功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)
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因?yàn)镼2 PNP不能流過(guò)任何反向電流，只要負(fù)電流出現(xiàn)，體二極管就開(kāi)始導(dǎo)通，形成一個(gè)對(duì)地的負(fù)電壓。選擇Vacl電壓源使得一旦Q3的源極存在負(fù)電壓，NMOS的柵極就導(dǎo)通。負(fù)柵極電流流過(guò)Q3。此電路的工作原理如同有源電壓鉗位網(wǎng)絡(luò)。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/81041.htm于是體二極管電壓鉗位到：
選擇的Vacl值接近于Vth，這決定了DRV電壓接近于驅(qū)動(dòng)器的接地點(diǎn)。用這種方法可以實(shí)現(xiàn)虛擬接地。
Q3電流通過(guò)M1產(chǎn)生鏡像。鏡像電流通過(guò)Rsig 產(chǎn)生“信號(hào)”。信號(hào)的擺幅可與Vzcd進(jìn)行比較，用來(lái)創(chuàng)建Vvalley信號(hào)。為了實(shí)現(xiàn)Vvalley信號(hào)不受干擾和靈敏的檢測(cè)，必須選擇發(fā)生在零點(diǎn)檢測(cè)前一點(diǎn)的Vzcd電平，以便補(bǔ)償比較器的傳輸延遲。
硅集成實(shí)現(xiàn)
在Soxyless功能模塊中處理的信號(hào)是非常高速的信號(hào)。在典型的應(yīng)用中，磁芯去磁之后發(fā)生的振鈴周期在500kHz范圍內(nèi)。對(duì)應(yīng)的半周期的數(shù)量級(jí)為1ms。很明顯，谷點(diǎn)檢測(cè)速度是一個(gè)影響精度的因素。
Soxyless模塊的主要功能為：
·啟動(dòng)PNP
·禁用推挽驅(qū)動(dòng)器的下部NFET
·在漏極電壓振蕩的負(fù)dV/dt部分在驅(qū)動(dòng)器輸出DRV上形成“虛擬地”
·捕獲(流出DRV輸出端的)負(fù)電流
·檢測(cè)“正向ZCD DRV電流”
評(píng)論