(dǎo)體行業(yè)的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實(shí)際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院官方公告，該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬(wàn)景團(tuán)隊(duì)繞過(guò) EUV 工藝，研發(fā)出性能優(yōu)異的異質(zhì) CFET 技術(shù)
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復(fù)旦大學(xué)盧紅亮教授團(tuán)隊(duì)在新型氣敏材料及MEMS氣敏器件研究中取得新進(jìn)展

  • 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮（通訊作者）領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)首次結(jié)合硬模板法、原子層沉積技術(shù)和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線(xiàn)的多級(jí)異質(zhì)復(fù)合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對(duì)濃度低至1ppm的硫化氫實(shí)現(xiàn)了超靈敏和高選擇性的探測(cè)。相關(guān)成果以《Hierarchical highly ordered SnO2 nanobowls branched ZnO nanowires for ultrasensitive and selective hydrogen sulfi
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復(fù)旦大學(xué)梅永豐課題組研發(fā)柔性薄膜組裝集成芯片傳感器

  • 硅芯片是當(dāng)代信息技術(shù)的核心，當(dāng)前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個(gè)方向發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用是“超越摩爾”技術(shù)路線(xiàn)中相當(dāng)重要的一環(huán)，需要數(shù)量巨大的集成電路芯片來(lái)分析處理來(lái)自外部傳感器件的海量信號(hào)。目前，大多數(shù)傳感信號(hào)采集器件和信號(hào)處理單元均為分離設(shè)計(jì)，將在整體上產(chǎn)生更大功耗并占據(jù)更大的空間。由此，復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系教授梅永豐課題組提出了將信號(hào)檢測(cè)和分析功能集成于同一個(gè)芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團(tuán)隊(duì)將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材
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復(fù)旦大學(xué)率先試點(diǎn)設(shè)立集成電路科學(xué)與工程一級(jí)學(xué)科

  • 近日，復(fù)旦大學(xué)面向國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，加快集成電路人才培養(yǎng)邁出重要一步?！凹呻娐房茖W(xué)與工程” 博士學(xué)位授權(quán)一級(jí)學(xué)科點(diǎn)將于2020年試點(diǎn)建設(shè)，并啟動(dòng)博士研究生招生。
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聯(lián)想上海研發(fā)中心擴(kuò)建項(xiàng)目將于明年在張江投用

  • 近日，聯(lián)想與復(fù)旦大學(xué)管理學(xué)院聯(lián)合舉辦的“智慧 讓城市更美好——2019智慧城市論壇”隆重召開(kāi)。并在論壇上透露，位于張江科學(xué)城內(nèi)的聯(lián)想上海研發(fā)中心擴(kuò)建項(xiàng)目一期已完成封頂，預(yù)計(jì)年底竣工，明年投入使用，將涵蓋智慧+功能。
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復(fù)旦大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

  • 近日，復(fù)旦大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將圍繞國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，在聯(lián)合科研創(chuàng)新、人才培養(yǎng)與交流、智慧校園建設(shè)等方面開(kāi)展更深層次的合作。
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復(fù)旦大學(xué)獲批建設(shè)國(guó)家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)

  • 集成電路技術(shù)是信息社會(huì)的基礎(chǔ)，也是國(guó)家綜合實(shí)力的關(guān)鍵標(biāo)志之一。為了加快集成電路領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)的攻關(guān)，加強(qiáng)集成電路"卡脖子"技術(shù)領(lǐng)域人才培養(yǎng)，國(guó)家發(fā)改委、工信部、教育部根據(jù)《國(guó)家集成電路發(fā)展推進(jìn)綱要》和《教育部等七部門(mén)關(guān)于加強(qiáng)集成電路人才培養(yǎng)的意見(jiàn)》，積極推進(jìn)在中央高校建設(shè)國(guó)家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)。近日，教育部發(fā)文，正式批復(fù)同意復(fù)旦大學(xué)承擔(dān)的"國(guó)家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)"項(xiàng)目可研報(bào)告。
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盤(pán)點(diǎn)中國(guó)大陸系微控制器（MCU）廠商（一）

  • 　　上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司　　1998年7月，由復(fù)旦大學(xué)“專(zhuān)用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、上海商業(yè)投資公司和一批夢(mèng)想創(chuàng)建中國(guó)最好的集成電路設(shè)計(jì)公司(芯片設(shè)計(jì))的創(chuàng)業(yè)者聯(lián)合發(fā)起創(chuàng)建了復(fù)旦微電子。MCU主要產(chǎn)品有：16位微控制器和基于Arm Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器產(chǎn)品?！　∩钲谑懈粷M(mǎn)電子集團(tuán)股份有限公司　　是一家從事高性能模擬及數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)研發(fā)、封裝、測(cè)試和銷(xiāo)售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有電源管理、LED驅(qū)動(dòng)、MOSFET等涉及消費(fèi)領(lǐng)域IC產(chǎn)品四百余種。MCU主要產(chǎn)品
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復(fù)旦大學(xué)與Google正式合作：主攻人工智能

  • 　　據(jù)谷歌黑板報(bào)公布，5月31日，Google 在上海與復(fù)旦大學(xué)簽署兩年期合作協(xié)議，宣布成立復(fù)旦大學(xué)-谷歌科技創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，建立戰(zhàn)略合作關(guān)系?！　?fù)旦大學(xué)常務(wù)副校長(zhǎng)桂永浩教授、校長(zhǎng)助理徐雷教授、Google大中華區(qū)總裁石博盟(Scott Beaumont)、Google大中華區(qū)公共政策與政府事務(wù)經(jīng)理張弘、Google中國(guó)教育合作部經(jīng)理朱愛(ài)民等出席了簽約儀式?！　』诖舜魏炇鸬膮f(xié)議，Google將重點(diǎn)支持復(fù)旦大學(xué)在人工智能、數(shù)據(jù)科學(xué)、移動(dòng)應(yīng)用等新興科技領(lǐng)域的課程和創(chuàng)新科技聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，并支持中美青年創(chuàng)客交流
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復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)開(kāi)創(chuàng)研發(fā)第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)

  • 　　近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)，解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。 　　據(jù)了解，目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類(lèi)，第一類(lèi)是易失性存儲(chǔ)，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失;第二類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)，例如人們常用的U盤(pán)，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)后無(wú)需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫(xiě)入數(shù)據(jù)，第二類(lèi)電荷存儲(chǔ)技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存
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復(fù)旦大學(xué)兩成果亮相“集成電路設(shè)計(jì)奧林匹克”ISSCC 2018

  • 　　美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月11日，2018國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2018)在舊金山舉行，202篇來(lái)自學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的前沿成果論文在這一集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議中向全世界發(fā)布。由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院無(wú)線(xiàn)集成電路與系統(tǒng)(WiCAS)課題組和腦芯片研究中心模擬與射頻集成電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的兩項(xiàng)成果雙雙亮相，分別以論文《面向窄帶物聯(lián)網(wǎng)NBIOT應(yīng)用的緊湊型雙頻段數(shù)字式功率放大器》(“A Compact Dual-Band Digital Doherty Power Amplifier Using Parall
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復(fù)旦大學(xué)介紹

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